Патенты опубликованные 07.03.1982

Номер патента: 911604

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бибик, Высота, Мамонтов

МПК: G11B 5/842

Метки: записи, лака, магнитного, магнитной, носителя, рабочего, слоя

...и добавок, а диспергирование в бисерной мельнице - в течение .37-120 ч, при этом объем растворителя равен 84-92 от общего объема суспензии магнитных 15 частиц гамма-окисла железа в смеси растворителя и поверхностно-активного вещества, а масса поверхностно-активного вещества равна 2-й от общей массы магнитных частиц гамма-окисла железа,Формула изобретения Способ изготовления магнитного лака для рабочего слоя носителя магнитной записи путем диспергирования вшаровой мельнице суспензии магнитныхчастиц гамма-окисла железа в смесирастворителя и поверхностно-активноговещества при 15-80 С, продолжениядиспергирования в шаровой мельницепосле введения в нее связующего ве 25 щества, пластификатора и добавок ипоследующего диспергирования в...

Номер патента: 911605

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Арутюнов

МПК: G11B 7/26

Метки: записи, носителя, оптической, рабочего, слоя, состав

...- 50 ь"ныйэтиловый спирт при следующем соотношении компонентов, вес.Ф: фенолфталеин 1,15-1,20; крахмал 0,45-0,50и 50-ный этиловый спирт остальное.Предлагаемый состав состоит иэцветового компонента и связующего вещества, распределенных в растворителе. При этом цветовой компонент представляет собой компонент с обратимойФормула изобретения 911605 2. Патент ФРГ гг 1797380,кл. 57 Ь/02, 19733, Патент Франции й 2371300,кл, В 43 1 1/18, 1978 ( прототип).4 Составитель Ю, РозенкранцРедактор И. Ткач Техред И.Гергель Корректор В, Синицкая Тираж б 24 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 1137/44 Филиал ППП "ца 1 ент", г. Ужгород, ул. Проектная,3цветовой...

Номер патента: 911606

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ионин, Квасков, Писаренко, Тетерюк

МПК: G11B 15/00

Метки: ведущий, кассетного, катушек, магнитофона, расположением, соосным, узел

...насадки 3 и 1. Насадка 3 жестко соединена с осью 1 и сопряжена с магнитной лентой на уровне катушки 5, а насадка М установлена на оси 1 с возможностью вращения и сопряжена с маг-, нитной лентой на уровне катушки 6.В торцовой части подвижной насадки 4 закреплен штырь 7, входящий в 2 дугообразный паз 8, выполненный в торцовой части насадки 3, жестко соединенной с осью 1 ведущего вала. Штырь 7 .связан с ведущим валом плос-. кой спиральной пружиной 9; уложенной внутри насадки 3 при помощи установочной втулки 10 и штифта 11, предохраняющего втулку 10 от провора чивания в процессе работы устройства.Ось 1 установлена в кронштейне 12 на шарикоподшипниках 13. Привод ведущего вала осуществляется от электродвигателя 1 М посредством пассика...

Номер патента: 911607

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Байдин, Степанов

МПК: G11B 15/22

Метки: автостоп, магнитофона

...предлагаемый автостоп магнитофона;на фиг.3- якорь911607 3Автостоп содержит электромагнит 1, сердечник 2 которого смонтирован с возможностью притягивания якоря 3, выполненного Г-образным. Якорь 3 кинематически соединен с подпружиненным Г-образным рычагом 4, поворотно установленным на валу 5, жестко укрепленном на шасси 6 и смонтирован с возможностью перемещения подпружиненного Г-образного рычага 4 соосно валу 5 при его притягивании к сердечнику 2 электромагнита 1,автостоп содержит также подпружиненную стопорную планку 7, выполненную с вырезом 8., и штифт 9 укрепленный в маховике 10, При этом маховик 10 установлен на шасси 6 с возможностью вращения. Один конец подпружиненного Г-образного рычага 4 снабжен кромкой 11, а другой конец...

