Архив за 1980 год

Номер патента: 711428

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Абушенков, Ильичев, Чернецкий

МПК: G01N 3/18

Метки: доступом, испытания, местах, образцов, ограниченным

...поокружности,имеющей общую. ось с осью барабанаи шарнирно закреплены на нем,Верхняя тяга 2, соединенная снагружающим механизмом (на чертежене показан), снабжена ограничительным щитом 5, установленным эквидистантно барабану.Нижний захват, выполненный в виде опорной трубы 6 с прорезью 7,расположенной на его нижнем торце взаимодействует со свободным кон.цом испытуемого образца, на который повернут сухарь 8,Механизм поворота барабана 1 состоит иэ диска 9, соединенного со стеРжнем 10, имеющим на нижнем конце коническую шестерню 11, передающую вращение барабану через шестерни 12 и 13, Диск 9 имеет шариковый упор 14, позволяющий точно устанавливать испытуемый образец в прорезь 7.Установка работает следующим образом, Перед испытаниями на...

Номер патента: 711429

Опубликовано: 25.01.1980

Автор: Щукин

МПК: G01N 3/28

Метки: давлением, упрочнения

...одном направлении намоточных барабанов, размещенных по разные стороныот узла для деформирования, и привода вращения барабанов.На чертеже приведена схема устройства,ОНО СОДЕРжит узел 1 для деформирования с каналами 2 - 4, привод 5 возвратно-поступательного перемещения узла для деформирования, дваустановленных с возможностью вращения в одном направлении намоточныхбарабана 6 и 7, размещенных по разные стороны от узла деформирования,и привод 8 вращения барабанов. Устройство работает следующим образом.Длинномерную заготовку 9 в ниде ленты или проволоки наматывают на барабан 6, пропускают ее конец через каналы 2-4 узла 1 для деформирования и закрепляют на барабане 7,Приводят во вращение барабан 7 с помощью привода 8, а узел 1 для...

Номер патента: 711430

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Алехин, Гочиташвили, Махарадзе, Турабелидзе, Цамалашвили

МПК: G01N 3/56

Метки: износ, испытания

...гидротранспортного трубопровода,Тензосопротивления между собой(имеется в виду соединение на каждом сегменте) соединены в полумост,который соединяют с усиливающим импульсы прибором (УИ) 5, имеющим необходимое количество усиливающихканалов (например, прибор 8 АНЧМ).Последний соединяют с вторичным (показывающим) прибором (ВП) 6. Давление в системе измеряют посредствомманометра 7.Устройство работает следующим образом.Когда в гидротранспортной системе будет достигнут определенный расход и давление усилие от нее начнетпередаваться к сегментам 1 экспериментального трубопровода, в резуль711430 формула изобретения Составитель И.Музычкинаедактор Л.Народная Техред М.Петко Корректор М.демч 999/29НИИПИ Росудпо делам35, Москва,Заказ Тираж 1019...

Номер патента: 711431

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Александрова, Охотников, Ротин, Хохлов

МПК: G01N 7/00

Метки: газовых, смесей

...разбавляемого компонента по значениям исходныхконцентрацийь газов, начального и конечного давления и числу и сбросов газа.Для получения газовой смеси определенного состава используется газовая схема, представленная на чертеже. Она состоит из смесительного сосуда 1, сосуда 2 с разбавляемым компонентом и сосуда 3 с газом-разбавителем. Дозой служит, например, капиллярная петля 4, под. соединенная к переключающему крану 5. Давление в системе измеряется по манометру 6. Вентили 7 и 8 отсекают сосуды,2 и 3 от системы. Сброс газа из дозы происходит через вывод 9. До смешения газов сосуд 1 заполняется газом-разбавителем из сосуда 3 до начального давления рН, которое фиксируется по манометру 6, Кран 5 в нижнем положении (доза...

Номер патента: 711432

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Вощанкин, Крутин, Лекае

МПК: G01N 9/00

Метки: вязкости, жидких, плотности, сред

...и его добротность снижается, При осевых деформациях зонда 1 его витки испыты". вают деформацию кручения, что приводит к возникновению крутильных сдвиговых волн в жидкости, Импеданс этих вязких волн нагружает колебающийся вдоль оси зонд так же, как и крутильные колебательные системы, демпфированные вязкой жидкостью. Колебания с деформациями скручивания создаются путем возбуждения поступательных колебаний вдоль оси зонда. Зонд, представляющий собой цилиндри ческую спираль, закреплен с двух концов, а возбуждающий преобразователь 3 помещен в середине зонда. Жесткие крепления представляют собой массивные опоры 2, на которых подвешен весь зонд.При деформации скручивания витков оцновременно происходит изменение расстояния между соседними...

