Северюхина
Способ изготовления конденсатора с диэлектриком из полиимидной пленки
Номер патента: 1593488
Опубликовано: 10.05.1996
Авторы: Демиденко, Карманенко, Северюхина, Ткаченко
МПК: H01G 4/14
Метки: диэлектриком, конденсатора, пленки, полиимидной
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРА С ДИЭЛЕКТРИКОМ ИЗ ПОЛИИМИДНОЙ ПЛЕНКИ, включающий намотку секций и их термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур до 250oC, термообработку секций осуществляют при температуре 310 350oС в течение 4 6 ч.
Способ изготовления лакопленочного конденсаторного диэлектрика
Номер патента: 1800489
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Горбунов, Ильин, Северюхина, Смышляева, Щупак
МПК: H01G 13/00
Метки: диэлектрика, конденсаторного, лакопленочного
...в течение 0,5 - 1,0 ми обеспечивает такую скорость испарения растворителя метиленхлорида, при которой образуется достаточно плотная структура пленки, и одновременно с этим не успевает образоваться кристаллическая структура, Поскольку подвижность молекулярной цепи40 45 50 Составитель Н,ОвсянниковаРедактор Т,Мельникова Техред М,Моргентал Корректор Н Гунько Заказ 1167 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 в аморфном состоянии выше, чем кристаллическом, при термообработке сдвоенных лаковых слоев удается достигнуть монолитизации за счет термообработки структуры при температуре...
Способ изготовления микросхем
Номер патента: 1455399
Опубликовано: 30.01.1989
Авторы: Катина, Северюхина, Яремчук
МПК: H05K 3/00
Метки: микросхем
...формируют с помощью фотолитографии тонкопленочные резисторы из тантала (6), Далее подложку снова очищают в хромпике с последующей отмывкой де ионизованной водой, наносят вакуум 1455399Хромовый ангидрид,г/лСерная кислота,мп/л 450 50 наращивают антикоррозионный слой золота (Ъ) из фосфатного электролита,имеющего состав, г/л: Дицианоаурат .калия 10 Аммоний Фосфорнокислыйоднозамещенный 40 Аммоний фосфорнокислыйдвухзамещенныйНитрат таллия,при температуре 70 С и плотности то ка 2-3 мА/см толщиной 3 мкм, а затем травят хром в травителе следую,щего состава, г/л:Желеэосинеродистыйкалий . 250 Гидрат окиси калия 28 бО 0,01 ным напылением структуру хром-медьОмс ущ = 100 - + 153 и толщиной меди 0,910,2 мкм (Ь), создают фоторезис" тивную маскув виде...
Способ получения лакопленочного конденсаторного диэлектрика
Номер патента: 1035656
Опубликовано: 15.08.1983
Авторы: Ильин, Котова, Северюхина, Филатова
МПК: H01G 13/00
Метки: диэлектрика, конденсаторного, лакопленочного
...прототипу; на фиг.2то же, по предлагаемому способу.На фиг,1 и 2 обозначено: 1 - подложка, 2 - подслой, 3 - первый лаковыйслой, 4 - слой металла, 5 - второйлаковый слой, 6 - дополнительныйслойП р и м е р 1. На бумажную подложку с подсаоем из полиэтиленового воска наносят лаковый слой изтриацетата целлюлозы, толщина которого после сушки составляет 0,50,6 мкм, и на него слой поливинилбутираля толщиной 0,1 -0,2 мкм. Общая 60.толщина полученного слоя 0,7 мкм.Для получения растворов триацетатацеллюлозы и поливинилбутираля используют один и тот же растворительсмесь дихлорэтана и этилового спирта. 65 Изготавливают лакопленочный конденсаторный диэлектрик в виде рулонов, Поверхность лакового слоя одного из двух одинаковых рулонов металлизируется...
Конденсаторная секция
Номер патента: 624305
Опубликовано: 15.09.1978
Автор: Северюхина
МПК: H01G 4/30
Метки: конденсаторная, секция
...спирально намотанные сложенные по длине изоляционные ленты, на одну из которых нанесен металлический слой, а на другую, металлический спой с диэлектрическим покрытием и контактные выводы, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности и уменьшения тангенса угла диэлектрических потерь конденсатора, контактный вывод изоляционной ленты с металлическим слоем расположен на ее сгибе. Источники информации, принятые вовнимание нри экспертизе:1, Патент ФРГ.1229191,кл, 21 Д 10/02, 1972,2, Авторское свидетельство СССРМо 528622, кл, Н 01 ( 4/32, 1974.. Составитель П, Лягин Шубина Техред А. Алатырев Корректоловска дак 3 Тираж 960 Подписное Государственного комитета Совета Мипо делам изобретений и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская...