Патенты с меткой «диэлектрика»

Номер патента: 1651245

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Бром, Гончаренко, Колотило, Рябченко

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектрика, заряженного, поверхности, потенциала

...При подаче на неподвижную пластину постоянного напряжениясмещения от источника с большим внуренним сопротивлением потенциалповерхности диэлектрика увеличиваетсяили уменьшается в зависимости от знака напряжения смещения. Соответственно увеличивается или уменьшается165125 тельно, при выполнении прежнего условия 1( Е Е1 напряжение смещенияравно потенциалу поверхности исследуемого образца. Благодаря тому, чтов процессе изменения исследуемый образец не подвергается воздействиюэлектрического поля, величина зарядадиэлектрика не искажается, что павы:шает точность измерения,Формула изобретения Составитель В,МаксименкоРедактор Н,Лазаренко Техред А.Кравчук Корректор Н.Ревская щЗаказ 1 б 05 Тираж 427 ПодписноеВНИИЛИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1684822

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Ларкина, Энгельшт

МПК: H01B 17/42, H01H 33/24

Метки: диэлектрика, ограничения, поверхности, разрядов, распространения

...накладка в виде трубки 3 на основе пьезокерамики иэ титацатцирконат-бария, которая надета ца пробирку 1 с воэможностью перемещения. Пробирка 1.заполнена водой, которая является вторым электродом, Электроды подключены к источнику высокого напряжения. В момент включения выс с с 1 вс льтцс 1 гсосточника переменного тос,;Составитель В,ГомзинТехред А.Кравчук Корректор А.Обручар Редактор О,Спесивых Заказ 3510 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва) Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород) ул. Гагарина, 101 и кВ) от кольцевого электрода 2 но поверхности пробирки распространялся стримерный разряд в виде отдельных токопроводящих...

Номер патента: 1697020

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Аксельрод, Щигловский

МПК: G01R 29/12

Метки: времени, диэлектрика, заряда, объемного, постоянной, релаксации

...постоянная времени т ЕоН 2т =теО(10) Величина те может быть определена как при возрастании иапрякенности поля у электрода, так и при убываии после замыкания между собой электродов.На чертеже приведено устройство, реализующее способ. и связи напряжения О с напряженностями полей в диэлектриках0 = Е 1 Н 1+ ЕН 2 (5) дает выражение для напряженности Е ао вспомогательном диэлектрике и, соответственно, на прилегающем электродеУстройство содержит исследуемый диэлектрик 1, плоско-параллельные электроды2 и 3, вспомогательный диэлектрик 4, переключатель 5, стабилизированный источник6 напряжения, датчик 7 напряженности 5электрического поля, выполненный в видеизолированного ат электрода 2 металлического электрода, вычислительный блок...

Номер патента: 1148306

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Болога, Бурштейн, Вайсбейн, Гэрбэлэу, Киоссе, Лозан, Филиппова

МПК: C07F 13/00, H01B 3/18

Метки: диэлектрика, качестве, марганца, тиосемикарбазиддиацетат

...заданной Формы и размера показали, чтодиэл)ктрические свойства этих веществ испытанных в виде орошков,ухудшились ( и 7 106 и о а 6 10 ф ОМХх см соответственно),Цель изобретения - создание новыхдиэлектриков с улучшенными свойствеми)Указанные свойства определяютсяструктурой нового химического соединения Формулыч 3 М 4Получают ФГО путем сливания ВОДОРастворимой соли мВРГанца с тио"семикарбдзиддиуксусной кислотой,Взятых В молярном соотношении)Полученные Вещества Фхдрактеризовены Физическими константами, Структура новых соединений устднпвленд ндосновании данных элементного анали-.10 за, ИК-спектроскопии и рентгенограФИческих исследований,Полный рентгеноструктурный анализИпЬ 4 НО (синтония моноклинндя,я Г 603 с10,038, Ь14,336,3943,...