Номер патента: 711433

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Акулич, Ставров

МПК: G01N 11/00

Метки: полимерных, реологических, характеристик

...причем тем больше, чембольше химическая составляющая усадки, Неравномерная толщина образцаоформляемого в приборе. обуславливает неравномерное поле температур иструктурных превращений, При испытаниях термореактивных полимерных ма. териалов с отчетливо выраженной экзотермической реакцией отверждения 30(полиэфирных, эпоксидно-фурановыхи др) наличие утолщений вызываетдополнительный градиент температур инапряжений вблизи захватов, приводящий к искажению поля структурных деформаций в рабочей части образца, аиногда и к разрушению образца в окрестностях утолщений . Это снижаетточность измерений и надежность эксперимента. наличие съемных полутрубок и стаканов усложняет конструкцию 40прибора,, Цель. изобретения - расширение диапазона...

Номер патента: 711434

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Ганкина, Панчешная, Приходченко

МПК: G01N 13/00

Метки: металлических, металлическую, нанесенных, основу, покрытий, пористости

...участку растворения металла основы, это свидетельствует о наличии пор в покрытии. Размер таких пор в пределе может быть равен даже десятым долям ангстрема, то есть соизмерим с ради" усом гидратиронанного иона металла основы. Гидратированные ионы металла основы могут при потенциалах актинационного участка беспрепятстнен - но проникать через поры, что характеризуется появлением кинетического участка растворения металла основы на контрольных кривых, Металл покрытия может находиться при этих по 5 тенциалах н пассивном состоянии, Отсутствие актинационного участка связанного с растворением металла основы на контрольной кривой свидетельствует о надежной защите такого металла от коррозии путем нанесения гальванического или...

Номер патента: 711435

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Байкин, Макаров, Натрусов

МПК: G01N 15/08

Метки: испытания, стеклопластика, стойкость, химическую

...и определяют физико-механические характеристики, путем сравнения их с характеристиками исходныхобразцов судят о химической стойкостистеклопластика.П р и м е р 1Испытания на .химическую стойкость проводили на образцахфутеровочного слоя для стеклопластиковых емкостей, имеющего структуру:гелькоут-слой монолитного связующегоПНс тикстропными добавками (1% 15 аэросила), толщиной 0,02 см и стеклопластиковая часть на ПН, армированная одним слоем стеклоленты ЛВВ и двумя слоями стеклохолста МБС. Образцыфутеровочного слоя изготавливали кон тактным способом, при этом для отверждения гепькоута применяли инициируюшую систему: перекись бензоила и диметиланилин в количестве 3 и 6 вес.ч.соответственно на 100 вес.ч, смолы, а 21 для стеклопластиковой...

Номер патента: 711436

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Глебов, Григорьев, Зусман, Эскин

МПК: G01N 17/00

Метки: испытания, теплообменных, устройств, элементов

...избыточного давления,Установка работает следующим обрезом.Испытуемый элемент 13 теплообменных устройств размещают в ввтокдвве 1и с помопью трубопровода 14 пропускаютчерез его внутреннюю полость теплоноситель, например пар, заполняют автоклав1 с помощью трубопровода 11 вгрессивной средой, Через некоторое время средазакипает. и бдагодаря регулировке давления клапаном 5 уровень раздела жидкойи паровой фазы может перемешаться повертикали вдоль испытуемого элемента13, который испытывает при этом попеременное воздействие пара и жидкости.Наличие трубопроводов 6 и 7 уравнивает давление в обоих циркуляционных контурах и создает единую тепловую схему, устойчивость которойзависитот параметровтеплоносителя и греющей среды, а такжеот...

Номер патента: 711437

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Гольдина, Кругляк, Прибытько, Рейзин, Стрижевский

МПК: G01N 17/00

Метки: агрессивности, вод, коррозионной, природных

...с закрепленным на нем электроприводом 4, который с помошью винта 5 перемешается по штативу 3.На валу 6 в эпектронривоп,. 4 установлен токосъем 7, в полости которого размещена втулка 8 из диэлектрического711437 Формул а и зоб ретец и я материала. На части токосьема 7 пред/3 назначенной для крепления образца 8, устае 1 овлена тефлоновая п 1)оклйпка 10, С токосъемом 7 взанмодей твует щетка 11 с помощью пружины 12 и гайки 13.Устройство работает следуюшим образом.В токосъем 7 ввинчивается испьпт.емый образец 8, затем на токос;.-.е:. надевается тефлоновая прокладка. 10,С помощью винта 5 электропрпвод перемешается по штативу 3, пока образец 9 не погрузится в воду. Включает ся электропривод 4 ня заданныеооороты и образец вращается в воде...

