Интегральная схема

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИяК ПАТЕНТУ и) 457237 Союз Советских СоциалистическихГосударственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретениии открытий 53) УДК 621.382(088,8 я 05,02.75 ликован писан(72) Автор изобретени ИностранецГене Гоен(Соединенные ШтатьАмерики)Иностранная фирма РКА Корпорейшн оединенные Штаты Америки) 1) Заявител АЯ СХЕМА(54) ИНТЕГРА Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники, а именно, к области полупроводниковых интегральных схем.Известны полупроводниковые интегральные схемы, имеющие подложку р-типа проводимости с высоким удельным сопротивлением, на которой выращен эпитаксиальный слой п-типа проводимости, содержащий диффуционные области, образующие активные и пассивные компоненты схемы. Компоненты интегральной схемы объединяются в функциональную схему посредством металлических проводников, расположенных на поверхности эпитаксиального слоя над маскирующим окислом.Соединение различных точек цепи производится при помощи металлических проводящих дорожек, что приводит к наличию различных потенциалов,в точках, так как размеры проводящих дорожек малы и на них наблюдается значительное падение напряжения. Кроме того, наличие проводящих дорожек приводит к ограничению частотного . диапазона работы устройств,С целью повышения, надежности соединения областей, подлежащих подсоединению к точке общего потенциала, используются полупроводники одного типа проводимости, например, р и р+,10 15 20 25 На чертеже приведена схема участка цепи.Монолитная полупроводниковая цепь содержит металлический слой 1, на котором установлена пластина, выполненная из монокрнсталла кремния. Пластинка 2 содержит нижний слой 3 из материала р-типа с низким сопротивлением. Этот слой обозначен р+ и имеет толщину 0,2 мм при удельном сопротивлении 0,1 ом/см. Промежуточный слой 4 из материала р-типа обладает высоким удельным сопротивлением от 2 до 50 ом/см, его толщина 0,015 мм. Верхний слой выполнен из материала п-типа, имеющего удельное сопротивление от 0,1 до 5 ом/см и толщину 0,01 мм. Элементы цепи расположены в слое 5. Одним из элементов является транзистор 6, который содержит базу р-типа, область эмиттера 8 п-типа и область коллектора 9. Под областью коллектора 9 находится полость 10 пз материала и+- типа, которая может быть получена диффундированием в слой п соответствующих примесей. Наличие полости 10 компенсирует действие паразитного рир-типа транзистора, образуемого из части области 7 р-типа, слоя коллектора 5 п-типа и слоя 3 р+-типа. Резистор 11 образуется областью 1, имеющей регулируемые размеры и переменное содержание примесей, Полость 13 и+-типа может вхоЗаказ 504/18Ц 11 И Изд.1061 И Государственного по делам изоб Москва, Ж, Тираж 833омитета Совета Миписетений и открытийаушская наб., д. 4/5 одписп в ССС шография, пр. Сапунова,дить в состав слоя 4 ниже резистора 11 и способствует устранению паразитных связей. Области 14 и 15 р+-типа окружают составные элементы цепи, например транзистор 6, и служат для их электрической экранировки. Поверхность слоя 5 покрыта защитным слоем 16, за исключением входного контакта, который подходит к эмиттеру 8 транзистора 6. Поверх защитного слоя 16 расположена металлическая полоса 17, соединяющая эмиттер 18 с изолирующей областью 14. Соединение 19 металла с областью 20 производится через отверстие в слое 16. Область изоляции 14, являющаяся составным элементом токопроводящей цепи между эмиттером 8 и слоем 3, проходит через слои 5 и 4. Транзистор имеет контакт базы 21 и контакт коллектора 22. Металлическая полоса 23, проходящая поверх слоя 16, соединяет контакт 24, к которому подключен резистор 11 с областью 15. Область 15, проходя через слои 4 и 5, соединяется со слоем 3. Второй контакт резистора 11 обозначен 25, Нижний слой 3 служит общей шиной, к которой может быть подключено желаемое количество элементов с общей потенциальной точкой. Предмет изобретенияИнтегральная схема, содержащая высокоомную подложку первого типа проводимости срасположенными на одной стороне первымслоем противоположного типа проводимости,10 содержащим элементы схемы с электродамии диффузионные изолирующие области, ивторым низкоомным слоем первого типа проводимости на другой стороне и диффузионныеизолирующие области первого типа проводи 15 мости, проходящие от поверхности первогослоя до второго низкоомного слоя, отличаю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности соединения областей, подлежащихподсоединению к точке общего потенциала,20 участки изолирующих диффузионных областей, выходящие на поверхность, имеют контакты, соединенные проводниками с электродами элементов схемы,