Номер патента: 1737366

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Конев, Савич

МПК: G01R 27/26

Метки: анизотропии, диэлектрика, диэлектрической, проницаемости

...верхних частот 4 подключен к измерительному устройству 5. Волновод 1 соединен с генератором 6 с изменяющейся частотой,Устройство работает следующим образом, В волноводе 1 возбуждается основная гармоника Н 1 о с вектором электрического поля, параллельным узкой стенке, при отражении волны Н 10 в случае существования анизотропии в контролируемом образце имеет место изменение поляризации электрического поля в раскрыве волновода 1, в результате чего возникает отраженная гармоника Н 10, вектор электрического поля которой параллелен широкой стенке и1737366 оставитель Р,Кузнецоваехред М.Моргентал Корректор О,Кундрик актор Н.Коля каз 1888 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениями открытия113035, Москва, Ж, Раушская наб.,...

Номер патента: 1742862

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Андриянов, Магунов, Сухарев, Цацко

МПК: H01B 3/02

Метки: бескислородного, диэлектрика, термостабильного, тонкопленочного

...цель достигается тем, что в качестве термостабильного бес кислородного тонкопленочного диэлектрика применяют твердый раствор фторидов скандия и неодима, получаемый термическим испарением в вакууме,при следующем содержании компонентов, мас,; 40Фторид скандия 17,84-82,01Фторид неодима 17,99-82,16Пределы содержания компонентов в твердом растворе обусловлены тем, что при выходе содержания фторида неодима 15 за границы интервала не обеспечивается повышение величины удельного заряда.Сущность способа состоит в использовании термического испарения в вакууме композиции, содержащей фтори ды скандия и неодима, для получения термостабильного бескислородного тонко-. пленочного диэлектрика с высоким удельным зарядом,.55П р и м е р 1, Получение...

Номер патента: 1742867

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Анников, Богманов, Большак, Власюк, Резанов, Столяров

МПК: H01B 19/02

Метки: бумажно-пленочного, диэлектрика

...процесса изготовления материала, снизить его себе"стоимость за счет использования болеедешевых и доступных полиэтилена ирастворителей, исключить использование дополнительного технологическогооборудования, улучшить условия труда,защитить окружающую среду от вредныхвыбросов,1. Способ изготовления бумажно-пленоцного диэлектрика, при котором на бумагу наносят раствор синтетического полимера в органическом растворителе, отличающийся тем, что, с целью снижения себестоимости дизлект 171286 4Однако известные способы практи чески трудноосуществимы ввиду сложности, пожароопасности или токсицности.,Для улучшения кацества бумажныхдиэлектриков известен способ изготовления бумажного диэлектрика, комбинированного из бумаги и...

Номер патента: 1781847

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Волков, Горшков, Жугрин, Исаев, Казанцев, Калинычев, Харитонов

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрика, свч-энергией, технического

...фиг. 1.Устройство содержит СВЧ-генерэтор 1,имеющий вывод энергии в виде прямоугольного волновода стандартного поперечногосечения: переход 2 с этого волноводэ нажелобковый; волноводная линия в виде желобкового волновода 3; транспортная линия4 в виде рольганга с приводными звездоч ками 15 и с размещенными на ее роликах вторизонтальной плоскости поддонами б собрабатываемыми изделиями 7; боковыестенки волновода 5, в которых симметрично"относительно продольной оси 8 выполненыжелоба 9; металлическийА образный короб10; емкость с проточной водой 11; металлический поддон 12; вода 13; плоскость симметрии желобкбвого волновода 14,Устройство работает следующим образом.На рольганге 4 в горизонтальной плоскости транспортной линии размещают. вплотную...

Номер патента: 1783453

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гусельников, Кешин

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектрика, напряженности, объема, плоскости, поля, твердого, электрического

...электрода сни-вии импульсов деформации на один иэ двух мают и получают на экране осциллографа электродовполностью закрывающих торцы элекрический сигнал, характеризующий образца, между которыми расположен объраспределение электрического поля в диэ ект измерения; получении электрического лекгрике; определягбт-координату с иссле- сигнала на экране осциллографа и опредедуемой плбскости на шкала-времени ление координаты исследуемой плоскости осциллографа, используя формулу на шкале времени осциллографа, согласнох=Чс,:изобретению осуществляют компенсациюгде х - расстояние от торца образца, куда 30 электрического поля внутри образца в иссвходит импульс деформации и до исследуе-. ледуемой плоскости путем подачи постоянмой...

