Патенты с меткой «дефектов»

Номер патента: 1120970

Опубликовано: 30.10.1984

Автор: Маракуша

МПК: A61B 17/00

Метки: дефектов, замещения, коленного, концов, костей, обширных, сустава, суставных

...из заднего отдела надколенника путем расщепления последнего нз две половины.Хрящевой компонент костно-хряшевого аутотрансплантата замешает хрящ, отсутствующий на мышелке сустава, а костный компонент заполняет поверхностный отдел костного дефекта. Дефект в метафизе большеберцовой кости, образовавшийся после иссечения трансплантата, замешают костным аллотрансплантатом.При наличии рубцового перерождения капсулы сустава, препятствующего сгибанию в нем конечности, производят парапателлярный разрез фиброзного листка капсулы сустава с противоположной стороны, что увеличивает амплитуду движений в суставе. 1 осле гемостаза операционную рану зашивают с оставлением в полости сустава резинового дренажа на 24 ч.Пример 1, Больная Г., 24 лет,...

Номер патента: 1120983

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Дьячков, Зевенко, Илизаров

МПК: A61B 17/56, A61B 17/66

Метки: дефектов, замещения, костей, черепа

...- снижение травматичности операции и предупреждение рассасывания аутотрансплантата.Цель достигается тем, что согласно способу замещения дефектов костей черепа путем формирования костного аутотрансплантата из наружной пластинки черепной кости и перемещения его в дефект костей черепа формируют аутотрансплантат в направлении тракции и с помощью компрессионнодистракционного аппарата дозированно перемещают его кнаружи, а затем в сторону дефекта до заполнения его костной тканью.Способ осуществляют следующим образом.В области дефекта производят разрез мягких тканей. От края костного дефекта формируют аутотрансплантат из наружной пластинки кости, сохраняющий связи с пароссальными тканями. Длина аутотрансплантата достигает 0,25 размера дефекта...

Номер патента: 1125516

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Лебедев, Тананаев

МПК: G01N 21/91

Метки: величины, дефектов

...а величину дефекта вычисляотпа ФормулеЬ И 1и 2 с 2 где 1, - объем дефекта;5 с, - площадь индикаторногоследа, дефекта;с 2 - площадь эталонного. индикаторного следа;объем дозированной порциипенетранта.Способ осуществляют следующимобразом.Изделие очищают от загрязнений,пропитывают с поверхности изделия,наносят сорбент и наблюдают за появлением индикаторных следов,Для получения эталонного индика 1 горного следа используют дозатормалых объемов, например мерный капилляр. Капилляр наполняют такимже пенетрантом, который использовался для обнаружения дефекта. Далеекапилляр устанавливают на поверхность сорбента и наблюдают за сорбцией, отмечая дозу пенетранта.Для сведения к минимуму погрешности при определении размеров дефектовиз-за...

Номер патента: 1125707

Опубликовано: 23.11.1984

Автор: Мазин

МПК: H02K 3/30

Метки: выявления, дефектов, изоляции, машин, низковольтных, обмоток, электрических

...после определения наличия дефектов в изоляции дополнительно обмотку заземляют на время,необходимое для снятия заряда, затемзаземление снимают и измеряют галь- .ваническую ЭДС между обмоткой и корпусом и по ее величине делают выводоб увлажнении изоляции.При увлажнении изоляции медь обмотки и железо, например, вала ротораили корпуса машины составляет гальванический элемент, в котором электролитом является вода, ЭДС такого элемента достигает нескольких десятыхдолей вольта, При сухой изоляции (приотсутствии электролитами гальваническая ЭДС не наблюдается.;На чертеже изображена схема измерения гальванической ЭДС обмотки ротора электрической машины.Способ выявления увлажнения изоляции обмоток электрической машины осуществляют...

