Патенты с меткой «фазы»

Номер патента: 1513949

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Гусев, Захаров, Костенков, Крашенинников, Усачев

МПК: C23C 16/00

Метки: осаждения, паровой, покрытий, фазы, химического

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ, содержащее горизонтальную камеру с размещенными в ней подложкодержателем, средствами ввода реагентов и отвода продуктов реакции, смонтированными соответственно в верхней и нижней частях камеры, нагреватель обрабатываемых изделий, привод поступательного перемещения подложкодержателя вдоль камеры относительно средств ввода реагентов и отвода продуктов реакции и привод вращения изделия, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности при нанесении покрытий на изделия цилиндрической формы, оно снабжено съемной рамкой с поперечными опорными дорожками, толкателем, смонтированным на направляющей, и кареткой, установленной в рамке с возможностью...

Номер патента: 1338451

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Гусев, Костенков, Крашенинников, Тюгина, Чапля

МПК: C23C 16/00

Метки: газовой, осаждения, паровой, покрытий, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ ГАЗОВОЙ (ПАРОВОЙ) ФАЗЫ на наружную поверхность цилиндрических изделий, содержащее горизонтальную цилиндрическую реакционную камеру, нагреватель изделия, подложкодержатель, патрубки для ввода исходного химсоединения и отвода продуктов реакции, расположенные соосно друг другу, и привод для вращения обрабатываемого изделия, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества покрытий и повышения эффективности процесса, оно снабжено ограничительной вставкой, установленной внутри реакционной камеры симметрично относительно патрубков и выполненной в виде двух кольцевых перегородок, жестко связанных радиальной перемычкой, расположенной под острым углом за вводным патрубком.2. Устройство по п.1,...

Номер патента: 606248

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Вайдуков, Кондратьев, Прилуцкий

МПК: B01D 43/00

Метки: вихревом, жидкостью, потоке, суспензии, твердой, фазы

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ СУСПЕНЗИИ ЖИДКОСТЬЮ В ВИХРЕВОМ ПОТОКЕ, включающий подачу промывной жидкости в вихревой поток суспензии и последующее разделение их на твердую и жидкую фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса, подачу промывной жидкости осуществляют тангенциально по направлению вращения вихревого потока суспензии.

Номер патента: 919382

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Григорьев, Домрачев, Костенков, Крашенинников, Щенников

МПК: C23C 16/54

Метки: газовой, покрытий, фазы

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающее станину, на которой расположены средства для крепления и герметизации изделия, узел подачи химического соединения в полость обрабатываемого изделия, нагреватель изделия и привод для перемещения нагревателя, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытия и производительности процесса, узел подачи химического соединения в локальную зону осаждения снабжен кронштейном и штангой, жестко связывающими нагреватель с узлом подачи, выполненным в виде термостатируемой питающей головки с отводным удлиненным патрубком на конце и тарельчатыми перегородками для ограничения зоны осаждения, между которыми выполнены питающие радиальные каналы и отверстия для отвода продуктов реакции в...

Номер патента: 1485851

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Кокорин, Розманов

МПК: G01V 3/12

Метки: амплитуды, радиосигнала, фазы

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ РАДИОСИГНАЛА, содержащее измерительный блок и ретранслятор, при этом измерительный блок содержит последовательно соединенные генератор низкой частоты, коммутатор-формирователь, первый переключатель, соединенный с приемопередающей антенной, а также содержит задающий генератор, усилитель мощности, приемник и амплитудно-фазовый измеритель, первый и второй входы которого подключены соответственно к первому выходу задающего генератора и выходу приемника, первый вход усилителя мощности соединен с вторым выходом задающего генератора, а второй вход соединен с вторым выходом коммутатора-формирователя, выход усилителя мощности соединен с вторым входом первого переключателя, ретранслятор содержит...

Номер патента: 1433210

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Кокорин, Лопардин, Розманов

МПК: G01S 3/10

Метки: сигнала, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФАЗЫ СИГНАЛА, содержащее последовательно соединенные антенну, приемник и ограничитель, последовательно соединенные эталонный генератор, первый элемент равнозначности, первый счетчик и цифровой процессор, последовательно соединенные второй элемент равнозначности и второй счетчик, выход которого подключен к второму входу цифрового процессора, генератор импульсов, выход которого подключен к счетным входам первого и второго счетчиков соответственно, второй выход эталонного генератора подключен к первому входу второго элемента равнозначности, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения фазы принимаемых сигналов, в него введены формирователь стробов, элемент совпадения и формирователь сброса, при...

