H01L 19/00 — H01L 19/00

Номер патента: 457237

Опубликовано: 15.01.1975

Автор: Гене

МПК: H01L 19/00

Метки: интегральная, схема

...выполнен из материала п-типа, имеющего удельное сопротивление от 0,1 до 5 ом/см и толщину 0,01 мм. Элементы цепи расположены в слое 5. Одним из элементов является транзистор 6, который содержит базу р-типа, область эмиттера 8 п-типа и область коллектора 9. Под областью коллектора 9 находится полость 10 пз материала и+- типа, которая может быть получена диффундированием в слой п соответствующих примесей. Наличие полости 10 компенсирует действие паразитного рир-типа транзистора, образуемого из части области 7 р-типа, слоя коллектора 5 п-типа и слоя 3 р+-типа. Резистор 11 образуется областью 1, имеющей регулируемые размеры и переменное содержание примесей, Полость 13 и+-типа может вхоЗаказ 504/18Ц 11 И Изд.1061 И Государственного по...

Номер патента: 473387

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Гиоргио, Никола, Франко

МПК: H01L 19/00

Метки: диодная, матрица

...образующий контакт, называемый поверхностно-барьерным.Металлический (золотой) слой 4 являетсядиодом, а цпжцяя плоскость полупроводниковой пластины - катодом. Диоды 5, характеризующиеся значительным быстродействием, соединены перемычкой 6 из металла с относительно большим удельным сопротивлением, например нихрома, с полосками металла 7, преимущественно золота, расположенными на слое 3 на верхней плоскости пластины 1. Полоски 7, перпендикулярные полупроводниковым полосам пластины, являются вертикальными проводниками матрицы. Кроме того, эти полоскп, прочно припаянные к пластине, удерживают полупроводниковые полосы вместе на определенном расстоянии одну от другой, что обеспечивается слоями нихрома 8 и никеля 9, ца которые нанесен...

Номер патента: 479180

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Ганин, Золотарев, Шамшеев

МПК: H01L 19/00

Метки: нейрокон

...зарядно-разрядных КС-контуров 5 и 6. Контур протягивания неиристорного импульса образован сопротивлением и собственной емкостью обратно смещенного р - и-перехода (слои 4 и 7). Контур формирования потенциальното рельефа изо бражения образован емкостью и сопротивлением участка фотопроводящего слоя 8, заключенного между слоем металлизации 9 и полулрозрачным электродом 10, и подсоединен параллельно одному из р - и-переходов дополни тельной транзисторной структуры, образованной слоями 3, 11, 12.Работает устройство следующим образом.При циклическом прохождении нейристорного импульса емкости 13 и 14 заряжаются до 15 напряжения Е источника питания. Параметрызарядно-разрядного КС-контура 5 выбираются таким образом, чтобы при очередном приходе...

Номер патента: 492951

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Деркач, Попов, Тимошенко, Фролов

МПК: H01L 19/00

Метки: аналоговая, задержки, зарядовой, линия, приборах, связью

...никовую пластину (на чертеже не пок на), стробирующий 1 и дозирующий 2 роды, электроды 3-8 переноса зарядаделенные от полупроводниковой пластины тонким слоем диэлектрика (на чертеже не показан), входную легированную область 9, источники тактовых импульсов 10, 11 и стробируюших импульсов 12.Входы 13 - 13 подключены к со 1, щ ответствующим входным цепям, имеющилсоответственно легированные области14 - 14, стробируюшие электроды 115 - 15, дозируюшие электроды1 т 16 - 161 П -1Устройство работает следующим образом,Если к легированной области 9 приложе -. но входное напряжение О, подаваемоевхпа вход 17, то в ней устанавливаетсяпотенциал ) . Под действием импульсавхЧ от источника тактовых импульсов 101потенциалы распределяются, как...

Номер патента: 517085

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Деркач, Рева, Торчинский, Фролов

МПК: H01L 19/00

Метки: буферный, каскад

...транзистор, эмиттер. оторого соединен с истоком МДП-транзистора, затвор МДП-транзистора соединен с базой биполярного.На фиг. 1 приведена электрическая схема предложенного каскада; на фиг. 2 - реализация этой схемы на полупроводниковой подложке.Буферный каскад содержит биполярный транзистор 1 и МДП-транзистор 2. Коллектором биполярного транзистора является полуйроводниковая подложка 3, например, и типа проводимости, базой 4 - область р типа, эмиттером 5 - область тт -типа проводимости, Исток 6 и сток 7 образованы областями М -типа, между которыми на слое окисла 8 расположен затвор 9.517088,фце ИПИ Заказ 952/166 Тираж дписн филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул, П я,Исток МДП-транзистора соединен с эмиттером биполярного транзистора и с...