Номер патента: 1126846

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Брик, Горбань, Корнич, Лущин, Швец

МПК: G01N 19/08

Метки: дефектов, соединении

...на ее поверхность пленки, заключающемуся в том, что вводят под пленку гаэ под давлением и определяют места вздутий пленки, по которым судят о наличии дефектов в соединении, используют атомарный гаэ, а введение его под пленку осуществляют диффузией.При этом в качестве атомарного газа используют водс род,Способ осуществляют следующим образом. На поверхность подложки наносят одним из известных способов металлическую пленку, Со стороны металлической пленки на соединение воздействуют под давлением атомарным водородом, который диффундирует по всей поверхности металлической пленки и проникает под нее на границу раздела металлической пленки с подложкой,Атомарный водород обладает повышенной проникающей способностью через поры металлических...

Номер патента: 1126966

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Никифоров, Щербаков

МПК: G06F 11/26

Метки: группе, дефектов, замены, кратных, обнаружения, типовых, элементов

...элемента ИЛИ, третийвход которого, соединен с выходомкнопки "Пуск", а выход - с вторымвходом триггера пуска,На фиг, 1 изображена схема устройства обнаружения кратных дефектовв группе типовых элементов замены;на Фиг. 2 - временная диаграмма(граф поиска).Устройство содержит типовые элементы 1 замены, генератор 2 тестов,реверсивный счетчик 3, первый,4.1 ивторой 4,2 элементы И, первый блок5 индикации, второй блок 6 индикаций,триггер 7 пуска, генератор 8 импульсов, элементы ИЛИ 9.1.и 9.2, кнопку10 "Сброс", кнопку 11 "Пуск", группусхем 12 сравнения, группу коммутаторов 13, группу переключателей .14,регистр 15, элемент НЕ-И 16, схему17 сравнения, параллельный накапливающий сумматор 18, блок 19 переключателей, состоящий из переключателей20 и...

Номер патента: 1127574

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Захаров, Литасова, Мешалкин

МПК: A61B 17/00, A61B 17/04

Метки: дефектов, пластики, септальных, сердца

...синтетической заплаты с последующей его фиксацией 11.Однако при вшивании этой заплты не достигается такой связи ее краев с краями септального дефекта, что не обеспечивает эффективной эндотелизации заплаты, а приводит к река нализ ации септального дефекта.Цель изобретения - предупреждение реканализации дефекта и повышение герметичности закрытия дефекта,Поставленная цель достигается тем, что согласно способу пластики септальных дефектов сердца с помощью вязаной синтетической заплаты с последующей ее фиксацией, край дефекта располагают между краями заплаты, имею 1 цей форму запонки и накладывают П-образные швы по краю заплаты вместе с краем дефекта.Способ осуществляют следующим образом.Операцию выполняют в условиях гипотермии тела (29 -...

Номер патента: 1128133

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Гичан, Крищюкайтис, Рамша

МПК: G01M 13/02

Метки: дефектов, кинематической, цепи

...возможно для локализации дефектов обеспечить поочередное отключение звеньев кинематической цепи кроме того, при поочередном отключении звеньев потребляемаямощность изменяется не только засчет мощности, потреблявшейся отключенным звеном, но и за счет мощности, передаваемой этим звеном(т,е. КПД звена) . Целью изобретения является повышение достоверности определения дефектов,Укаэанная цель достигается тем что согласно способу определения дефектов кинематической цепи, при водимой в движение электродвигателем, заключающемуся в том, что оп" ределяют потребляемую электродвигателем мощность холостого хода и по одному из параметров кинематической цени, сравниваемому с эталонным, судят о ее дефект;х, определяют спектр переменной составляющей...

Номер патента: 1128164

Опубликовано: 07.12.1984

Автор: Холкин

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, обнаружения, развивающихся

...И и регистратора, соединенный с выходами формирователей всех каналов и-входовый элемент ИЛИ и соединенный с выходом последнего 50 одновибратор, снабжено дифференцирующей цепью и В-триггером в каждом изканалов приема, информационный вход которого соединен с выходом соответствующего формирователя импульсов, 55 выход - с вторым входом элемента И,а параллельно соединенные входы синхронизации В-триггеров всех каналов1 подключены через дифференцирующуюпепь к выходу одновибратора.На чертеже представлена блок-схема устройства для обнаружения Развивающихся дефектов.Устройство содержит и каналов приема и регистрации сигналов акустической эмиссии, каждый из которых состоит из последовательно соединенныхэлектроакустического преобразователя1,...