Номер патента: 911608

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Жаврид

МПК: G11B 15/32

Метки: ленты, магнитной, перемещения, реверсивного

...ленты.Устройство содержит блок 1 сравнения с. опорным сигналом в зависимости от сигналов команд перемещения, входы которого подсоединены ко входным шинам 2 команд перемещения, а выходы соединены через усилители 3 мощности с ведущими электродвигателямиНа валах ведущих электродвигате-; лей 4 укреплены частотные импульс- ., ные датчики 5 и катушки 6, на кото рых размещена магнитная лента 7,сопряженная с расположенным между ними блоком 8 магнитных головок записи и воспроизведения.Устройство содержит также сумматор 9 напряжений, выход которого подключен к блоку 1 сравнения с опорным сигналом в зависимости от сигналов команд перемещения, и преобразователи 1 О временных интервалов в напряжение, При этом выходы частотных импульсных датчиков...

Номер патента: 911609

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Афанасьев, Шкуратиков

МПК: G11B 15/46

Метки: ленты, магнитной, перемещения, скоростью

...а делитель частоты соединен через селектор импульсов со входами первого коммутатора и входами второго коммутатора, выход которого подключен к элементу блокировки, причем выход фазового компаратора соединен с первым логическим ключом, подсоединенным к выходу первого коммутатора, выход датчика скорости - с первым дополнительным фазовым компаратором и вторым логическим ключом, :подсоединенным к выходу элемента блокировки,. выход второго коммутаторасо вторым дополнительным Фазовым компаратором,. а выходы преобразователя импульсного сигнала в линейно-возрастающий и преобразователя импульсного сигнала в линейно-.падающий подключены к блоку усиления мощностиНа чертеже показан один из возмож: ных вариантов предлагаемого устройства для...

Номер патента: 911610

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Биренберг, Богатырев, Корень, Родзинский, Фатеев

МПК: G11B 27/36

Метки: аппарата, записи, магнитной, характеристик, частотных

...аппарата магнитной записис выхода генератора поступает много-.кратно повторяющаяся последовательность сигналов средних и высоких частот и сигнал низкой частоты, изменяющийся в каждой последовательности.формула изобретения Составитель В, .Добровольский Редактор М. Ткач Техред С.Мигунова Корректор М Шарошие Заказ 1138/45 . Тираж 624 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 1-35, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул Проектная,3 911610Например, в первой последовательности сигналов формируют сигналы средних и высоких частот и один сигнал частотой 40 Гц, во второй после" довательности - эти же средне" и вы- Ф сокочастотные сигналы и один сигнал 63 Гц, в...

Номер патента: 911611

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бордюгов, Волков, Темкин, Цишкевич

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, крепления, магнитных, матриц

...наугловых стойках в диагональном направлении, на двух противоположнорасположенных планках установленырейки с пазами для размещения угловформула изобретения 1 ОУстройство для крепления магнитных запоминающих. матриц, содержащее каркас для установки матриц, выполненный в виде четырех угловых стоек, 1 и рамки, соединенные с торцами угловых стоек, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повыаения технологичности и обеспечения ремонтопригодности устройства, оно содержит четыре щ планки, две рейки с пазами и съемныевилки, причем планки установлены на угловых стойках в диагональном направлении, на двух противоположно расположенных планках установлены у рейки с пазами для, размещения угловмагнитных запоминающих матриц, а на цругих двух...

Номер патента: 911612

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Белогорский, Бурляев, Минишев

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, каретка, матриц, прошивки, устройства

...1, прово"доукладчик, состоящий из стержня 2,конический 3 и цилиндрический 4 зубчатые редукторы, привод 5 механизмавращения, кронштейн 6, кулису 7,кривошип 8, привод 9 механизма отклонения, наконечник 10, ось 11,3 911подшипник 12, копир 13, основание14, направляющие 15, привод 16,шестерни 17, рейки 18, ролики 19, иглу20,Работа каретки в устройстве происходит следующим образом.8 кодовой части жгута, где производится укладка кодовых проводов между сердечниками запоминающих элемен.тов, игла 20 стержня 2 отклоняетсяв соответствии с программой прошивкив два фиксированных положения ("0"или " 1"), причем основание 14 и направляющие 15 неподвижны. Игла 20 приэтом обходит ранее уложенные провода между штырями, исключая обрыв проводов и операцию...

