Интегральная схема

(61) Дополнительное к авт. свид-ву й 571155 (22) Заявлено 120774 (21) 2045258/18-25 с присоединением заявки йо 51)М. Нл. Н 0127/О Государственный комитет СССР ио делам изобретений и открытийЯ 07088 ата опубликования описа 72) Авторы изобретения Р. Ж. ЕржановВ.Я. Кремлев, Г. И. Сторожени Ю, И, Щетинин(7) Заявиел 54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Изобретение относится к логическим интегральным схемам инжекционного типа и может быть применено при изготовлении больших интегральных, схем с высокой плотностью размещения компонентов на кристалле.Известны интегральные схемы инжекционного типа, содержащие гориэон тальные и вертикальные транзисторы дополнительного типа проводимости 1).,виболее близкой к предложенной интегральной схеме является интегральная схема инжекционного типа по основному авт. св. СССР М 571155 с горизонтальным и вертикальным транзисторами дополнительного типа проводимости и дополнительными инжектирующими областями, снабженными омическими контактами и расположенными между эмиттером горизонтального и базой вертикального транзисторов )2)Недостатком этой интегральной схемы является ограниченности ее функциональных возможностей, обуслов ленная использовацием каждой дополнительной инжектирующей области в качестве лишь одного логического вхо да и затруднениями, возникающими при объединении входов нескольких схем иэ-за сильного влияния разброса их входных характеристик (разброса параметров р-и-переходов междудополнительными инжектирующими областями и подложкой) на работу схем.Цель изобретения - расширениефункциональных возможностей интегральной схемы, т.е. увеличение числаее независимых логических входов(при том же количестве дополнительных инжектирующих областей) и обеспечение возможности непосредственного объединения схем по входам.указанная цель достигается раз мещением диодных структур в дополнительных инжектирующих областях интегральной схемы.На чертеже схематически показанапредложенная многовходовая логичес кая интегральная схема.Интегральная схема размещена накремниевой подложке, например р-типа проводимости и содержит горизонтальный токозадающий и-р-и-транзис тор с базовой областью 1, эмиттерной областью 2 и коллекторной областью 3; вертикальный переключательный р-и-р-транзистор с эмиттернойобластью 1, базовой областью 3, кол лекторной областью 4 и контактным587808 Я Яо 1 пит электродом 5, являющимся выходнымэлектродом схемы; дополнительныеинжектнрующие области 6 п-типа проводимостй, расположенные междуобластями 2 и 3 и имеющие диодныеструктуры (диоды Шоттки), анодамикоторых являются входные (например,алюминиевые), электроды 7, катодами - области б. Периферия областейБ для улучшения их инжектирующихсвойств может быть более легированной,чем участки, на которых размещены Одиодные структуры, например легированной в одном диффузионном процессес областью 2, Диодные структуры,образованные электродами 7 и областямн б, характеризуются малым (по 15сравнению с р-п-переходами) прямымпадением напряжения.Предложенная интегральная схемаработает следующим образом.Области 1 и 2 через контактные 2 Оэлектроды подключаются соответственнок общей шине и отрицательному полюсу источника питания (тока). Входныеэлектроды 7 подключаются к источникамсигналов, выходной электрод - к нагрузке. В качестве источников сигналов и нагрузки могут быть использованы такие же интегральные схемы,обычные инжекционные схемы и т.д.Работа описываемой интегральной схемы в значительной степени аналогична ЗОработе интегральной схемы-прототипа, но отличается тем, что диодныеструктуры с малым прямым падениемнапряжения, размещенные в пределахдополнительных инжектирующих областей б; образуют в контакте с,этойобластью диодные логические сборкии реализуют (дополнительно к общийс .прототипом логическим возможностям схема) в пределах каждой из областей 6 логическую функцию "Иф(функцию "ИЛИ" при противоположномспособе кодирования логических сос -тояний). Эти же диодные структурыЮ обеспечивают независимость всехлогических входов интегральных схеми возможность их непосредственногообъединения, так как в пределахкаждой области б электрод 7 оказывается разделенным двумя встречновключенными диодными структурамис односторонней проводимостью.Преимуществами предложенной интегральной логической схемы передсхемой-прототипом являются существенное расширение ее функциональных возможностей, увеличение числанезависимых логических входов,обеспечение возможности непосредственного объединения схем по входам,повышение быстродействия за счетуменьшения логических уровней на дополнительных инжектирующих областяхи уменьшения количества этих областей при том же числе входов, а такжеповышение нагрузочной способности,обусловленное большим коэффициентомусиления вертикального переключательного транзистора, не имеющегоконтактного электрода к базовойобласти.Предложеиная иитегральная схемаможет найти широкое применение вбольших интеГральных схемах калькуляторов, микропроцессов и другихлогических устройств.Формула изобретенияИнтегральная схема по авт.св. В 571155, о т л и ч а ю щ а я -с я тем, что, с целью расширенияФункциональных возможностей, в еедополнительных инжектирующих областях раэйещены диодные структуры.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент Франции В 2088338,кл. Н 01 . 19/ОО, И 03 К 19/ОО,опублик. 1971.2. Авторское свидетельство СССРУ 571155, кл. Н 0127/00, 1974. ВНИИПИ Заказ 5815/43Тираж 784 Подписное илиал ППП "Патент", Ужгород, ул. Проект