Номер патента: 1130790

Опубликовано: 23.12.1984

Автор: Михайленко

МПК: G01N 27/60

Метки: дефектов, материалах, полимерных, электрогазодинамический

...диапазона глубины залега - ния регистрируемых дефектовПоставленная цель достигается тем, что в электро газодинамическом способе контроля дефектов в полимерных материалах, подверженных электризации, заключающемся в одновременной деформации изделия при .помощиимпульсов давления сжатого воздуха, сформированных в фиксированном зазоре между ударной трубой с расположенным соосно с ней потенциальным электродом и поверхностью полимер ного материала, и измерении .напряжения, индуцированного на потенциальном электроде, изделие перед измерением напряжения на пот.енциальном электроде подвергают дополнительной деформации импульсами давления вдиапазоне 1-8 кг/см, а измерениенапряжения на потенциальном электроде11307 20 3проводят не менеечем...

Номер патента: 1130899

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Тимошечкин

МПК: G11C 11/14

Метки: выявления, дефектов, доменах, интегральных, магнитных, схемах, цилиндрических

...их регистрацию осуществляют вотраженном свете. В частности, можно для облегчения регистрации наповерхность доменосодержащей пленки перед нанесением управляющих структур напылить отражающий слой и наблюдать домены со стороны нерабочей поверхности пленки . Если для перемагничивания доменосодержащей пленки используют импульсы магнитного поля с длительностью фронта менее 0,05 мкс, то на процессперемагничивания сказываются динамические эффекты. При этом минималь3 1130 ная амплитуда импульсного поля, при которой на данном центре зародышеобразования появляется домен с обратной намагниченностью, зависит от длительности фронта импульса. При5 длительности фронта импульса более 0,5 мкс на процесс перемагничивания сказывается...

Номер патента: 1132267

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Уродов, Фишер

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: дефектов, локальных, обнаружения, образцах, объемных, полупроводниковых

...в корпус Отбракованцых приборов без их вскрытия.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающий воздей. ствие на образец сфокусированного рентгенов. ского излучения, направленного в толщу об. разца, и контроль качества образца И.Недостатком этого способа является невоз. можцость осуществлять контроль локальпых объемных дефектов в полупроводниковых структурах и приборах.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей преимуществен- . но для контроля качества готовых полупроводн 5 псовь 5 х приборов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, обнаружения локальных объемных дефектов в...

Номер патента: 1133107

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Вязанкин, Жигалев, Лукоянов, Маврин, Райдун, Топильский

МПК: B28B 21/94, E04G 23/02

Метки: дефектов, ликвидации, трубчатых

...достигается тем, что в устройстве для ликвидации дефектов трубчатых изделий, содержащем станину, шарнирно соединенную с гидроцилиндром, на штоке которого закреплено нагнетательное приспособ ление для подачи рабочего агента с герметизирующим приспособлением, станина сиабжена подвижной вдоль про дольной оси трубы рамой с траверсой, на которой шарнирно подвешен гидро- цилиндр, гибкими замкнутыми элементами, обхватывающими трубу в нижней части с одной стороны и траверсу с другой.На фиг.1 изображена установка, вид сбоку; на фиг.2 - торец установ ки.Устройство содержит станину 1, вдоль которой проложен рельс 2. На рельсе 2 посредством опорных катков 3 и 4 смонтирована вертикальная рама 5 с траверсой б. К траверсе 6 посредством шарнира 7...

