Патенты с меткой «дефектов»

Номер патента: 1810816

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Ляшко, Потемкин, Смагленко

МПК: G01N 29/14

Метки: дефектов, изделиях, обнаружения

...и активизацию источников акустического сигнала,Возникающие при этом акустические сигналы через пьезопреобразователь 1 и усилитель 2 поступают на вход анализатора амплитуд 3. Однако регистрации амплитудного распределения не происходит, т.к. реле времени выключено и вход анализатора амплитуд 3 заблокирован.Включают реле времени 12. При этом оно разблокирует вход анализатора амплитуд 3 на заданный промежуток времени, в течение которого осуществляется регистрация амплитудного распределения акустических сигналов. После завершения регистрации первое амплитудное распределение поступает на регистратор 4, До тех пор, пока в процессе электролитического травления продолжается деформация изделия М, величина этой деформации регистрируется блоком...

Номер патента: 1816420

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Дуплищев, Меркулов, Федоров

МПК: A61B 3/12

Метки: глаза, дефектов, наблюдения, сетчатки

...проходящей через ее середину, параллельно большей стороне прямоугольника, ось подвижной шторки 3 перпендикулярна потоку света. В вертикальном положении она полностью перекрывает световой поток, а в горизонтальном - не препятствует его прохождению. Узел 4 передачи вращения подвижной шторке 3 состоит из малого шкива, продолжение оси которого является. осью подвижной шторки 3 и большего шкива, соединенного с малым шкивом ременной передачей, большой шкив приводится в движение вручную с помощью рукоятки. Экран 6 выполнен из молочного стекла.Устройство работает следующим образом.Включают источник 2 света, пациент начинает плавно вращать большой шкив узла 4 передачи вращения, увеличивая скорость вращения до появления на экране 6 четкого...

Номер патента: 1822752

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Лапченко

МПК: A61B 17/00

Метки: внутриполостных, дефектов, закрытия, органов, раневых, шеи

...завершении операции к возникновению дефекта слизистой оболочки последний замещается деэпителизированным кожным лоскутом,Для этого из кожи, непосредственно прилежащей к краю раневого дефекта, планируется и выкраивается кожный лоскут, соответствующий по своей площади раневому дефекту слизистой оболочки. Лоскут имеет 5 Ц, 1822752 основание (питающую ножку) по периферическому его краю (рис, М 1).Для придания лоскуту необходимой мобильности он отсекается двумя параллельными кожными разрезами от прилегающих с боков кожных поверхностей, Затем периферический отдел лоскута, граничащий с операционной раной, расщепляется и собственно эпидермальный слой кожи отсека- д ется от дермального слоя и удаляется,ф) Дермальный кожный лоскут на питающей)...

Номер патента: 1822766

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Лапченко

МПК: A61F 11/00

Метки: восстановления, дефектов, краевых, обширных, раковины, ушной

...области формируют кожный лоскут, соответствующий величине дефекта ушной раковины, который сдвигают кзади и собирают в складку, а образовавшийся раневой дефект закрывают лоскутом иэ кожи эвушной области и задней поверхности редуцированной ушной раковины. Преимущество предложения - в улучшении функциональных результатов. и задней поверхности ушной раковины, при эт ой, частично редуцирова раковины фиксируется хр гутом к мягким тканям эПосле приживления кожного лоскута в ф заушной области образуется свободная от ЬЭ волос кожная площадка, являющаяся про- М должением наружной поверхности ушной с раковины, что формирует свободную от во- ( лос кожную, наружную поверхность ушной раковины,Вторым этапом (через 4-6 мес). подсадкой хрящевого...

