Интегральная логическая схема

Сфвз Советскнк Сецналнстнческнк РеспубпнкОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ 61) Дополнительное к авт. сеид-еу 22) Заявлено 0308,79 (21) 2804299/ присоединением заявки М 9(51) 3 К 19/08 осударствеииый комитет СССР по делам изобретеиий и открытий(54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ СХЕИА еме,й огич осно отре митт з зойаскадио,Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при построении интегральных схемпамяти.Известна л еская схема, выполненная на ве инвертора, в которой предусм но шунтирование перехода база-э ер выходноГо транзистора диодами Шоттки, чем обеспечивается достаточно высокое быстродействие 1.Однакозуется энамощности,Наиболее близким техническим решением к предлагаемой логическойсхеме является ТТЛ-схема, содержащаявходной многоэмиттерный ранэистор,подсоединенный коллектором к базетранзистора парафазного каскада,коллектор которого соединен с базойпервого транзистора выходного каскада, выполненного на двух последовательно включенных через диод транзисторах, а змнттер - к базе второготранзистора выходного каскада 21,Недостаток известной схемы - низкое быстродействие, рост потребляемой мощности с ростом частоты переключений; выходного тока нагрузки. известная схема характеричнтельным потреблением Цель изобретения - стабилизациявыходного тока при высоком быстродействии и экономичности схемы,Поставленная цель достигается темчто в интегральной логической сх содержащей входной многоэмиттерны транзистор, эмиттеры которого подключены к входным шинам, база чере 1 О резистор к положительной шине, аколлектор к базе первого транзистор парафазного каскада, эмнттер которо го через резистор соединен с земляной шиной и с базой второго транзис тора выходного каскада, эмиттер которого соединен с земляной шиной, а коллектор подключен к эмиттеру гервого транзистора выходного каскада и к выходной шине, коллектор первого транзистора парафазного кас 20 када подключен к положительной шинеа эмнттер - к базе второго транзисто ра, эмиттер которого. соединен с земляной шиной, а коллектор - с нагруэочным источником тока, с ба первого транизстора выходного к да и катодом полупроводникового да, анод которого подключен к базе входного транзистора, либо вместо цепи, содержащей полупроводниковьФ.30 диод, один цэ змиттеров входногоФормула изобретения 3 8 б 031гтранзистора плдключен к базе первого транзистора выходного каскада,На Фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема устройства с диодом в качестве элемента обратной свяэи на фиг, 2 - то же,с использованчем в качестве элемента обратной связи цепи эмиттер входного многоэмиттерного транзистора -база первого транзистора выходногокаскада,Логическая схема содержит входноймногоэмитетрный транзистор 1, подключенный базой через резистор 2 кисточнику 3 питания, парафазныйкаскад, первый транзистор 4 которого подсоединен базой к коллектору 15входного транзистора 1, а эмиттером -к базе второго транзистора 5 и выходной каскад, первый транзистор бкоторого подключен змиттером к коллектору второго транзистора 7 и источнику 8 опорного напряжения, абазой - к коллектору транзистора 5,и источнику 9 тока и катоду полупроводникового диода 10 (фиг,1) либок дополнительному эмиттеру входноготранзистора 1 (фиг, 2),Интегральная логическая схема работает следующим образом,Если на один из входов транзистора 1 (или на все) подан низкий уровень напряжения логического "0", 3 Отранзистор 4 будет закрыт, следовательно, закрыты транзисторы 5 и 7,так как в их базы не будет течь ток,а источник 8 опорного напряхения схе"мы или транзистор б формирует высокий 35уровень напряжения логической "1"на выходе схемы,Если на входы транзистора 1 поданвысокий уровень напряжения логической "1", то транзистор 4 током че Ореэ резистор 2 от источника 3 литания открывается и через него потечетток в базы транзисторов 5 и 7 и шунтирующий элемент 11, При этом процесс нарастания тока нагрузки отисточника 8 опорного напряжения через транзистор 7 повторяет процессроста тока через транзистор 5 доуровня тока задаваемого источником9, исключая ненормируемьте значениябросковых токов коммутации,Рост выходного тока через транзистор 7 прекращается, когда напряжение между коллектором и эмиттером транзистора 5 достигает величины, равной 20 рн, где 0 р - прямое 55напряжение на р-п-переходе, Нри этомограничивается базовый ток транэисто- .Ров 1 и 4, а следовательно, и транзисторов 5 и 7 за счет действия отрицательной обратной связи с базы тран- Щзистора 1 на коллектор транзистора 5,Таким образом, достигается стабилизация выходного тока,Высокое быстродействие схемы достигается за счет усиления базового тока транзистора 1 транзистором 4 и 9 разбеэ опасности насыщения транзистора4, работающего в активном режиме,При достижении уровня заданного токанагрузки выходной ток транзистора 4снижается до значения, обеспечивающего этот уровень в статическом режиме, При этом нагруэочный источник8 опорного напряжения формирует навыходе напряжение, превышающее О,что необходимо, с одной стороны, дляобеспечения активного режима работытранзистора 7, с другой стороны дляисключения токов через транзистор бпри напряжении на коллекторе тран-.зистора 5, равном 20 РОтсутствие насыщенных элементовобеспечивает схеме высокое быстродействие при обратном переходе на входес уровня логической "1" на уровеньлогического "0",Таким образом, ТТЛ-схема приобретает быстродействие ЭСЛ-схемы поинизком уровне потребления мощности,1, Интегральная логическая схема,содержащая входной многоэмиттерныйтранзистор, змиттеры которого подключены к входным шинам, база черезрезистор к положительной шине, аколлектор к базе первого транзистора парафаэного каскада, змиттер которого через резистор соединен сземляной шиной и с базой второготранзистора выходного каскада, эмиттер,. которого соединен с земляной шиной а коллектор подключен к эмиттерупервого транзистора выходного каскада и к выходной шине, о т л и ч аю щ а я с я тем, что, с целью стабилизации выходного тока при высокомбыстродействии и экономичности схемы, коллектор первого транзистора парафазного каскада подключен к положительной шине, а змиттер - к базе второго транзистора, змиттер которогосоединен с земляной шиной, а коллектор - с нагрузочным источникомтока, с базой первого транзисторавыходного каскада и катодом полупроводникового диода, анод которого подключен к базе выходного транзистора,2. Схема по п,1, о т л и ч а ю -щ а я с я тем, что вместо цепи, содержащей полупроводниковый диод, одиниэ змиттеров входного транзистораподключен к базе первого транаисторавыходного каскада,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССРВ 294253, кл, Н 03 К 19/00.2, Скарлетт Цж. ТТЛ-интегральныесхемы и их применение, М "Иирф,1974, с. 52, фиг, 313,860314 Составитель Г, ТихомироваКовальчук Техред М. Голинка Корректор Ю, Макаренк Реда Заказ 7573 4/5 лиал ППП "Патентф, г, ужгород, ул, Проек Тираж 988 ВНИИПИ Государственног по делам нзобретени 13035, Москва, Ж, РаушПодлис нкомитета ССи открытийская наб д