Номер патента: 711438

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Егоренков, Красовский, Палий, Рогачев, Тишков

МПК: G01N 19/04

Метки: металлами, неэлектропроводных, покрытий, разрушения, соединений, характера

...9 и систему измерения интенсивности отраженного потока метапла.Система состоит из последовательно расположенных усилителя 10 и самопишущего ампервольтметра 11, подсоединенныхк датчикам 7.Сущность способа заключается в следующем.К покрытию адгезионного соединения,состоящего из неэлектропроводного покрытия, нанесенного на металлическую подложку, прикпадывают усилие отрыва доразрушения одним из известных способов,например методом отслаивания.Металлическую подложку 3 со следами участков адгезионного и когезионного разрушений покрытия 4 устанавливаютна опору 2 вакуумной камеры 1. К нити5 накаливания, выполненной из свинца,и расположенной над поверхностью разрушенного соединения под углом 10между экранами 6, прикладывают напряжение...

Номер патента: 711439

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Артемова, Краснов, Пак

МПК: G01N 25/18

Метки: зданий, качеств, оценки, покрытий, теплотехнических

...из обычного бетона значительцо выше максимальной сорбционной. Это обычно и наблюдается в поМинеральная вата 160 1439 4Капидлярцос увпажцс нце материаловпри непосредственном контакте с водойзначительно выше их максимального сорбциоцного увлажнения. Одцако, если материал отделен от воды другим пористымматериалом, то капиддярцое увлажнециезначительно снижается, так как в этомслучае в подсосе участвует только частькапилдяров. При соответствующем выбо 1 О ре утеплителя и материала несущей конструкции, е также толщины последнего,можно определить такую комбинацию, прикоторой капиллярное увлажнецие утеплителя через слой материале несущей конс 15 трукции определенной толщины будет меньше максимального сорбциоцного увлажне-ния этого утеплителя....

Номер патента: 711440

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Бардин, Мохов, Пасечнова, Целинский

МПК: G01N 21/24

Метки: бис-3-амино-1, количественного, триазолила-5

...основного вещества фотометрируют относительнораствора сравнения.Из исходного раствора, приготовленного по методике, изложенной в примере 1,с содержанием бис-(З-амино,2,4-триазопила) 100 мкг/мл, отбирают аликвоты 2,0; 4,0; 6,0; 8,0 и 10,0 мл, помешают их в сухие мерные колбы емкостью50 мл и разбавляют до объеме 35 мл 5520% -цой серпой кислотой.В первую колбу вносят 10 мл сульфаниловой кислоты и Одцовр меццо включаютсокундсм; р Злтг м содаржимог колби после приготовления первого раствора аналогичным обрезом готовят раствор во второй колбе, через следующие 5 мин - в третьей колбе и т. д.По истечении 30 мин с люмецтл приливания в каждую колбу сульфециловой кислоты приготовленные растворы фотометрируют относительно рестворл сравнения в...

Номер патента: 711441

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Баранов, Земскова, Сатарина

МПК: G01N 21/26

Метки: веществ, концентрации, спектральный

...оптической помехи.. )1 ель изобретения - повышение точности анализа.Это достигается тем, что оптическую плотность аналитической ячейки определяют на резонансной линии анализируемого элемента при двух значениях ее ширины, на которых коэффициенты атомного поглощения отличаются в 2-10 раз, причем коэффициенты атомного поглощения определяют при двух значениях ширины резонансной линии, а затем рассчитывают концентрацию по формуле-2с= -А;,й Спектральный способ определения концеятрации веществ с учетом неселективного поглощения при проведении атомно-абсорйионного анализа,вклГочающий измерение оптической плотности аналитическойячейки,определение коэффициента атомногопогдошения на единицу концентрации ирасчет по полученным данным...