Номер патента: 1827597

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Волкова, Зендриков, Луппова, Ребане, Седов, Штительман, Юрцев

МПК: G01M 3/06, G01N 21/88

Метки: дефектов, поверхности, уплотнителей, эластомерных

...поверхности эласто мерных уплотнителей осуществляется следу- (Лющим образом (фиг. 2). Устройство устанав-, зО ливается на участок поверхности контроли-руемого зластомерного уплотнителя б с ее.роятним наличием дефекта таким образом, чтобыоптический цилиндр 2 опирался своейа плоскостью на его поверхнсть, а при проведении испытаний несдеформированный участок эластомерного уплотнителя свободно проходил сквозь пазы 11 втулки 8. Перемещением механизма деформирования 5 участок поверхности контролируемого эластомерного уплотнителя 6 сжимается на ве 1827597личину рабочей деформации, т.е, до полного контакта опорного торца 9 втулки 8 со свободной металлической поверхностью места установки 10, С помощью микроскопа 3, установленного в корпусе 1,...

Номер патента: 1828483

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бакулин, Максимов

МПК: E04F 21/16

Метки: дефектов, заполнения, конструкциях, пустот, трещин

...и нагнетают вяжущее на частоте собственных колебаний вяжущего. Выбор частоты воздействия обусловлен структурными особенностями материала, например,.размеры включений составляют в материале от 8 до 32 мм. Для того, чтобы привести материал в возбужденное состояние необходимо. чтобы длины волн были равны или меньше размеров неоднородностей, слагающих материал (И.И.Исакович "Теория колебаний". - М,: Наука, 1977). При Этом условии волна взаимодействует с неоднородностью. и относительно легко привести локальный участок конструкции в возбужденное состояние. Для волн в выбранном диапазоне частот при скорости Р-волн в материале конструкции равны;на частоте 150 кГц=(5000 м/с) (150000 Гц) -3,3 смна частоте 600 кГц=8 ммто есть выбранный...

Номер патента: 1387658

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Гребенников, Проскурня, Прохоров

МПК: G01N 29/08

Метки: дефектов, координат

...амплитуды его эхо-сигнала вклвочается эадатчик 19 дефекта. Со следующего тактового импульса отключается задающий генератор дефектоскопа 2 (Фиг. 3, эпира 1, момент времени о ). При этом содержимое измерителя временных интервалов дефектоскопа 2 (не показан) заносится в оперативную память вычислителя 20 (Фиг. 3, эпюра,З, интервал С -1 ). В следующем такте устройство включает распределитель 18 импульсов(фцг, 3, зпюра 4, момеит ,). На его первом выходе вырабатываются импульсы запуска (фиг. 3, эпюра 5), посту" паищие ца вход генератора 5, а также через элемент 16 ИЛИ ца входы запуска измерителей 15 времеццых ицтервалон трех приемно-цзмерцтельцых каналов 10-12 (фиг. 3, эпюра 7), Первый генератор 5 по импульсу сннхрониэа" ции вырабатывает...

Номер патента: 1835073

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Шоков, Юллинен

МПК: G01N 29/10

Метки: автоматический, дефектов, сигнализатор, ультразвукового, эхо-дефектоскопа

...За), Позициями 34 - 37 обозначены донные грани по мере их удаления от поверхности ввода и позициями 26, 26, 26 з, 26 соответствующие им эхо-сигналы. Позицией 38 обозначены дефекты в контролируемом изделии, позициями 41 - эхо-сигналы дефектов, 42 - импульсы на выходе амплитудного селектора 8, 43 - импульсы на выходе амплитудного селектора 10, а 44 - импульсы на входе исполнительного блока 6. Формирователь 21 стробирующих импульсов автоматически формирует в зависимости от толщины контролируемого изделия при прозвучивании участков равномерного сечения, когда амплитуда донного эхо-импульса превышает пороговый уровень Опор 1, импульсы 29 32), Одновременно формирователь 21 формирует вручную первую серию 39 строб-импульсов, у первого из...

