H01S 5/32 — с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры

Номер патента: 392875

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алферов, Андреев, Казаринов, Портной, Сурис

МПК: H01S 5/32

Метки: генератор, квантовый, оптический, полупроводниковый

...внешнего электрического поля в прямом направлении ( фплюсомф к р-области) в активномслое 3 за счет двусторонней инжекции создается инверсная заселенность носителей тока,которая при наличии оптического резонаторапозволяет получить когерентное световое из- ЗОлучение. Наличие периодически расположенныхконтактных полос на поверхности структурыприводит к модуляции волнового сопротивлениядиэлектрического волновода. Глубина этой модуляции равна отношению квадрата напряжен- з 5ности электрического поля электромагнитнойволны на контактной поверхности к его значению в центре волновода, Это отношениеэкспоненциально убывает с увеличениемрасстоянияот активного слоя ОКГ до контактной поверхности,В таком плоском светопроводе с периодически...

Номер патента: 300126

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алферов, Андреев, Корольков, Портной, Третьяков

МПК: H01S 5/32

Метки: инжекционный, лазер

...прямого смешения за счет инжекции из И и р - широкозонных эмиттеров в слое АИ Са А 5 создается инверсная насеруЗленность носителей тока. Наличие "разрыва" зоны проводимости в гетеропереходах в системе с Я Д-С цДвфобеспечивает эффективную инжекцию носителей из широкозонных эмиттеров в активную область и возможность искусственного ограничения области рекомбинации. Полное совпадение активной области с областью рекомбинации, атакже локализация световой волны в активном слое гетеролазера обусловливают сушественное снижение пороговых токов и увеличение внешнего квантового выхода при повышенных рабочих температурах,В гетеролазерэ на основе предложеннойоструктуры при 300 К получены следующие характеристики; пороговая плотностьтока = 0,9 - 1...

Номер патента: 749333

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Быковский, Смирнов

МПК: H01S 5/00, H01S 5/32

Метки: интегральная, линий, матрица, оптических, полупроводниковыхлазеров, связи4

...матрицу лазеров с любой многоканальной системой связи, что также невозможно в известной матрице, Применение ч- подобных лазерных источников упростит н- системы многоканальных оптических линий связи, повысит эффективность ввода лазерного излучения в оптические ют планарные и волоконные световоды.Формула изобретения каналовсодержащей полупроводциковылазеры ца основе гетероэпитаксиальцо 1структуры, сформированной на единойцол.упроцодциковой подложке, гетероэпитаксиальцая структура представляесобойчередующиеся полупроводниковыетолщиной 0,3-2 мкм и полуизолирующиетолщицой от 3-4 мкм до 150-300 мкмслои, причем концентрация носителейН -типа в полупроводниковых слояхразлична, а активные области в нихперпендикулярны к плоскости...

Номер патента: 1359833

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Грудин, Заргарьянц

МПК: H01S 5/32

Метки: инжекционный, лазер

...и может быть использовано в интегральнооптических устройствах,Цель изобретения - обеспечениеселекции мод излучения,На чертеже изображен предлагаемыйлазер.Лазер содержит волноводный 1 иактивный 2 слои, отражательные элементы 3 прерывистого паза,Волноводный лойлазера пересекается отражателем в виде прерывистого паза, перпендикулярного направлению распространения лазерного излучения, Зеркальные стенки отдельныхотражательных элементов 3 пересекаютволновопный слой 1, Длина отражательных элементов 6 и период й их чередования находятся в пределах 0,50 мкм и 1-20 мкм соответственно,Глу"бина паза должна обеспечивать пересе"чение волноводного слоя 1 и зависитот глубины залегания последнего,Коэффициент прохождения через отражатель с...

Номер патента: 1034569

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Алешин, Андреев, Лаврушин, Матяш, Стрельченко, Уласюк, Шубина

МПК: H01S 5/32

Метки: лазер, накачкой, полупроводниковый, продольной, электронной

...волны возбуждаемого излуче1034569 С учетом выражения для дифракционных потерь д =0,207()(2) СоставительРедактор О,филиппова Техред М,Моргентал Корректор И,Муска Заказ 564 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина. 101 Хладопровод может быть выполнен в виде широкозонного слоя,Работа лазера с продольной накачкой электронным пучком осуществляется следующим образом,Электронный пучок падает на поверхность активного элемента со стороны узкозонного слоя и возбуждает активную область, размеры которой ограничены толщиной узкозонного слоя и диаметром электронного пучка,При...