Номер патента: 711442

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Захарченко, Коломиец

МПК: G01N 21/46

Метки: градиентов, показателя, преломления

...по обратно-круговой схеме, образованный призмами 2 и 3. В одном из плеч интерферометра установлена кювета с исследуемой средой 4. На вьсходе интерферометра установлена схема измерения ширины интерференционных полос, состояшая из диссектора 5, частотомера 6 и узла управления 7.Устройство работает следуюшим образом. Пучок света от источника 1 попадает в интерферометр по обратно-круговой схеме, образованной призмами 2 и 3. При этом через иссле дуемую срелч световые пучки проходят один и тот ж путь (через одни и те же участки) в противоположных направлениях, и при наличии в этой среде градиентов показателя преломления отклоняются, причем углы отклонения световых пучков имеют противооложныо знаки, в то вр мя, как019 Подп аказ...

Номер патента: 711443

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Городкин, Маршак, Новиченок, Шульман

МПК: G01N 25/18

Метки: жидкообразных, мелкодисперсных, сред, теплопроводности

...крайе затруднена.Целью изобретения является увеличение.точности измерения.Достигается это тем, что измерсннпроводят в квазистаццонарном режимсс помощью двух зондов, один из которых помешают в эталонную среду, лру3 7 гой - в испытуемую, затем одновременно подают ца оба зонда постоянное и равное напряжение и измеряют отношение температур зондов, мецяют местамц зонды и снова повторяют измерения и искомую величину находят цо формуле4 Э Э х= Я2 Э где Ъ - теплопроводность эталоннойсреды, ЦЭДЭ 2, - температуры зондов в эталонной и испытуемой средах 2 при первом и повторном измерении соответственно. Способ осуществляется следующим образом,Один зонд вводят в эталонную среду, другой - в испьггуемую, при этом подают одновременно на зонды...

Номер патента: 711444

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Костылев, Луценко, Плескаченко

МПК: G01N 25/32

Метки: датчика, преобразовательное, термокаталитического

...внутри камеры преобразо 5 вателя вдоль его оси. Частицы катали 44 4Это достигается тем, что чувствительный элемент преобразовательногоустройства расположен на наружной поверхности реакционной камеры по всейее длине. Кроме того, камера выполняется из тонкостенной металлической трубки, у которой отношение длины к диаметру выбирают равным 25 и больше. Такое расположение чувствительного элемента принципиально позволяет уменьшить диаметр реакционной камеры преобразовательного устройства до необходимых размеров и увеличивать ее длинубез относительного увеличения ее обьема,что обеспечивает условия для полногоокисления горючих компонентов и минимизацию потерь тепла реакции окисленияс потоком анализируемого газа, В этомслучае, поток тепла...

Номер патента: 711445

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Альжанов, Бахмач, Бейсембаев, Гиниятуллин, Ишханов, Кунаев, Левинтов

МПК: G01N 25/32

Метки: кремния, марганца, совместного, содержания, сплавах, твердых

...проб феррофосфора от содержания в них марганца, приведенныхк нулевому содержанию кремния, Однаждынайденные коэффициенты , , " впоследуюшем используются как постоянные. Термоэдс проб феррофосфора измеряются в паре с элементами сравнения из технически чистого железа.Пример конкретното выполнения способа,Из жидкого расплава феррофосфора отливаются две пробы в разъемные металлические формы. Проба феррофосфорадля определения содержания марганцаотбирается в металлический кокиль свнутренним диаметром 10 мм, После заливки .сплава кокиль быстро раскрывается и проба сбрасывается в ведро с .холодной водой. Проба феррофосфора для определения содержания кремния отбираетсятакже в металлический кокиль с внутренним диаметром 10 мм. После...

Номер патента: 711446

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Ковтун, Якушев

МПК: G01N 25/62

Метки: влажности, газа

...Ч - расход сухого градуировочного газа при нормальных условиях,т,е, при Т = 273 К и Р = 760 ьи рт,ст дР аРЗ - потеРи Давления суХОго градуировочного газа при прохождении его через капилляры 2 и 3, соответственно, при температуре градуировочного газа Тг и давлении его Рг, кгс/м .При прохождении влажногогаза с удельно весом в через капилляр 2 с температурой ТВ и давлением РВ при определенном расходе этого газа потери давления с учетом (1) будут равны: где Р,тЩт, В ав Р .тоР в площа поперечного сечения капилляра 2, м ; Чв и Лов - расход влажного анализируемого газа и его удельный вес при нормальных условиях Таким образом: М РтоВоВ. Э 12 236 ОО % /ОВРТ ) (6)1 ВоАналогичным образом получаем зависимость для потерь давления этого же газа, но...