Номер патента: 1837847

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Барабой, Буфиус, Волков, Галатенко, Зинченко, Коноваленко, Пхакадзе, Савицкая, Толстопятов

МПК: A61B 17/56

Метки: дефектов, костных, краевых, лечения, опухоли, поводу, после, резекции

...связывает с травмой. После рентгенологического исследования в поликлинике по месту жительства больная с диагнозом "саркома левого бедра" поступила в клинику КНИИО,При поступлении: ходит слегка прихрамывая на левую ногу. Движение в левом коленном суставе не ограничены. В нижней трети левого бедра по внутренней поверхности припухлость, кожа не изменена, местная температура не повышена, Пальпаторно определяется опухоль костной плотности, исходящая из бедренной кости, безболезненная, несмещаемэя.На рентгенограмме от 22.04.1988 г. в дистальном метадиафиэе левого бедра определяется круглый очаг деструкции, разрушение коркового слоя по меридиальной поверхности, инфильтрация мягких тканей, массивное костеобразование в мягких тканях....

Номер патента: 1336674

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Голованов, Фатеев, Шишанов

МПК: G01J 1/04

Метки: внутренних, дефектов, дефектоскопии, диаметром, переменным, поверхностях, полых, цветной

...5 пиноли, соосно с ней, Оси 18 и 19 смещены относительно оси 21 пиноли. Оправа 22 зеркала 20 снабжена зубчатым венцом 23, кинематически связанным с зубчатым колесом 17 через блок-шестерни 24 с передаточным отношением, в два раза большим, чем передаточное отношение конической зубчатой передачи 8 и 9 привода поворота рычага 7, На рычаге 7 установлен рабочий инструмент 6, который может быть краскораспылителем, зачисгным устройством, светильником, электровоздухонагревателем,обрабатывающими иэделие 25. Шарнирнаяопора 1 установлена в корпусе защитной5 кабины 26, а рабочие части 4 и 5 пинолиснабжены приводом 27 относительно их перемещения.Устройство работает следующим образом.10 Устройство вводят при помощи кабины26 в изделие 25 типа...

Номер патента: 2003092

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Комаров, Муравьев, Шарко

МПК: G01N 29/10

Метки: дефектов, металлических, обнаружения, термообработки

...на фиг,2 - схема определения конфигурации "непрокала" по его линейным размерам в зависимости от угла поворота пьезопреобразователей,Устройство, реализующее предлагаемый способ, содержит источник 1 зондирующих импульсов ультразвуковой дефектоскоп УДМ), пьезопреобраэователь 2. преобразующий электрический импульс дефектоскопа в ультразвуковой импульс, и пьезопреобразователь 3, принимающий ультразвуковой импульс, прошедший через фиксированную базу АБ контролируемогоизделия 4, осциллограф (С 2-99) 5, на который подается сигнал с пьезопреобразователя 3, генератор 6 задержанных импульсов, синхронизированных с дефектоскапа. Оба пьезопреобразователя имеют плексигласовую призму, Для получения поверхностных волн угол наклона плексигласовой...

Номер патента: 2003126

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Дианов

МПК: G01R 31/02

Метки: дефектов, обнаружения, скрытых, соединителей

...режиме сбоя соответствует значениям 0,01-0,8 пкф, скачкообразные изменения индуктивности - соответственно 0,9-2 н Гн, скачки омической составляющей превышали номинальное значение по Техническим Условиям в состоянии "Короткое замыкание" (номинальный режим работы соединителя) не менее, чем в два раза.Существующие импульсные рефлектометры позволяют определять непосредственно по рефлектограмме минимальную емкостную неоднородность 0,008-0,02 пкФ, минимальную йндуктивность 0,01- 0,05 НГн. Возможности импульсного рефлектометоа в обнаружении и оценки малых неоднородностей, а именно таковыми и являются сбойные состояния соединителей, характеризуются длительностью фронта зондирующего сигнала тф и отношением сигнал-шум рефлектометра, С другой...

