Способ пайки полупроводникового кристалла

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК ЯО 1505699 5 ц 4 В 23 К 112 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ПАИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА(57) Изобретение отндсится к пайке, аименно к технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем, и может быть использовано при изготовлении Изобретение относится к пайке, а именно к технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем, и может быть использовано при изготовлении мощных полупроводниковых микросборок,Цель изобретения - повышение качества пайки.Сущность способа заключается в создании и использовании как активирующего фактора потенциала на спаиваемой поверхности полупроводника, образующегося за счет эффекта Холла, а также в осуществлении равномерного сжатия спаиваемых поверхностей за счет намагничивания слоев из ферромагнитных материалов, наносимых обычно на спасаемые поверхности кристалла и основания при подготовке их к пайке. Поэтому верхняя граница температурного режима пайки определяется точкой Кюри составных компонентов спаиваемых материалов, а нижняя температурой плавления применяемого припоя. 2мощных полупроводниковых микросборок. Цель изобретения - повышение качества пайки. В процессе пайки производят активацию паяемой поверхности магнитным полем, ориентированным перпендикулярно паяемой поверхности. Верхняя граница температурного режима пайки определяется точкой Кюри составных компонентов спаиваемых материалов, а нижняя температурой плавления применяемого припоя. Способ позволяет повысить качество пайки и, тем самым, снизить технологические потери при сборке мощных полупроводниковых микросборок.табл. Пример. Полупроводниковый кристалл, например кристалл транзистора КТ 826 А, покрытый при подготовке его к пайке слоем никеля, толщиной о 8 мкм и слоем золота 3 - 4 мкм, устанавливают через слой припоя на контактную площадку металлического основания из молибдена, покрытую предварительно слоями никеля и золота, и фиксируют эту сборку в кассете. Затем кассету со сборкой помещают в устройство для пайки, снабженное электромагнитами так, что силовые линии проходят перпендикулярно поверхности кристалла. Детали нагревают до температуры плавления припоя, выдерживают в течение времени, достаточного для образования паяного соединения, и охлаждают. Магнитное поле может быть как постоянным, так и переменным. Пайку проводят в течение 2 - 3 мин в магнитном поле напряженностью 500 Э н в температур1505699 3ном интервале 356 - 358 С при условии использования припоя на основе эвтектического сплава золото-германий (12 Я германия и 88 о" золота) . Предлагаемым способом были спаяны 20 образцов, Для 4сравнения спаяли также 20 образцов при активации магнитным полем, ориентированным параллельно паяемой поверхности.Результаты испытаний сведены в таблицу,Толщина общего для Мсб термокомпенсатора из Мо,мм Мсб Тепловое сопротивлеОпыт ние переход-корпус, оС/Вт Магнитноеполе 1 Магнитноеголе 11 паяемойповерхности паяемойповерхности Как видно из таблицы, тепловое сопротивление переход-корпус, паяных в магнитном поле, ориентированном перпендику.1 ярно паяемым поверхностям в 1,1 раз Меньше, чем тепловое сопротивление переход-корпус, паяных в магнитном поле йараллельно паяемой поверхности,Использование предлагаемого способа йозволяет повысить качество пайки и снизить, тем самым, технологические потери йри сборке мощных полупроводниковых Микросборок, а также увеличить их надежность при работе в составе РЭА. Формула изобретенияСпособ пайки полупроводникового кристалла, включающий сборку, нанесение при поя, активацию паяемой поверхности воздействием магнитного поля и пайку в температурном интервале, ограниченном значением температур точки Кюри материалов паяемых деталей, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пайки, активацию проводят магнитным полем, ориентированным перпендикулярно паяемой поверхности. Соста витель Л. Абросимова Редактор О. Головач Техред И. Верес Корректор М. Самборская За каз 5360/13 Тираж 894 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О