Номер патента: 711447

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Лыгач, Набиулин, Ратобыльская, Сергеева, Стружков

МПК: G01N 27/02

Метки: жидкого, концентрации, стекла

...зависимости электропроводности от концентрации предварительно разбавляли определенный объем известной концентрации жидкого стекла расчетным количеством солевого раствора смеси щелочных и шелочноземельных металловМи измеряли эпектропроводность разбавленного раствора. й состав раствора для разбавления жидкого стекла (мг/д) 8,54 0,19- 3,55- 0,2-0,35 2,39- .2 е 39- 0,41- 5 у 87- 3,072995 295 -0187 -7 э 06 - ЗЭ 16 24,4 -1,47 -6,5 Разбавление исходного раствора жидкого стекда данным ссаевым раствором в отличии от разбавления водой исключает 40 влияние переменного качества последней на результаты измерения и тем самым повышает чувствительность и точность анализа.; На чертеже приведена кривая зависимос ти электропроводности растворов жидкого...

Номер патента: 711448

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Урусов, Хитьков

МПК: G01N 27/02

Метки: ионообменных, мембран, электропроводности

...диски отдеО ляют ст поршней, извлекают из камерыи проводят замену ссответствуюшцх элеМЕНТОВ,Использование предлагаемого устройства позволяет измерять электропровод 15 ность иоцсобмеццых мембран, сопротивление которых различается в широком диапазоне, а также изучать зависимостиэлектропровсдцости и других электрических величин, например емкости и цмпедан 2 О са систем электрод - ионообменная мембрана, от материала электрода, геометрических размеров электродов и мембраны,.влагосодержапия,температуры усилияпр 11 жятия электродов, что особенно важно прц подборе систем электрод - ионообменная мембрана для топлив 1 лых элементов, датчиков влажности с электрическимсчитыванием ц т,ц,1 якОБ ц 1 с труктц 1 эц эе ре 111 ецл е ОбеспеЧЦВЯЕТ ЦЗ 1...

Номер патента: 711449

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Зибров, Шевяков, Якименко

МПК: G01N 27/02

Метки: анизстропии, кольцевом, образце, удельного, электросопротивления

...радиального паза колодка, зонды, пружины иштифты расположены симметрично, причемобеспечен одновременный контакт с обраэ 20 цом. Дополнительный зонд 8 укрепленсвободно в колодке 24 смонтированнойВ измерительную цепь введен зонд 8, жестко в обойме, и прижат к реохорду а в качестве измерительного прибора цилиндрической пружиной 25. Один иэ использован двухкоординатный самописец штифтов 23 выполнен в качестве зуба 9. Основные зонды 10 включены на один 5 26 обоймы. Ограничитель же 27 угла вход ( Я ) самописца, а дополнительный вращения обоймы запрессован в корпус.8 - на другой вход ( К ). Зонды укреплены Токосъемники 2 образца выполнены в вина валу 1 1, установленном соосно образ- де стопорных винтов, оси которых паралцу и реохорду....

Номер патента: 711450

Опубликовано: 25.01.1980

Автор: Ройфе

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, емкостной, первичный

...из фторопдаста.Преобразователь работает следующим образом.При контактировании рабочей поверхности преобразователя с поверхностью исследуемого материала в последнем наводится электрическое поде, напряжен ность которого постепенно убывает по глубине материала. В зависимости от того, какой из низкопотенциадьных электродов подключен к измерительной схеме, степень убывания напряженности поля 30 по глубине материала будет различна. На фиг, 3 изобракены .зависимости относительной напряженности поля (3 от глу-бины материала ф (цифры на кривых соответствуют индексу при а на фиг. 2), з При поочередном подключении к измерительной схеме каждого из низкопотенциадьных электродов 3,4,5,2 емкость, первичного преобразователя при соответствующем...

Номер патента: 711451

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Барабаш, Гиганов, Гольдштейн, Подгорный

МПК: G01N 27/22

Метки: дипольных, моментов

...для прекрашсния тока в соленоиде, а значение тока вэтот момент является функцией плотности.Используя измеренные значения диэлектрической процицаелюсти и плотности Определяют далее дипольегый л 1 олле и,Таким образом, погрешность измеренияплотности входит в погрешность опр.деления дипольного момента,Измерение плотности в этом усгройстве осуществляется по зцачсШию тока соленоида в момент отрыва поплавка, Момент отрыва определяется по измен .циючастоты контура, вълвацполу и: м цепи м3 :,;г" и 11 ду 1 тив 11 ости т(атушки за .счет уяале(1 ия маГнитнОГО включения соде 1 эжашеГОсяв поплавке,Точность измерения плотцосги, такимобразом, будет тем выше, чем выше крутизна перестройки, т.е, чем меньшее расстояние пройдет поплавок для того,...