Номер патента: 2004658

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кочкин, Кутаев

МПК: D06H 3/00

Метки: дефектов, классификации, ленты, шерстяной

...дефекта, ориентированного относительно координатных осей (задаваемых направлениями пространственной дискретизации) произвольным образом повернутого, например, на угол р относительно осей) прямоугольник, стороны которого ориентированы по направлениям пространственного разложения элементов растра фотоприемной матрицы 3.Тогда величиных и .у определяют как=Осоз р+ йз "Ози 1 р+ Вс вп р я дефекта Рр Ь 1 - миния как минр односвязаированного чении: я также пана, опредеоперечный ширина бив центральопределяетс альная шири мальный и ой области - зображения.Д рамет ляема раэме нариз ном се с +тмин уется с помощью локе 5 обработки р+ 3 и ОЬ= 1 классифицируемых обозначениях име= ЛО 4 5 Для объекта тип 1соз р 4 +3 и Яс=ОК Бм у= и сов.1 Бп Р...

Номер патента: 1253380

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Веригин, Красик, Крючков, Лопатин, Погребняк

МПК: H01L 21/263

Метки: дефектов, кремнии, отжига

СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ , включающий облучение импульсами заpяженных частиц наносекундной длительности, отличающийся тем, что, с целью улучшения кpисталлической стpуктуpы, облучение пpоводят сильноточным пучком ионов с плотностью энеpгии в импульсе 0,5 - 0,9 Дж/см2.

Номер патента: 1639341

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кремния, поверхности

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, включающий очистку поверхности кремния с ориентацией (100) и травление в составе, содержащем хромовый ангидрид, плавиковую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения выявляемых типов микродефектов в тонких приповерхностных слоях, травление проводят в составе, дополнительно содержащем азотную кислоту, при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хромовый ангидрид 15 - 32Плавиковая кислота (45%-ная) 4 - 25Азотная кислота (72%-ная) 8 - 50Вода 10 - 36время травления составляет 5 - 15 мин, при этом количество хромового ангидрида в зависимости от толщины обрабатываемого слоя составляет, мкм:Более 10 15 - 4010 - 2 40 - 50

Номер патента: 1790288

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Борисенко, Новиков, Пивен, Соловей

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, поверхностных

...и второй входыпервого 18 и второго 21 счетчиков координат являются соответственно вычитающим и суммирующим, В зависимости от кода знака схема 19 управления выбирает один из этих входов,Состояние счетчика 22 приращений до хождение видеосигнала на выход схемы 4записи в него текущего приращения харак- совпадения, а затем йо сигналу от схемы 20 териэуется как нулевое и нулевой сигнал на сравнения элемент 3 памяти запрещает его втором выходе запрещает схеме 19 уп- прохождение видеосигнала на выход схемы равления прохождение импульсов тактовой 5 4 совпадения, тем самым Формируя локальчастоты на счетчики 18 и 21 координат. Сиг- ное окно.налами со схемы управления разрешается Детектор 5 выделяет бинарные сигназапись приращения из блока 15...

Номер патента: 902603

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Акимова, Гунина, Лобов, Пимкина, Поярков, Сысоева

МПК: G03C 5/00

Метки: дефектов, исправления, фотошаблонов

СПОСОБ ИСПРАВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ФОТОШАБЛОНОВ, полученных методом обращения, включающий операцию контроля размеров элементов топологии, проводимую после проявления и сушки фотошаблона, и собственно исправление размерных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения аппаратурной реализации и снижения трудоемкости, исправление размерных дефектов производят путем размачивания эмульсионного слоя в проточной деионизованной воде с засветкой в ванне с деионизованной водой и последующим проявлением.

Номер патента: 1715047

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Борисенко, Соловей

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, поверхностных

1. Способ автоматического контроля поверхностных дефектов, заключающийся в том, что создают изображение поверхности контролируемой детали посредством телекамеры, видеосигналы, поступающие из телекамеры, преобразуют в цифровые, запоминают и сравнивают с заданными пороговыми значениями, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и быстродействия контроля, предварительно записывают в памяти строчные координаты локального окна, соответствующего форме контролируемой детали так, что в каждой строке формируют четное число координат контура локального окна и каждая нечетная координата является началом локального окна в данной строке, а каждая четная концом, затем совмещают локальное окно с телеизображением зафиксированной относительно...