Номер патента: 1135428

Опубликовано: 15.01.1985

Автор: Клаус

МПК: B21B 15/00, B21C 51/00

Метки: быстродвижущихся, дефектов, листов, маркировки, поверхности, полос

...;тгкоРЯСПОЛОж(н Ма)КИРОВОЧНЬГИ:ЪО -: 3(ИГаКИ 7, МЗоцГГ ОГИбРО; . Р И " ЬОЛЕ В ВИДЕго;,К; -ОТМЕ Ттс(, Па ЗЕРНО 0 ЛУЧаСОДЕРжи ЛаасгО ГОЛОВ.(У 10, у,.т 1 ,. Оанл"НЯ и злектроннтгОО(,О.т ., ЬОЗ г;ГЬ ИС ОЧЬИКОМСЗЕ .ЬОГг ЛУИЗ ЦМтУЛЬС аРГаВЛЯЮТ ,то ".;,Ег Г ТЬ(,г аЗРРНОИ ГОЛОВКИ 1 Г На пстлосу 1 и пгт.тзвоцят ее маркировку а ОСНОВа.С;ССТУП 31 Я ИЗ КОНтро:Гг тОЦИ( бгОт(г;В т З ИНООРМ аьтИ г На 1 Г,-.От в ру он;ага и 30(ожДРН 3 г .ЛО-ы через бло- Э- т Оа Р:ГТ. Я На ЗОЬ С ПОМОЦЬОСХ(ИЗт: опанОГО Со СКОР "тгТЬОгистр 17 и 18 - об Обнаруженных в блоке 5 отклонениях толщины полосы.За счет сдвигающего импульса в каждом передтцтжцом регистре с 15 по 18 ячейка памяти в зоне 2 по 2 пе1 16 редвигается в конце передвижных регистров с 15 по 18....

Номер патента: 1136191

Опубликовано: 23.01.1985

Автор: Дубицкий

МПК: G06K 9/36

Метки: дефектов, изображений, объектов, распознавания

...детектор 5, группудетекторов б и 7, селекторы 8 и 9,блок 10 памяти, группы 11 и 12 эле- .ментов ИЛИ, блок 13 памяти, счетчики14 и 15 группу 1 б элементов ИЛИ,григгер 17, элемент НЕ 18, группы19 и 20 элементов И, группу 21элементов ИЛИ, распределитель 22 импульсов и блок 23 регистрации,Селектор 9 (Фиг. 2) состоит иэчетырех формирователей 24 - 27 последовательности видеосигналов, элементовИЛИ 28 и 29 и элементов И 30 и 31. Приэтом каждый из формирователей 24-27состоит из группы 32 элементов задержки насторону и на элемент 33разложения в строке и предназначендля формирования электронного окнав форме круга,Устройство работает следующим образом.Дефекты типа "разрыв" и "закороткаф в изображении контролируемой топологии обнаруживаются...

Номер патента: 1138142

Опубликовано: 07.02.1985

Автор: Сушко

МПК: A61B 17/56, A61B 17/66

Метки: дефектов, дистракционно-пластического, замещения, костной, ткани

...П-образных эластических, гибких тяг (пунктиром указано изменение положения и конфигурации П-образных тяг).Способ осуществляется следующим образом.Операция производится в положении больного лежа на спине. После обработки операционного поля через проксимальный 1 и дистальный 2 отломки проводятся перекре щивающиеся спицы 3, закрепляемые во внешних опорах компрессионно-дистракционного аппарата, Через дистальный конец проксимального отломка проводится гибкий шнур, например многожильный тросик, диаметром 1 мм. Но так как тросик не обладает жесткостью, необходимой для просверливания кости, то он вводится по спицевому каналу, Спица используется в качестве проводника. После того, как оба конца гибкого шнура выведены через кость с выходом на...

Номер патента: 1138679

Опубликовано: 07.02.1985

Автор: Сергеев

МПК: G01M 7/00

Метки: действия, дефектов, диагностики, машин, механизмов, циклического

...преобразователь 1, подключеннный к усилителю 2, многоканальный блок 3 формирования интегральных оценок, каждый канал которого состоит из последовательно соединенных стробатора 4 и накопителя 5, подключенный к регистрирующему блоку 6, и последовательно соединенные преобразователь 7 углового положения, синхронизатор 8, умножитель 9 частоты, одновибратор 10 и коммутатор 11, второй вход которого соединен с выходом синхронизатора 8, а каждый выход коммутатора 11 подключен,к входу соот3 113867 ъетстнующего канала блока 3 Формирования интегральных оценок, блок 12 вычитания, два аттенюатора 13 и 14, неинвертирующий вход блока 12 вычитания подключен к выходу усилителя 2, инвертирующий вход через второй аттенюатор 14 подключен к выходу...