Номер патента: 1556370

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Кокорин, Розманов

МПК: G01S 1/32, G01V 3/12

Метки: амплитуды, радиосигнала, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ РАДИОСИГНАЛА, содержащее измерительный блок, состоящий из последовательно соединенных первого генератора низкой частоты и первого коммутатора-формирователя, первый выход которого соединен с первым входом первого переключателя, выход которого соединен с первой приемопередающей антенной, первого задающего генератора, первого усилителя мощности, первого приемника и первого амплитудно-фазового измерителя, первый вход которого подключен к первому выходу первого задающего генератора, первый вход первого усилителя мощности соединен с вторым выходом первого коммутатора-формирователя, выход первого усилителя мощности соединен с вторым входом первого переключателя, второй выход которого соединен с первым...

Номер патента: 1484242

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Гулевич, Дубасов, Хоружий

МПК: H01F 27/00, H02H 7/00

Метки: автоматической, датчик, катушки, компенсацией, нормальной, отводом, реактивного, сверхпроводящей, середины, фазы

ДАТЧИК НОРМАЛЬНОЙ ФАЗЫ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ КАТУШКИ С ОТВОДОМ ОТ СЕРЕДИНЫ С АВТОМАТИЧЕСКОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ РЕАКТИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, содержащий два дифференциальных усилителя, неинвертирующие входы которых соединены с клеммой для подключения к средней точке сверхпроводящей катушки, а инвертирующие с клеммами для соединения с крайними ее выводами, сумматор, входы которого подключены к выходам дифференциальных усилителей, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и быстродействия датчика путем осуществления компенсации реактивного напряжения с высокой точностью, в него введены ключ, интегратор, компаратор, последовательная цепь из резисторов, блок ключей с N ключами, блок внешнего запуска, генератор тактовых импульсов, триггер, регистр...

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...

Номер патента: 1792214

Опубликовано: 27.11.1995

Автор: Цыганов

МПК: H02H 3/24, H02H 7/09

Метки: величины, замыкания, короткого, нагрузки, пропадания, трехфазной, фазы

...в записанной от инверторатрехфазной нагрузке и, как следствие, зэсчет возможности выявления обрывов, коротких замыкания, аварийного уменьшенияи увеличения тока трехфазной нагрузки,20 возможности контроля регистрирующимблоком времени установления тока в трехфазной нагрузке после включения. питанияи при переходных процессах, а также повышение технологичности за счет исключения25 трансформаторв,На фиг, 1 изображена структурная схема устройства для контроля пропадания фазы, короткого замыкания и величин токатрехфазной нагрузки; на фиг. 2 - пример30 реализации структурной схемы преобразующего блока,Устройство для контроля пропаданияфазы, короткого замыкания и величины токатрехфаэной нагрузки(фиг. 1) содержит трех 35 фазную нагрузку 1,...

Номер патента: 1447076

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Ещенко, Минаков

МПК: G01N 25/08

Метки: газовой, жидкометаллическом, обнаружения, теплоносителе, фазы

СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ЖИДКОМЕТАЛЛИЧЕСКОМ ТЕПЛОНОСИТЕЛЕ, включающий измерение переменной составляющей напряжения, отличающийся тем, что, с целью уменьшения инерционности и расширения области применения, переменную составляющую напряжения измеряют между электродом, введенным в теплоноситель, и заземленным электродом и по возрастанию амплитуды переменной составляющей напряжения судят о наличии газовой фазы.

Номер патента: 1334781

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Манжа, Патюков, Фишель

МПК: C30B 25/00

Метки: газовой, слоев, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающее реактор в виде горизонтальной трубы с отверстиями, равномерно расположенными на ее стенках, и установленные коаксиально реактору камеру подачи в него газовой смеси, снабженную патрубком, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения дефектности и разброса толщины осаждаемых слоев, реактор снабжен патрубком для дополнительного ввода газовой смеси, а отверстия выполнены в виде продольных прорезей, причем отношение площади прорезей к площади сечения камеры подачи равно 0,05 0,1.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отношение ширины прорези к расстоянию между краем пластины и внутренней стенкой реактора удовлетворяет выражению0,045

Номер патента: 1811217

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Кисель, Красницкий, Петрашкевич, Сахон, Турцевич, Шкуть

МПК: C23C 16/00

Метки: газовой, осаждения, пленок, фазы, химического

...паров воды и кислорода вреактор, возрастания неконтролируемогослоя двуокиси кремния и снижения качестваосаждаемых пленок нитрида кремния.При длине корпуса более 5 диаметровреактора не наблюдается дальнейшего улучшения качества осаждаемых пленок нитридакремния при увеличении габаритов установки.При высоте корпуса менее 2 диаметровреактора затруднена загрузка в реактор припомощи автоматизированных систем и обслуживание шлюзовой камеры.При высоте корпуса более 3 диаметровреакторов снижается эффективность затвораиз-за облегчения попадания паров воды икислорода в реакционное пространство и,следовательно, снижается качество нитридакремния, То, что шлюзовая камера выполнена высотой 2-3 диаметра реактора, позволяет...