Номер патента: 1786693

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Киреев

МПК: H05F 3/02

Метки: движущейся, диэлектрика, нейтрализации, поверхности, статического, электричества

...большийток нейтрализации, при уменьшении абсолютной величины заряда на поверхности диэлектрика ток нейтрализации уменьшается.Устройство действует на однополярные заряды, для нейтрализации зарядов другой полярности требуется второе устройство, настроенное на нейтрализации зарядов противоположйого знака.Известны технйческие решения, в которых для нейтрализаЦии зарядов разных полярностей, используются отдельные устройства. Однако ни один из известных способов не обеспечивает подачу необходимого и достаточного по абс.величине потенциала на коронирующий электрод для полной нейтрализации поверхности.На фиг, 1 показана блок-схема источника питания; на фиг. 2 - схема действия разрядника.Обозначения на чертежах: СВ - сетевой выпрямитель; И -...

Номер патента: 1800489

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Горбунов, Ильин, Северюхина, Смышляева, Щупак

МПК: H01G 13/00

Метки: диэлектрика, конденсаторного, лакопленочного

...в течение 0,5 - 1,0 ми обеспечивает такую скорость испарения растворителя метиленхлорида, при которой образуется достаточно плотная структура пленки, и одновременно с этим не успевает образоваться кристаллическая структура, Поскольку подвижность молекулярной цепи40 45 50 Составитель Н,ОвсянниковаРедактор Т,Мельникова Техред М,Моргентал Корректор Н Гунько Заказ 1167 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 в аморфном состоянии выше, чем кристаллическом, при термообработке сдвоенных лаковых слоев удается достигнуть монолитизации за счет термообработки структуры при температуре...

Номер патента: 1825816

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Аранович, Космодемьянская, Щурова

МПК: C11D 1/72

Метки: диэлектрика, поверхности, состав

...эфиры синтетических первичных жирных спиртов фракции С 16-С 2 о (Синтанол АЦСЗ)Полиоксиэтиленгликолевые эфиры синтетических пе рвичных жирных спиртов фракции С 12-С 14 (Синтансл АЛО.10)Гексаметафосфат или триполифосфат натрияН атрие вое жидкое стеоВодаИзобретение иллюстрируется следующими примерами.П р и м е р 1. В дистиллированной водеготовят раствор смеси Синтанола АЦСЭ,Синтанола АЛМ, гексаметафосфата натрия и натриевого жидкого стекла с концентрациями, мас.: 0,15; 0,15; 0,45; 0,55соответственно, Приготовленный раствор, температуры 55"С. Установленные в кассету поликоровые подложки погружают в моющий раствор и обрабатцвают в течение 12мин с использованием вибрации.После обработки в моющем составеподложки промывают в токе...

Номер патента: 2003992

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Баталов, Гвоздев, Михайлов, Панкратов, Пожидаев, Саенко

МПК: G01N 27/22, G01R 27/04, G01R 27/26 ...

Метки: диэлектрика, параметров

...а вторая заканчивается меряемого материала определяется смещенисогласованнойнагрузкой,причемвыходге- ем центральной частоты, а потери - нератора качающейся частоты подключен к 50 измерением полосы частотной характеристипервойщелевойлиниинэчетвертьволновой ки по уровню 0,7. Измерения проводятся в длине от места закоротки, а во вторую щв- следующем порядке. При включении приболевуюлинию натой жедлинеотсогласован- ра производится начальная инициализация ной нагрузки включена цепь, состоящая из микропроцессора 7, при этом нэ входе ЦАП последовательно соединенных детектора и 55 11 устанавливается нулевое напряжение, а конденсатора, э также введены два посто- .на блоке 10 индикации индицируются нули, янно запоминающих устройства со...