Номер патента: 1138732

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гуров, Слюсаренко, Таран, Трахтенберг

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, поверхностных, ультразвукового

...и отражается от дефектов, и определяют дефектность материала по параметрам отраженной волны 11,15Недостатком данного способа является невозможность контроля поверхностных дефектов иэ-за наличия сигнала от поверхности изделия,Наиболее близким к изобретению потехнической сущности и достигаемомурезультату является способ ультразвукового контроля поверхностных дефектов иэделий, заключающийся в том,что контролируемое изделие погружаютв иммерсионную жидкость, возбуждаютв нем пбверхностную волну ирегистрируют сигналы, рассеянные дефектом Г 23.Недостатком известного способаявляется низкая надежность контролякрупнозернистых материалов из-за высокого уровня структурных помех.Целью изобретения является повышение надежности контроля.Эта цель...

Номер патента: 852102

Опубликовано: 23.02.1985

Автор: Суворов

МПК: H01J 37/285

Метки: автоинномикроскопического, анализа, дефектов, металлах, точечных

...в двумерном случае связями атомов в самой верхней плоскости. Связь атомов характеризуется их атомным окружением, а именно числом ближайшим соседних атомов (соседей) в , И, числом соседей, вторых по удаленности - Н 2 и т.п., при этом сила связимежду атомами быстро убывает с увеличением между ними расстояния (для приближения оценок можно положить это убывание пропорциональным шестой степени расстояния),Для конфигурации, изображенной на фиг. 1, наименьшей энергией связи обладают атомы, обозначенные индексами А, иэ них слабее всего связаны атомы А- тип Связи 2,1.1,1. (числа Б, И, Б 5, И 4, И), немного лучше - атомы А"2 (2. 1.1.2,1) и т.д.852102 Энергия связи атома определяет неко-торое среднее время его устойчивого присутсвия на поверхности...

Номер патента: 1141330

Опубликовано: 23.02.1985

Автор: Михайленко

МПК: G01N 27/61

Метки: дефектов, локальных, покрытиях, полимерных

...дефекта Г 2 .Недостаток известного способа заключается в том, что возможно появление помех, искажающих форму детектированного сигнала, что приводит к. снижению достоверности полученногорезультата.Целью изобретения является повы, 50шение достоверности обнаружения дефекта.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу определения локальных дефектов в покрытиях 55из полимерных материалов, заключающемуся в том, что поверхность покрытия исследуемого образца электризуют затем воздействуют на нее пульсирующим газовым потоком, выделяют собственные колебания поверхности в зоне залегания дефекта, детектируют сигнал и по его форме определяют дефект, поверхность покрытия электризуют трением, воздействуют на нее радиально...

Номер патента: 1146599

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Захаров, Казаков, Тимошенков

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, диаметра, сферических, цилиндрических

...что согласно способу определения диаметра сферических и цилиндрических дефектов, заключающемуся в излу- Ы ,чении сдвиговой ультразвуковой волны в направлении дефекта, приеме отраженных от дефекта и двукратно99 3трансформированных на его поверхности импульсов, по параметрам которыхопределяют диаметр дефекта, измеряют частотный интервал д Г между дву"мя однозначными локальными экстремумами огибающей суммарного спектрапринятых сигналов, а диметр д де"фекта определяют из соотношения)И . -- +1Я2 Сгде С - скорость распространениясдвиговых ультразвуковыхволн в контролируемом материале, М/с,Сн - скорость распространениярелеевских ультразвуковыхволн в контролируемом материале, м/с,й 1 - измеренный частотный интервал, Гц.Сущность способа...

