Патенты с меткой «кристалла»

Номер патента: 2004935

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Чепижный

МПК: G09B 23/26

Метки: демонстрационная, кристалла, модель

...куба, В связи с тем, что с рядомчисел Фибоначчи связано бесконечное число рекуррентных рядом, появляется воз 45 можность описания бесконечно большогоколичества фигур (кристаллов), Кроме того,при выполнении субблоков с указанным соотношением ребер, осуществляется наиболее естественная их укладка в совокупную50 структуру с минимальными "зазорами" между блоков,П р и м е р 1. На фиг.2 показана моделькваэисимметричного куба со "ступенькамиРоста" (перекрытиями), выделенными черными точками.П р и м е р 2, На фиг.З представленамодель квазисимметричного куба с двойными плоскостями, описывающими разбиениекуба на субблоки и связанные с ними суб рани,(56) Проспект нКристаллографические модели". Л,; 1975, с,22-23,Формула изобретения...

Номер патента: 1738039

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.

Номер патента: 1575495

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Войтенко, Гольдштейн, Карелина, Спивак

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристалла

СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛА АЛМАЗА, включающий нанесение на посадочную площадку оправки клеящего состава на основе эпоксидной смолы, размещение предварительно размеченного кристалла алмаза в ориентированном положении в оправке с прижимом кристалла к поверхности оправки, температурную выдержку, охлаждение и установку алмаза с оправкой на станке, подрезание и распиливание, отличающийся тем, что, с целью повышения качества распиливания алмазов и увеличения коэффициента использования дорогостоящего сырья, на посадочную площадку базирующей оправки наносят эпоксититанорганический клей, температурную выдержку осуществляют в течение 2 - 3 ч при температуре 200 - 250oС, а после снятия прижима устанавливают оправку с кристаллом алмаза на...

Номер патента: 1662315

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Большаков, Куратьев, Скворцов, Хромов, Янчук

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, галлий-скандий-гадолиниевого, граната, кристалла, лазеров, твердотельных, элемент

...Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 1205 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 Ц 1 Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при разработке лазеров с повышенными энергетическими параметрами.Цель изобретения - повышение предельных энергетических параметров,П р и м е р. Активный элемент представляет собой цилиндр, изготовленный посредством оптико-механической обработкикристалла галлий-скандий-гадолиниевого 10граната (ГСГГ),. Диаметр активного элемента 3 мм, длина 50 мм, концоентрация ионов активаторайб 3,5 10 см з, концентрацзия ионовсенсибилизатора Сг 4 10 см . На полированные рабочие торцы элемента нанесены однослойные...

Номер патента: 1533135

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Брицис, Стасюк, Фридлендер, Шевцов

МПК: B23K 1/20

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий нанесение на посадочную поверхность кристалла слоев алюминия и германия, на поверхность кристаллодержателя - слоя алюминя и последующую пайку кристалла к держателю, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности паяного соединения, металлизированную посадочную поверхность кремниевого кристалла покрывают пленкой припоя на основе алюминия и германия, полученной с помощью их одновременного осаждения из паровой фазы.

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1819066

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Арутюнян, Бородулина, Новиков, Тюлягин

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, напайки, никелированную, поверхность, полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...10 с при скорости разогрева 500 С/мин и составляет 100 С, В результате максимальная температура поверхности теплоотвода составляет не более 500 С, что не приводит к нарушению поверхности алюминиевых контактов кристалла,При большой скорости разогрева припоя до высокой температуры 500 С гораздо выше температуры плавления припоя 230 ОС), происходит быстрое расплавление припоя и формирование шарика за счет сил Формула изобретенияСПОСОБ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА НИКЕЛИРОВАННУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ТЕПЛООТВОДА, включающий помещение в герметичную камеру теплоотвода, . трафарета, кристалла и навески припоя, откачку камеры, нагрев сборки, прекращение откачки и введение в камеру нейтрального газа, содержащего азот 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 1018315

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Нагорная, Одесюк, Петров

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, деформированного, кристалла, огранки

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза преимущественно при изготовлении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22o30', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристаллографических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование граней, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, пробное шлифование осуществляют последовательно в трех положениях держателя с кристаллом алмаза относительно направления шлифования, первое из которых составляет положительный угол от 29o45' до 30°, второе - перпендикулярно, а третье...

Номер патента: 1435118

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Алешкин, Барышников, Григоров, Коломиец, Мартынович, Назаров, Скобкин, Червяцов, Южалин

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерных, окраски, основе, центрами

Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1321131

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Погодина

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, кристалла, расплава

1. Устройство для вытягивания кристалла из расплава, включающее герметичную камеру, внутри которой размещены тигель, окруженный нагревателем и системой теплоизоляции, шток с затравкой кристалла, механизмы перемещения и вращения кристалла, имеющие приводы и содержащие каретку, подвижно установленную на вертикальной направляющей, и средством уплотнения штока, размещенное на крышке камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет непрерывного вытягивания кристалла, устройство снабжено дополнительной кареткой с механизмом отрезки кристалла, подвижно установленной сверху на направляющей, обе каретки снабжены захватами кристалла, установленными с возможностью вращения,...

Номер патента: 778371

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Дранкин, Жвирблянский, Шапиро, Шутова

МПК: C30B 15/32

Метки: затравочного, крепления, кристалла

Устройство для крепления затравочного кристалла в установке для выращивания кристаллов, содержащее затравкодержатель, соединенный гибким элементом с механизмом вращения и перемещения, отличающееся тем, что, с целью улучшения вертикальной ориентации затравочного кристалла, соединение затравкодержателя и гибкого элемента выполнено в виде сцепленных пластин с отверстиями, сопряженными в точке подвеса остроугольными кромками, одна пластина установлена на затравкодержателе с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости, а другая пластина прикреплена к гибкому элементу.

Номер патента: 1393248

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Зоболотный, Левашов, Приймак, Яковлев

МПК: H01L 21/52

Метки: кристалла, монтажа, пайкой, полупроводникового

Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой, включающий нанесение на паяемую поверхность слоя металла, смачиваемого припоем, и последующую пайку кристалла на основание, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности полупроводникового прибора за счет увеличения его циклостойкости, предварительно на паяемую поверхность кристалла наносят сетку взаимно пересекающихся или концентрических относительно центра кристалла V-образных канавок глубиной 0,003-0,05 мм.

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.

Номер патента: 919248

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Батурин, Кузьминых, Погребняк, Розум, Чормонов

МПК: B28D 5/00

Метки: изгиба, кристалла

Способ изгиба кристалла, включающий установку кристалла между оправками, поверхность одной из которых покрывают клеящим составом, нагрев кристалла с оправками и снятие оправок после приобретения кристаллом формы, отличающийся тем, что, с целью обеспечения изгиба кристаллов различных толщин с сохранением структуры кристалла, в качестве оправок используют пластины из мартенситных сплавов, обладающих "эффектом памяти формы", которые перед установкой между ними кристалла предварительно изгибают до заданного радиуса при температуре начала обратного мартенситного превращения, выпрямляют их при комнатной температуре, а нагрев осуществляют до температуры конца обратного мартенситного превращения.