Номер патента: 1723889

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Бартошко, Булытов, Кочаров, Миропольский, Ткаченко, Юпенков

МПК: G01N 23/18

Метки: дефектов, размеров

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РАЗМЕРОВ ДЕФЕКТОВ МАТЕРИАЛОВ, включающий введение в контролируемый объект контрастирующего вещества, облучение объекта гамма- или рентгеновским излучением, регистрацию пространственного распределения вторичного излучения, возбуждаемого при облучении объекта гамма- или рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля расслоения многослойных конструкций при одностороннем доступе к контролируемому участку и повышения производительности контроля, в качестве контрастирующего вещества используют раствор иодида бария, облучение объекта проводят излучением с энергией не менее 37, 44 кэВ, а границы расслоения определяют по разности распределений вторичного излучения до и после введения в объект...

Номер патента: 1389422

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Юрьев

МПК: G01N 3/00

Метки: дефектов, конструкции, неразрушающего, скрытых

1. Способ неразрушающего контроля скрытых дефектов в конструкции, заключающийся тем, что конструкцию нагружают переменной механической нагрузкой и вызывают ее перемещения, измеряют параметры процесса перемещения конструкции и сравнивают их с такими же параметрами конструкции, уровень дефектов которой принимают за допустимый, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности способа к обнаружению локальных дефектов, перед нагружением соединяют перемещающееся сечение конструкции с упругим элементом, характеризующимся отрицательной жесткостью, соизмеримой по абсолютной величине с жесткостью испытываемой конструкции, но меньшей ее.2. Устройство для неразрушающего контроля скрытых дефектов в конструкции, содержащее возбудитель...

Номер патента: 835209

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Котляров, Сорокин

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, поверхности, фотоэлектронное

ФОТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ПОВЕРХНОСТИ, содержащее излучатель, фотоприемник, расположенный в ходе лучей зеркально отраженного светового потока, измерительный усилитель, соединенный входом с выходом фотоприемника, и дополнительный фотоприемник, установленный в ходе лучей диффузно отраженного светового потока, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности контроля, оно снабжено дополнительным усилителем и управляемым сопротивлением, включенным в цепь отрицательной обратной связи измерительного усилителя и соединенным управляемым входом с выходом дополнительного усилителя, вход которого соединен с выходом дополнительного фотоприемника.

Номер патента: 1834545

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Борисенко, Горбас, Иванченко, Калашников, Новиков, Пивен, Соловей

МПК: G06F 17/00

Метки: дефектов, поверхностных

...соответствующих границам локального окна в данной строке, выделяют видеосигналы телекамеры, лежащие только в пределах границ локального окна, производят обнаружение дефектов 55 детали путем сравнения выделенных видеосигналов с эталонными и пространственные характеристики обнаруженных дефектов сравнивают с заданными пороговыми значениями, отличающийся тем, что, с целью повышения качества Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в системах автоматического При выявлении несовпадения позиций локального окна и телеизображения контролируемого кольца, т.е, влияния разброса Формула изобретения СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО. КОНТРОЛЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕФЕКТОВ ДЕТАЛЕЙ, заключающийся в том, что...

Номер патента: 1819068

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Поборцев, Солонинко, Чарушкина, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектов, кремниевых, нижних, оптического, слоев, структур

...СС 14 в течение 5 мин.В результате указанных операций травления на поверхности кристалла образовывался микрорельеф, представляющий собой ямки и бугорки травления и т.н, "Спейсеры", образующиеся по периметру шин металлизации. Средняя величина непланарности составляла 0,70+0,12 мкм, Оценка глубины ямок травления и высоты "спейсеров" и бугорков проводилась на растровом электронном микроскопе типа 1 БМ.После удаления пассивирующего слоя ислоя верхней металлизации проводился контроль дефектов нижнего слоя поликремниевой разводки по способу-прототипу, однако, из-за наличия микрорельефа на поверхности ИМС минимальный размер элементов, доступных для контроля, составлял 5,0 мкм, Затем поверхность кристалла тщательно очищалась на установке...