Номер патента: 630983

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Амазасиян, Горюнов, Саркисян

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, поверхности, полупроводниковых, приборов

...прибор 10, видеоусилитель 11сигнала Фотоответа,Устройство работает следующимобразом. Поляризованный свет от источника 1 направляется через электрооптическую ячейку 2 на сканирующее устройство 3. Последний формирует растр, который расщепителем 4светового луча расщепляется на двечасти: растр видеолуча и растр зондирующего луча. Первый из них проходит через поляризатор 5 и объективом 7 проецируется на экран 9,а второй - растр зондирующего лучаобъективом 8 фокусируется на поверхность исследуемого образца (поляризатор 6 не используется). Сигналфотоответа усиливается электроннымусилителем 11 и подается на электрооптическую ячейку, которая с поляризатором 5 составляет модуляторинтенсивности видеолуча. На экране9 Формируется...

Номер патента: 1147936

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Дроздов, Соломонов

МПК: G01M 3/24, G01N 29/04

Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, пленках

...тем, что согласно способу обнаружения дефектов вдиэлектрических пленках, заключающе-,муся в том, что контролируемую пленку размещают между двумя электродами,подают на электроды напряжение ирегистрируют дефект пленки, передразмещением пленки между электрода- .ми на одном из них размещают слой, 55гигроскопичного материала, смоченного диэлектрической жидкостью, пода"ют на них напряжена в виде однопо 936 3пярных импульсов звуковой частоты самплитудой, выбираемой из условиясохранения диэлектрических свойствпленки, и регистрируют дефект позвуковым колебаниям, генерируемымпленкой.Способ осуществляется следующимобразом,Контролируемую диэлектрическуюпленку размещают между двумя электродами, в качестве одного нз которыхиспользуется плоский...

Номер патента: 1148690

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Алексеев, Фаличева

МПК: B22C 3/00

Метки: дефектов, исправления, масса, отливок

...масса готова для нанесения на исправляемые металлические поверхности. Рабочий раствор массы полностью отверждается через 24 ч.Для проведения сравнительных испытаний известной и предлагаемой массы в лабораторных условиях изготовлялись образцы методом свободной заливки в формы открытого тина. Испытания по определению предела прочнос.ти на сжатие проводились ца цилинд,рических образцах 30 мм согласно ГОСТ 4651-78, на удельную ударную вязкость согласно ГОСТ 4647-80, на твердость по ГОСТ 4640-76. Водопоглощение испытуемых масс. для исправления дефектов, химическую стойкость их в агрессивных средах определялись согласно ГОСТ 4650-80 и ГОСТ 12020-72 погружением образцов диаметромФ 30 мм, толщиной 5 мм на определенный период в...

Номер патента: 1149968

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Гудушаури, Чхатарашвили

МПК: A61F 1/00

Метки: дефектов, длинных, замещения, костей, трубчатых, эндопротез

...на фиг.Зцилиндрический корпус с резьбовым З 5хвостовиком и посадочным гнездом;на фиг.4 - сечение А-А на фиг,З;на фиг,5 - резьбовой стержень с конусообразным выступом.Эндопротез содержит цилиндрический корпус 1 с резьбовым хвостовиком 2 и элемент фиксации в виде резьбового стержня 3 с конусообразнымвыступом 4, на котором имеется отверстие 5 для фиксирующего штифта б.На корпусе 1 имеется посадочноегнездо 7 для соединения с соответствующим конусообразным выступом 4,В корпусе 1 также выполнена отверстие8, соответствующее отверстию 5 выступа 4, 50На стержне 3 на внутренней торцовой поверхности создан паз для размещения отвертки. Внутри посадочногогнезда 7 также создан аналогичный паз, Резьба на хвостовике 2 и стержне 3 выполнена...

Номер патента: 1151871

Опубликовано: 23.04.1985

Автор: Строганов

МПК: G01J 1/00, G01N 21/59

Метки: дефектов, обнаружения

...необходимостью регистрации малых полезных сигналов (лоиолнимежду дополнительным и Фоновым откликами.В предложенном способе периодическое движение сфокусированного луча (фокальной области) с постоянной частотой, совпадающей с частотой селективного усиления сигнала системой селективного усиления и регистрации, приводит к возникновению постоянного Фонового сигнала (не менявшегося во .времени, фиг.З).При наличии дефекта в кристалле периодическое пересечение этого деФекта сфокусированным лучом приводит к появлению периодического во времени полезного отклика (дополнительного отклика), т.е. меняющегося во времени с частотой, равной частоте вращения перетяжки луча, Общая картина в этом случае - постоянный Фоновый отклик плюс переменный...