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 1626591

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Боровинский, Давыдов

МПК: B01D 9/00, C01F 7/14

Метки: кристаллизации, растворов, твердой, фазы

...сил крупные включения суспензии отбрасываются к периферии и сползают по стенкам днища в его нижнюю часть, Далее они, двигаясь к устью эрлнфта, работающего при больших приведенных скоростях газа, подхватываются нм и выносятся в патрубок 9 выхода суспензии, Затем по трубопроводу 14 крупные включения суспензии вместе с другой частью суспензии, прошедшей обработку в теплообменнике 3, транспортируются в кристаллизатор 1 или в последующий кристаллизатор 2. Очищенная от крупных включений суспензия поднимается и, проходя по трубкам теплообменника 3, приобретает требуемую для технологического режима температуру. На выходе из трубок теплообменника суспензия смешивается в зоне патрубка 9 выхода с крупными включениями суспензии и...

Номер патента: 1665811

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Кокорин, Розманов, Харченко

МПК: G01V 3/12

Метки: амплитуды, радиосигнала, фазы

...счетчиков 25 и 28, которые подсчитывают количество импульсов, поступающих от генератора импульсов 32 через элемент совпадения 33. По окончании времени измерения 1, формируемого формирователем импульсов 34, элемент совпадения 33 закрывается, коды чисел К 1 и К 2, 1665811 10накопленные в счетчиках 25 и 28 соответственно, за измерительный цикл Ти(Тр) переписываются по сигналам управления от формирователя импульсов 34 в регистры 26 и 29 соответственно. По сигналам управления от блока 34 в вычислительный блок 31, в соответствии с блок-схемой алгоритма его работы (фиг, 6, 7), считывается измерительная информация последовательно с регистров 26, 29 (К 1, К 2). Счетчики 25 и 28 затем устанавливаются в исходное (нулевое) состояние сигналом от...

Номер патента: 1782139

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 21/265

Метки: виртуальной, заряда, областью, переносом, прибора, фазы

Способ изготовления прибора с переносом заряда с областью виртуальной фазы, включающий операции окисления и ионного легирования для создания ступенчатого профиля легирования подложки, нанесения проводящих слоев, фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости процессов легирования, после нанесения первого проводящего слоя ионное легирование примесью противоположного подложке типа проводимости осуществляют в три стадии, последовательно вскрывая в проводящем слое окна, равные размеру каждой ступеньки профиля легирования в виртуальной области, начиная с максимального легирования, после чего наносят второй проводящий слой, контактирующий с первым, вскрывают его над областью виртуальной...

Номер патента: 1774675

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Волочек, Гарибин, Гусев, Демиденко, Дунаев, Захаров, Зубанков, Миронов, Шаников, Ширяев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, газовой, заготовок, контейнер, поликристаллических, фазы

Контейнер для выращивания поликристаллических заготовок из газовой фазы, содержащий камеру испарения, размещенную над ней фильтрующую перегородку, установленную к ней вплотную пластину с отверстием, паропровод и крышку, на внутренней поверхности которой закреплен подложкодержатель, отличающийся тем, что, с целью повышения качества заготовок и уменьшения показателя ослабления в видимой области спектра, отношение площади отверстия в пластине к рабочей площади подложкодержателя в виде сменных вкладышей составляет 0,065-0,400.

Номер патента: 1736211

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов

МПК: C30B 23/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

1. Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы, включающее контейнер, установленные в нем кольцевую камеру испарения, снабженную фильтрующим элементом, и размещенную над ней камеру конденсации с подложкой, отличающееся тем, что, с целью получения композиционных слоистых структур на профильных подложках и повышения их оптического качества, между камерами испарения и конденсации установлен экран-ловушка с углублением, выполненным напротив внутреннего отверстия камеры испарения и имеющим диаметр, превышающий диаметр этого отверстия, и на дне камеры конденсации размещен подложкодержатель, наружный профиль которого соответствует профилю подложки.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода горных структур,...

Номер патента: 1805765

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Крестовникова, Мыльцева, Русович, Суворин, Трубникова, Щекочихина

МПК: G03C 1/005

Метки: выделения, галогенсеребряных, твердой, фазы, фотографических, эмульсий

...созревания эмульсию с размером микрокристаллов бромида серебра 0,7 мкм осаждают сульфонолом в сочетании с двухзамещенным фосфорнокислым калием в количествах 0,45 и 0,5 г/г желатины соответственно,Характеристики физических свойств эмульсии и фотографических свойств бром- серебряного материала, полученного с применением изготовленной эмульсии, приведены в табл. 2.Пример 11 (по прототипу). Змульсификацию ядерной эмульсии по прототипу проводят по аммиачному способу, В первый раствор, содержащий 0,7 желатины и 4,75галоидных солей, мгновенно одной порцией вводят раствор азотнокислого серебра. Объемная концентрация галогенида серебра в физическом созревании около 4. Общая продолжительность физического созревания 3,5 мин при 38 С,...