Номер патента: 1440178

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Матлис, Ромашин

МПК: G01N 27/40

Метки: дефектов, ионообменных, мембран

1. Способ определения дефектов ионообменных мембран, заключающийся в пропускании электрического тока через примембранный электролит и мембрану, с последующим определением электрических характеристик, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, определение проводят при пропускании через примембранный электролит и мембрану постоянного тока, причем pH анодного электролита составляет 0,5 - 1,5.2. Способ определения дефектов ионообменной мембраны по п.1, отличающийся тем, что в качестве анодного электролита используют хлорид или нитрат щелочного металла.

Номер патента: 1630478

Опубликовано: 20.10.1999

Автор: Строганов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, нелинейных, обнаружения, средах

Способ обнаружения дефектов в нелинейных средах, заключающийся в пропускании сфокусированного оптического излучения через нелинейный кристалл и сканировании объема кристалла с последующей регистрацией прошедшего излучения на частоте оптических гармоник, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности к дефектам, малым по сравнению с когерентной длиной взаимодействия, оптическое излучение пропускают под углом к оптической оси кристалла нелинейной среды, не равным c, где c - угол между оптической осью кристалла нелинейной среды и...

Номер патента: 1762689

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...

Номер патента: 1501806

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Полонский

МПК: G11C 13/04

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

1. Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий облучение ионного кристалла тяжелыми заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности получения равномерного профиля распределения радиационных дефектов путем увеличения интервала концентрации радиационных дефектов и снижения флюенса заряженных частиц, перед облучением ионного кристалла его насыщают водородом до концентрации отрицательных ионов замещения водорода 5 1016 - 3 1018 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1725695

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Трофимов

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий насыщение ионных кристаллов водородом и последующее их облучение заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей управления шириной области с равномерным профилем дефектов, кристаллы облучают импульсными потоками электронов с длительностью в наносекундном диапазоне: одиночным импульсом с плотностью тока электронов в импульсе, равной или большей 182 А/см2, или последовательностью импульсов с плотностью тока в импульсе, равной или большей 6 А/см2, с суммарной поглощенной дозой, равной или большей 0,6

Номер патента: 1066372

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Матвеев, Сахаров, Симонов, Трифонов

МПК: G21C 17/06

Метки: дефектов, облученных, обнаружения, оболочек, тепловыделяющих, элементов

Устройство для обнаружения дефектов оболочек облученных тепловыделяющих элементов, содержащее герметичную камеру для размещения исследуемого тепловыделяющего элемента, электронагреватель, подводящий и отводящий газопроводы с детектором ионизирующих излучений, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения положения дефектов оболочек облученных тепловыделяющих элементов, устройство снабжено механизмом перемещения исследуемого элемента вдоль длины камеры и датчиком положения элемента, причем подводящий газопровод подсоединен в центральном сечении камеры, а отводящий газопровод выполнен в виде двух патрубков, подсоединенных к противоположным концам камеры и снабженных...

Номер патента: 1374615

Опубликовано: 10.02.2005

Авторы: Васкин, Иванов, Костюк, Куликов

МПК: B23K 28/00

Метки: виде, внутренних, дефектов, исправления, опор, сварных, швах

Способ исправления внутренних дефектов в виде пор в сварных швах, преимущественно в тонколистовых конструкциях из титановых сплавов, при котором выполняют нагрев металла дефектной зоны и одновременное его пластическое деформирование путем приложения внешнего усилия, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат при исправлении протяженных внутренних дефектов и повышения качества сварного соединения путем одновременного устранения сварочных напряжений и деформаций и концентрации напряжений от формы шва, величину внешнего усилия выбирают из соотношения: где P - усилие на роликах, кгс;I - сила...