Номер патента: 1153816

Опубликовано: 30.04.1985

Автор: Стефен

МПК: B23K 7/06

Метки: выборочной, дефектов, заготовки, зачистки, металлической, огневой, отдельных, поверхности, резака, сопло

...отдельных дефектовна поверхности металлической загс- ЗОтовки с двумя параллельными основаниями и двумя боковыми стенками одно из оснований выполнено с двумякрайними участками, наклоненнымик основанию, а в боковых стенках вы. З 5полнены выпускные щели, при этомотношение длины крайних наклонныхучастков к расстоянию между основаниями составляет 2:1-10; 1, а угопнаклона крайних участков к этому ос Онованию составляет 5-30оНа Фиг.1 изображены блок сопел,расположенных в ряд, и обрабатываемая заготовка; на Фиг.2 - сопларезаков, вид спереди; на Фиг,3, 4 45и 5 - варианты выполнения выходного 16 3сечения сопла; на Фиг. 6 - схематичное изображение обрабатываемой заготовки и блока сопел (вид сверху)Щелевое сопло (фиг. 1 и 2) содержит верхний 1 и...

Номер патента: 1155934

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Калабин, Ланцова, Пьянков, Ушахин

МПК: G01N 29/04

Метки: автоматической, дефектов, сигнализации

...входу схемы И 3, амплитудного селектора 7,входы последнего и инвертора 6 предназначены для подключения к выходудефектоскопа, и блока 8 запирания,вторым входом подключенного к выходупервого блока 1 формирования импульса запуска, выход блока 8 запирания соединен с входом второго блока5 формирования импульса запуска ичетвертым входом схемы И 3, выходамплитудного селектора 7 соединен свторыми входами первого и второго 30блоков 1 и 5 формирования импульсовзапуска,Блоки 1 и 5 формирования импульсов запуска и блок 8 запирания состоят из линии задержки, выполненной 5в виде ЙВ-триггера, и последовательно включенного одновибратора, вы -полненного в виде КБ-триггера.Блок 8 запирания в отличие отблоков 1 и 5 формирования импульсов 40запуска...

Номер патента: 1156664

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Кешелава, Кузнецов, Ольшанский

МПК: A61B 17/00, A61B 17/24

Метки: глотки, дефектов, ушивания

...- повышение герметичности и предупреждение несостоятельности шва,Способ осуществляют следующим образом.Выполняют ларингэктомию или мобилизуют ранее наложенную фарингостому, в результате чего образуется продольный дефект глотки, Ушивание дефекта осуществляют атравматической иглой с синтетической нитью 4/О или 5/О непрерывным однорядным швом следуюгцим образом,Придерживая пинцетом край мышечного слоя глотки с одной стороны у нижнего края дефекта, вкалывают иглу со стороны просвета г. отки, подхватывают край слизистой оболочки. не прокалывая ее насквозь. Затем, не выкалывая иглы, проводят ее в толщу подслизистого слоя на длину 2 - 2,5 мм. Выкол иглы производят в сторону просвета глотки, подхватывают край слизистой оболочки, не прокалывая...

Номер патента: 1157420

Опубликовано: 23.05.1985

Автор: Сумин

МПК: G01N 21/91

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных

...изделия и визу ально-оптического контроля 23,Недостатком известного способа является ограниченность его технологич ческих возможностей контролем только 55 сквозных трещин в непористых материалах и только по горизонтальным поверхностям изделий. 20 2Цель изобретения - обнаружение дефектов в пористых материалах иупрощение способа.Укаэанная цель достигается тем,что согласно способу обнаружения поверхностньм. дефектов путем нанесения на изделие пенетранта, нагрева его и визуально-оптического контроля, в качестве пенетранта используют парафин который нагревают до расплавления, выдерживают в нем изделие и, вынув, охлаждают изделие до застывания пенетранта, а о дефектах. судят по наличию белых линий или участков с мато" вым оттенком.П р...