Номер патента: 911613

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Данилин, Пашкова, Попель, Хомутов

МПК: G11C 29/00, G11C 7/00

Метки: блоков, записи, памяти, постоянной, программируемых

...дешифратором 15 в позиционный код и вызывает считывание соответствующегослова в виде двоичного кода из блока 16,Отличия режима программирования от режима входного контроля следующие: добавление единицы в регистр 2 проводится по команде из блока 1, а, не из задающего генератора 5; один из каналов синхронизации выбирается для организации паузы после программирования, так как,например, биполярные схемы программируемых постоянных блоков памяти требуют значительную паузу после программирования каждого бита в режиме программирования в течение паузы проводится контроль правильности программирования в зависимости от типа схемы программируемого блока 12 после каждого бита или всего слова 1 задающий генератор необходим только для...

Номер патента: 911614

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Иванов, Косов, Милованов, Мхатришвили, Савельев, Фокин

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: запоминающее

...сигнала опроса и сигнала 25 с первого блока 7 задержки,сбрасывающего.триггер б опроса в нулевое состояние, формируется запускающий импульс, который через второй элемент И 13 и пятый элемент ИЛИ 19 по- Зо ступает на формирователи 2 опроса, с которых сформированный по амплитуде и длительности сигнал опрашивает выбранную ячейку накопителя 1. Код числа с накопителя подается в кодовыеЗ 5 45 опроса, первой и второй гиниями задержки, триггером управления, формирователем импульсов блокировки, счеттри элемента И 12-1 ч, пять элементов ИЛИ 15-19.Запоминающее устройство с преимущественным считыванием работает в трех режимах: считывания, записи и стирания. 8 режиме считывания информации на накопитель 1 из кодовых шин ЦВИ поступают сигналы адреса, а...

Номер патента: 911615

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Богданов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...Местоположение этой точки характеризуется ко-. ординатами как по строке, так и по кадру. При записи изображения на поле в 256 х 256 дискретов используются восьмизарядные ходы, характеризующие эти координаты. При байтовой организации выходов блока 1 используется дешифратор 2 с организацией четвертого разряда на шестнадцать выходов..Из изложенного следует, что каждая точка изображения характеризуется кодом, записываеМым и считываемым в блоке 1. Для начертанияна экране телевизионного приемника какого-либо символа необходимо записать логическую "1" или "0" по каждому из адресов, характеризующих форму и место 3 911615 аположение этого символа, Например,для,записи кодов координат, характеризующих символ, с арифметическогоустройства...

Номер патента: 911616

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Гаврилов

МПК: G11C 11/00

Метки: данных, ленте, магнитной

...выходов блока 2 управления, один из входов которого подключен к выходу блока 13 сравнения.Устройство работает следующим образом.Информация, подлежащая записи, поступает на шину данных с внешнего устройства, например с вычислитель" ной машины ЭВМ), Она может быть введена через блок 7 связи в буферную память 3, а после ее заполнения через блок 7 связи, шину данных 8, блок 4 связи, регистр 5 и блок кодирования- декодирования 6 передана на вход блока 1 для записи на магнитнуюленту. При необходимости, например, в случае работы с терминалом с собственной буферной памятью, информация может непосредственно передаваться на запись через блоки 4 и 6 связи и регистр 5.При воспроизведении информация проходит тем же путем в обратном...

Номер патента: 911617

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...шести соседних ЦМД и по этой причине находитсяв равновесии. Однако это справедливотолько для решеток, имеющих бесконечные размеры, Реальные решетки ЦМД,используемые в качестве накопителейв ЗУ, имеют конечные размеры, в силучего ЦМД, находящиеся на краю решетки, должны быть уровновешены отталкивающей силой со стороны внешнегомагнитостатического барьера, Это жеотносится и .к внутренним участкамдоменосодержащей пленки, которые покаким-либо причинам необходимо оставить свободными от доменов.Магнитостатические барьеры могутбыть выполнены любым йзвестным способом, например травлением углублений соответствующей конфигурации наповерхности пленки, Известно, чтоЦИД, находящийся на выступе вблизиуглубления, испытывает силу, направленную в...