Номер патента: 1459431

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Басов, Кузнецов

МПК: G01N 23/06

Метки: жидкости, твердой, уровня, фазы

Устройство для контроля уровня твердой фазы в жидкости, содержащее два источника и два детектора гамма-излучения, расположенные на емкости с жидкой и твердой фазой, два пороговых устройства, первый выход первого порогового устройства через первый ключевой элемент соединен с первыми входами исполнительного механизма и сигнализатора, вторые входы которых через второй ключевой элемент соединены с первым выходом второго порогового устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности контроля, в него введены дополнительные источник и детектор гамма-излучения, расположенные на трубопроводе, подводящем жидкую фазу в емкость, две схемы сравнения и дополнительный ключевой элемент, причем...

Номер патента: 1596923

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Власов, Жданов, Малахов, Сидельников

МПК: G01N 30/56

Метки: внутреннюю, жидкой, каналов, колонки, нанесения, неподвижной, поверхность, поликапиллярной, фазы

Способ нанесения неподвижной жидкой фазы на внутреннюю поверхность каналов поликапиллярной колонки путем ее заполнения раствором неподвижной жидкой фазы в органическом растворителе с последующим удалением растворителя при повышенной температуре из каналов колонки, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности колонок, удаление растворителя осуществляют одновременно с подачей в каналы колонки с противоположного ее конца раствора неподвижной жидкой фазы.

Номер патента: 1147166

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Гарнов, Ефимов, Козлова, Малец, Новиков, Поспелова, Хрущ, Цветков

МПК: G03C 1/005

Метки: галогенсеребряных, отделения, твердой, фазы, фотографических, эмульсий

Способ отделения твердой фазы галогенсеребряных фотографических эмульсий путем сепарирования, промывки осадка и его выгрузки из сепаратора, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, перед сепарированием в эмульсию дополнительно вводят раствор желатины до концентрации 2,5 - 4 мас.%, сепарирование ведут под давлением в зоне осаждения осадка 40 - 55 кгс/см2, а выгрузку осадка из сепаратора производят под действием центробежных сил.

Номер патента: 1044121

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Андреева, Бахмутов, Крылов, Сундукова, Уварова

МПК: G03C 1/005

Метки: бромйодосеребряных, бромсеребряных, осадитель, синтезе, твердой, фазы, фотографических, химический, эмульсий

Применение соединения структурной формулы H(CF2)8COONH4 в качестве химического осадителя твердой фазы при синтезе бромсеребряных и бромиодосеребряных фотографических эмульсий.

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Номер патента: 984112

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Андреева, Венчаков, Пеклер, Филатов, Янов

МПК: B01D 7/02

Метки: алюминия, аппарат, кристаллизации, паровой, фазы, хлористого

Аппарат для кристаллизации хлористого алюминия из паровой фазы, содержащий герметичный корпус с установленным внутри него с возможностью вращения, по крайней мере, одним охлаждаемым изнутри барабаном, скребковым устройством для съема твердого продукта, выполненным в виде ножа, и сальниками, отличающийся тем, что, с целью уменьшения в готовом продукте содержания примесей хлоридов железа и титана, повышения производительности аппарата и получения готового продукта в виде однородных по размеру кристаллов, наружная поверхность барабана покрыта фторопластом.

Номер патента: 1748587

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Селявко, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: bi2sr2cacuocuo8путем, кристаллизации, расплава, фазы

Способ получения фазы Bi2Sr2CaCuO8- путем кристаллизации из расплава, включающий приготовление расплава необходимого состава, охлаждение до температуры кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных кристаллов, расплав приготавливают из шихты исходного состава Bi2Sr1,6+xCa1,4+xCuO8+ , где -0,1 x 0,1.

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 1369633

Опубликовано: 20.01.2006

Авторы: Мокрушина, Халеев

МПК: H02H 3/24

Метки: нагрузки, пропадания, трехфазной, фазы

Устройство для контроля пропадания фазы трехфазной нагрузки по авт. св. № 866636, отличающееся тем, что, с целью повышения точности контроля, оно снабжено ждущим мультивибратором, при этом вторичные обмотки входных пиковых трансформаторов тока подключены к входу преобразующего блока через ждущий мультивибратор.