Интегральная микросхема

Номер патента: 661439

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Антонов, Дубовис, Чернышев

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, линейных, микросхем, параметров

...вход операционного усилителя 2 и через резистор 8 на вход операционного усилителя 3, соединенного выходом с резистором 9.,Операционный усилитель 2 устанавливает на инвертирующем входе на.пряжение ОН , где У - напряже-вх вхние генератора,Таким образом, на входе измеряемой микросхемы действует генераторнапряжения с выходным сопротивлением,равнымР/А,где Я - сопротивление резистора 5,А - коэффициент усиления первого операционного усилителя при разомкнутойООС, а так как А- оо, то обеспечивается условие для измерения коэффициента усиления К ц105- ссЯА 1где% - входное сопротивление ИМС.При подключении измерителей переменного напряжения (не показаны) к выходу ИМС и операционного усилителя 3,одновременно измеряют...

Номер патента: 1575832

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Казачонок, Колешко, Красницкий, Солодуха, Таратын, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят...

Номер патента: 1655252

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Лесникова, Малышев, Попов, Солодуха, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя алюминия или его сплавов на подложку со сформированными активными и пассивными элементами, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, проведение имплантации, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между элементами разводки, имплантацию проводят ионами меди перед созданием микрорисунка в нижнем уровне разводки с энергией 30-100 кэВ и дозой...

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 1552135

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Гура, Куфлевский, Макаренко

МПК: G01R 31/303

Метки: автоматизированной, гибридных, интегральных, микросхем, настройки, функциональной

...настройки может оказаться недостаточно, поскольку заложенная вЭВМ2 математическая модель (порядок и коэффициенты системы линейныхуравнений не может абсолютно точноописывать реальное устройство, поэтому, процесс моделирования настройкиповторяется до тех пор, пока не будетдостигнута удовлетворительная точность совпадения АЧХ (ФЧХ) ГИМС 2с расчетной,Для доказательства работоспособности контура моделирования настройки рассмотрим фиг,2 а, где изображенфрагмент принципиальной схемы ГИМС,содержащий подгоняемый резистор Ки подключаемый к нему канал моделирования настройки, условно показан"ный в виде преобразователя напряжение - ток с управляемой крутизнойпреобразования Б. Резистор.К ,. однозначно определяющий регулируемыйпараметр, может быть...