Номер патента: 911618

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...серпообразнойформы, имеющими первые 20 и вторые21 концы и внешние 22 стороны аппликацйй, образующие узел 23 магнитнойсвязи, канал 24 ввода-вывода ЦМД саппликациями 25, аппликации 26 и 27,связывающие канал 24 с каналами 4,магниторезистивные датчики 28 и 29,подключенные к каналам 9.и 18, токопроводящая шина 30, расположенная40При осуществлении режима записиЦМД-информации (в каналы 4) от генератора 35 в канал, 24 поступает инФормация в виде наличия (единица)или отсутствия ЦМД (нуль). При положении В вектора управляющего поля 45Н 1 ЦМД оказываются в позициях 12 и14 аппликаций 10. В этот момент пошине 30 с областями 31-33 и выводами 34 подают импульс тока длитель, ностью, равной половине периода поляНу . В положении А вектора Н в позициях 12...

Номер патента: 911619

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ломов, Самров, Скобелин, Статейнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитного, магнитных, поля, приборов, формирователь, цилиндрических

...канала продвижения (фиг. 3). Магнитное .поле управления Й в зависимости от формы токов 11 и 1 имеет определенный годограф 1 О (фиг. 2-4).Каждый элемент или узел прибора на ЦМД . и весь. прибор в целом характеризуется минимальным годографом 11 функционирования, определяемым как минимальное значение 6 при каждом угловом положении, необходимым для функционирования данного элемента, узла илиприбора (Фиг. 3). Формирователь работает следующим образомПротекающие в катушках 1 и 2 токи создают магнитные поля Ни Н , Так как катушки ортогональны, то и Й Й. Мгновенное значение Н = к 11. При определенной конструкции,к = к, 55 Предлагаемое устройство позволяет для приборов на ЦМД, в которых плоскость .рабочего кристалла находится под углом (90 с) по...

Номер патента: 911620

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Грабенко, Калинович, Олейник

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитопленочной, матрицы

...в связи с их малой упру 43 гостью, особенно при нагревании выше температуры .стеклования полимера, эта зависимость существенна, Полимерный подслой используется в состоянии с фиксированной минимальной упругостью, достигаемой нагреванием до размягчения, Регулировка же величины поля анизотропии осуществляется путем изменения толщины пленки.На .фиг. 2 показана часть матрицы: магнитная пленка 1 толщиной О,термопластичное покрытие 2 подложки,подложка 3, при выключенном магнитном поле, комнатной температуре и несфор.1 мированной аниэотропии. Через Р 1 обозначена минимальная толщина, воз/ можная для данного носителя информации.формирование анизотропии происходит следующим образом.На размягченном слое не происходит торможения деформации...

Номер патента: 911621

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Киселев, Козленко, Котунов, Нам, Николаев, Паринов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...конструкцияпредлагаемого запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первыйслой 2 диэлектрика, управляющиетоковые шины 3, второй слой 4 диэлектрика, доменопродвигающие аппли-,кации 5, немагнитный разделительныйслой 6 и пленочный постоянный маг-,нитУстройство работает следующим образом.Пленоцный постоянный магнит 7 состава Зв(Со, Ре), нанесенный наразделительный немагнитный слой б,например, методом вакуумного испарения, намагничивается во внешнем поле до уровня, обеспечивающего приприменяемой толщине слоя .6 величинуопорного поля в магнитооднооснойпленке 1, соответствующего примерносередине области существования ЦМД,Этим создается условия для функционирования...

Номер патента: 911622

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Березкин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное, самоконтролем

...блока 1 памяти происходит при возбуждении 1-той шины из группы адресных шин 2 и одновременном появлении разрешающего сигнала на шине 3 строба считывания. В результате на вь 1- ходных обмотках трансформаторов накопителя 5 наводятся сигналы, которые через соответствующие ключи б считывания воздействуют на трансформатор 7, одновременно на трансформатор 7 воздействуют в противоположном направлении сигналы на выходах блока памяти. При этом предполагается, цто накопитель 1 блока памяти выполнен нв трансформаторах, выходные обмотки которых подклюцены ко входам ключей считывания, аналогицных ключам б считывания, а выходы этих ключей являются выходами блока памяти.Эти воздействия приводят к наведению на выходной обмотке трансформатора 7...