Номер патента: 1417785

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Березкина, Желтовская, Ковалева, Скиргелло, Титов

МПК: B32B 27/08, H05K 3/00

Метки: диэлектрика, слоистого

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТОГО ДИЭЛЕКТРИКА, включающий соединение полиимидной пленки с пленкой из полиэтилена низкой плотности при повышенной температуре под давлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения электрической прочности, перед соединением полиимидную пленку выдерживают в водном растворе, содержащем азотную кислоту, уксусную кислоту и хлорное железо при следующем соотношении компонентов, мас.%:Азотная кислота 58 - 60Уксусная кислота 15 - 18Хлорное железо 4 - 5Вода Остальноепосле чего ее сушат при 200 - 300oС в течение не менее 2 ч, а соединение пленок выполняют при 170 - 240oС под давлением не менее 2 кгс/см2 в течение не менее 2 мин.

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1814818

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Володин, Мухамедшин, Тулеушев

МПК: C23C 18/16, C23C 18/30

Метки: диэлектрика, металлических, поверхности, покрытий, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА, включающий активацию его поверхности и осаждение металла покрытия из водного раствора его соли путем химического восстановления, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельной поверхности покрытия из благородных металлов, активацию ведут напылением островковых водородных геттеров из платины или палладия при давлении водорода не более 10-5 ПА, а осаждение из насыщенных водородом растворов.

Номер патента: 1493086

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Сахно

МПК: H05K 3/06

Метки: двусторонней, диэлектрика, заготовки, нанесения, печатной, платы, пленочного, поверхность, фольгированного, фоторезиста

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА ПОВЕРХНОСТЬ ЗАГОТОВКИ ДВУСТОРОННЕЙ ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ ИЗ ФОЛЬГИРОВАННОГО ДИЭЛЕКТРИКА, включающий нагрев заготовки и формирование слоев фоторезиста на обеих сторонах заготовки путем ламинирования, отличающийся тем, что, с целью повышения качества печатной платы за счет исключения ее коробления и локальных отслоений фольги, нагрев заготовки осуществляют путем приложения напряжения к слоям фольги, причем величину напряжения определяют из выражения:где т коэффициент теплоотдачи фольги, Вт/м

Номер патента: 1292605

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Гусев, Захваткина, Космодемьянская, Яковлева

МПК: H01L 21/306

Метки: диэлектрика, поверхности, состав

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА, содержащий поверхностно-активное вещество, производное фосфорной кислоты и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки ситалловых пластин, в качестве поверхностно-активного вещества применен алкилсульфонат натрия, в качестве производного фосфорной кислоты - гексаметафосфат натрия и дополнительно введена ортофосфорная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Алкилсульфонат натрия - 0,002 - 0,04Гексаметафосфат натрия - 0,025 - 0,15Ортофосфорная кислота - 0,05 - 0,10Вода - До 100

Номер патента: 1840166

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Егоркин, Емельянов

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрик, диэлектрика, многокомпонентный, переходной, слой, структура, —полупроводник

Структура многокомпонентный полупроводник - переходной слой диэлектрика - диэлектрик, содержащая в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры, химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15å 3.

Номер патента: 1753893

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Буляк, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/312

Метки: алюминия, диэлектрика, межслойного, микрорельефе, микрорисунка, слое, создания, сплавов

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...

Номер патента: 1667567

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Гранько, Солонинко, Турцевич, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, оплавления, планаризующего, степени, структура

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию ai=(1+k)·a i-1, aмакс

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Номер патента: 1233731

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·

Номер патента: 1225430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...

Номер патента: 1345967

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Беневоленский, Канищев, Костюченко, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, моп-приборов, подзатворного

Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния формируют толщиной (0,08-0,15)·10-6 м, на его поверхность наносят методом физического осаждения слой молибдена толщиной (0,07-0,3)·10-6 м и перед нанесением слоя фосфорно-силикатного стекла указанный слой молибдена стравливают.