Номер патента: 911623

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бородин, Бузунов, Буренков, Николаев, Шубинский, Яценко

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...выходной информационныйрегистр 25 и триггер 8.При записи информации в устройство по информационному входу 10 уплот.ненная последовательность последова"тельным кодом заносится во входнойинформационный регистр 211, а черезэлемент ИЛИ 111 в сдвиговый регистр 1,Считывание подноразрядного словаинформации производится по заданному полноразрядному адресу, состоящему из г-разрядных групп, которыепоступают по адресным шинам 22 ираспределяются по соответствующимсчетчикам 21 адресов (синхронизациямомента занесения адреса в счетчикиадреса на чертеже не показана),После поступления в устройствополноразрядного адреса считываемогослова в шину 12 управления реверсомрегистра сдвига подается сигнал обращения к памяти, которым открываются по управляющему...

Номер патента: 911624

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Гольденберг, Кузьмичев, Лебедев, Рязанов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...погреш-,ность отслеживания изменяющегосявходного напряжения, что являетсясущественным недостатком, снижающимточностные характеристики устройства.Цель изобретения - повышение точ20ности устройства,Поставленная цель достигается тем,что в аналоговое запоминающее устройство, содержащее первый накопительный элемент, например первый конденсатор, одна иэ обкладок которого соединена с одним из выводов первогопассивного элемента, с выходом первого ключа и со входом усилителя,другая обкладка первого конденсатора30соединена со входом второго ключа,с выходом усилителя и с выходом устройства, выход второго ключа соединен с другим выводом первого пассивного элемента, вход первого ключасоединен с одним из выводов второгопассивного элемента,...

Номер патента: 911625

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Емельянов, Крисилов, Мосенко, Пядышев, Старцев

МПК: G11C 27/00

Метки: динамическое, запоминающее

...четвертым и пятым ключами, причем вход четвертого и выход пятого ключей соединены с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход четвертого ключа соединен со входом генера. тора тока, а вход пятого ключа является входом устройства.На чертеже представлена функциональная схема динамического запоминающего устройства.Устройство содержит операционный усилитель 1, элемент памяти, выполненный, например, на конденсаторе 2, элемент стабилизации, выполненный на полевом транзисторе 3 со встроенным каналом, генератор 4 тока, первый, 5, второй 6, третий 7, четвертый 8 и пятый 9 ключи. Сток, затвор, исток транзистора 3 подключены соответ ственно к шине 10 питания, выходу ключа 6, входу генератора 4 тока и выходу устройстваВход ключа 8...

Номер патента: 911626

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Андреев, Иванов, Коржев, Пресняков

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти

...3.1-3,3.Входы установки в единицу тригге- щров 11 каждой группы йодклвчены со"ответственно к адресным входам вако- .пителя 4, а выходык соответству-ющим выходам накопителя 4.Входы установки в ноль триггеров11 подключени к управляющему входу фнакопителя 4.. Колчество .тригтеров 11 групп на-копителя 4 соответствует максимальному. количеству модулей, содержащихся в проверяемой оперативной памяти.Устройство работает следующим образом.Адрес, по которому произошел сбойв контролируемой оперативной памяти,поступает на адресные входы б, ин- ЗФормация о неисправных разрядах - настробирующие входы 7 устройства.Первый блок 1. анализа адреса выявляет 1 строку, а второй блок 2анализа адреса - столбцыф проверяемой оперативной памяти, в...

Номер патента: 911627

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Горбенко, Горшков, Николаев

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...считываемого массива чисел,При записи число через вход 20поступает в регистр 9,и содержимоерегистра 4 адреса через элементыИЛИ 13 подается на вход накопителя 1Обратный код из регистра 9 черезэлементы ИЛИ 13 записываются в ячейку накопителя 1, Затем содержимоеячейки считывается на регистр 11.После этого производится запись-счи-,.тывание прямого кода числа на регистр10. Причем при записи прямого кодаодновременно с информационным разрядами записываются контрольные разряды, корректирующего кода, которыеформйруются формирователем 22 и через вторую группу элементов ИЛИ 13поступают в накопитель 1,Содержимс е60 Если в маркерном разряде содержится код 1 и после записи массива чисел появится отказ, значение которого совпадает со значением...

Номер патента: 911628

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Хлавнович, Шкода

МПК: H01C 1/082

Метки: балластный, реостат

...реостата исключено влияние предыдущих охлаждаеьых элементов на эффективность охлаждения последующихэлементов. Достигается это /расположением охлаждаемых элементов спира-лей реостата в плоских изоляторах(галетах)конструкция которых обеспеиивает крепление спиралей и образует систему каналов для прохожденияохлаждающего воздуха.Охлаждающий воздух поступает.изокуружающей среды в радиальные кана"лы галет, обдувает каждую спиральотдельно и после этого попадает в об/щий канал в центре пакета из галет,откуда выбрасывается вентилятором в 25 окружающую среду.На фиг. 1 показан балластный реостат на фиг. 2 разрез А-А на "фнг.1.Реостат состоит кз набора термостойких плоских галет 1, спиральных ЗО резистивных элементов 2, лежащих в911628 формула...

Номер патента: 911629

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и...

Номер патента: 911630

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Карабанов, Рябов, Соломенников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...от состава исходной смеси.Прн изменении содержания двуокиси кремния в реэистивном материале 20-80 ТКС имеет положительную величину.В зависимости от состава величина ТКС измеряется в широких пределах. Для состава, содержащего 15 СгО г ве" личина ТКС равна 10 1/оС, а для состава с 30 СгоОк - 55 1/оС. При содержании СгОг более 90 величина ТКС становится отрицательной.Температурная зависимость сопротивления аналогична температурной зависимости сопротивления позисторов. Удельное сопротивление резистивнога материала в области низких температур составляет 10-10 ь Ом см,что позволяет изготовлять микрорезнсторы для микроэлектронных схем.Ниже приведены конкретные примеры изготовления реэистивных материалов ;предлагаемого состава с различньм. т...

Номер патента: 911631

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Былина, Косицына, Нестеренко, Преснов, Ротнер

МПК: H01C 7/04

Метки: термистор

...3 и термоустойчив.е покрытие 5. Термистор помещен в корпус из кварцевого стекла(не показан).Термистор работает следукщим образом.5С помощью выводов 3 термистор подсоединяется к измеряемому объекту. Измерительнья мостом .сопротивления измеряется сопротивление термистора. По градуировочной кривой зависимости .сопротивления термистора от температуры объекта. При изменении тем-. пературы объекта термистор меняет свое сопротивление. Это изменение регистрируется и по градуировочной кривой оценивается соответствующее изменение температуры измеряемого объекта .в данный момент времени.Термистор изготовляют следующим образом. 20Монокристаллический алмаз помещают в центральную часть пресс-формы с алмазным порошком и выдерживают загрузку в камере...

Номер патента: 911632

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бадинтер, Геллер, Любчак, Старуш, Шнайдерман

МПК: H01C 17/00

Метки: изоляции, микропровода, резистивных, стеклянной, элементов

...50 мкм.Цель изобретения - повышение выхода годных прн диаметре микропроводаменее 50 мкм.Указанная цель достигается тем,что в способе изготовления резистивных элементов из микропровода в стеклянной изоляции, заключающемся в намотке микропровада при температуре размягчения стекла и постоянстве величины произведения межвиткавого данления на температуру,намотку микропроэада ведут совместно с наматкой стекловолокна,а величину произведения межвиткового давления на температуру для стекловолокна выбираютбольшей величины произведения давленияна температуру для микропровода.Совместная намотка микропроводаи стекловолокна обеспечивает сохранение целостности микропровода с диаметром менее 50 мкм и, как следс 1- вие - повышение выхода годных...

Номер патента: 911633

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Водяников, Водяникова, Лопухин, Явнов

МПК: H01C 17/245

Метки: интегральных, подгонки, симметричных, схем

...от номинала, затем изменяют величину подстроечного резистора другой части и доводят до получения номинала, выходного параметра этой части.На фиг. 1 изображена принципиальнаяэлектрическая схена симметричного мультивибратора, подлежащего подгонке; на Фиг,2 - процесс подгонки по известному способу; на фиг.3 - то же, по предлагаемому способу; наФиг,4 - пример конструкции двух резисторов с общей стороной, приспособ"ленных для подгонки по предлагаемомуспособу; на фиг.5 - результат,испарения лазером общей стороны при одновременной подгонке резисторов; на Фиг.б - результат дополнительногоиспарения резистивной пленки резистора 8. 55Рассмотрим процесс подгонки наГ примере симметричной интегральной схемы (фиг. 1), содержащей подстроеч 3 4ные...