Номер патента: 711452

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Бочвар, Капитонова, Киткина, Лысова, Седлецкий

МПК: G01N 27/42

Метки: анодного, изолирования, меди, основе, сплавов, фазы, электролит

...объема, переводят в мерные колбы и определяют содержание в нем меди, марганца, железа, алюминияпо методикам, общепринятым в аналитическойхимии, После выполнения химического анализарассчитывают процентное содержание элементов анодного осадка к убыли массы сплава,а также массовый процент каждого элемента вфазовом осадке.Изучение структуры изолированных фаз осу.ществляют рентгеноструктурньм методом наанодных осадках, выделенных с параллельныхобразцов. Исследование проводят на установкеУУС - 60 в медном Ка.излучении. Идентификация фаз проводится по картотеке АЯТМ.Результаты химического и рентгеноструктурного исследования приведены в таблице. рение основы медных сплавов. Вместе с тем при концентрации свободных молекул аммиа. ка ) 0,5 М и...

Номер патента: 711453

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Васильева, Юстус

МПК: G01N 27/48

Метки: полярографического, рения

...еще раз, Объединенные растворы карбоната натрия выпаривают до малого объема, затем на водной бане досуха. Остаток растворяют в5 мл 25% аммиака, вводят 3,5 мл 9 н 35 роданида калия, 0,2 г комплексона Ми 0,3 г Мс 3 ,30 раствора переносят водой в мерный цилиндр емкостью 10 мл,нагревают, затем охлаждают и полярографируют от 1,0 вольта ( Нф - донная).Результаты определения рения в сериирастворов приведены в таблице.Таблица Экстракци Не обнаруже створа 0,1 ени Э+ Не обнаруже 12 кстракция из р:ения 3 7 ния ниже 210 %. Определению мешают цинк, теллур, таллий, хром, медь, свинец,. ванадий, Кроме того, этот способ не позволяет использовать более высокочувствительные полярографы переменного тока, вследствие необратимости электродного...

Номер патента: 711454

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Касаткин, Кукавадзе, Суворов, Требуховский

МПК: G01N 27/62

Метки: игольчатых, исследования, образцах, объемного, примесей, распределения, твердых

...м онов вольт л 1 ошыо ЭВМ О.редел ть 11 арам трь вна сантиметр, а также возможностями уравнении, описываюшем эту кривуюг обосуществления высоковольтной изоляции шии вид этого уравненитлв ионных источниках серийных (промыш Д=ц" у,р(с), (4)денных) масс-спектрометров. Затем на где: О,Ъ,С - параметры ( )О, СО ) .образец подается поте 11 иал , наА алогичная зависимость имеет мес-10 - 40% превыцаюший потенциал испа- то и для примесей, равномерно распререния полем ОГ(т.е. значение, соотделенных по обьему образца,ветствуюшеэ равенству нулю энергии Если магнитное поле масс - анализаактивации испарения полем О), Нля дан тора настроено на массу анализируемойной методике указанный потенциал ( ОО ) римеси что регистрируемая на...

Номер патента: 711455

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Витовтов, Гарченко, Терехов, Шаблий

МПК: G01N 27/72

Метки: датчик, магнитной, обогащения, продуктах, содержания, фракции

...входнымсигналом и и выходным параметром. 15На фиг. 1 представлена схема датчика содержания магнитной фракции в продуктах обогащения предложенной конструкции; на фиг.2 - его эквивалентная схема магнитной цепи.Датчик содержания магнитной фракции в 20продуктах .обогащения содержит разомкнутуюнеразветвленную магнитную цепь, в разрывымагнитопровода 1 (ХВ,ВП, В В,)кото. рой установлены два концентратора 2 магнитного поля, между которыми закреплен магииторезнстор 3 (чувствительный элемент, Вм р. ),постоянный магнит 4 (источник магнитодвижущей силы, м.д.с) и переменный магнитныйрезистор 5 (Яр), обеспечивающий установкудатчиков на "О" и коррекцию выходного пара З 0метра чувствительного элемента по мере старения конструктивных...

Номер патента: 711456

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Добровицкий, Зацаринный, Кириллов, Нежельский

МПК: G01N 27/78

Метки: доменной, парамагнитные, сегнетоэлектриков, содержащих, структуры, центры

...в резонатор с приставкой, по. зволяющий фиксировать и снимать покаэагпя об ориентации образца в постоянном магнит. ном поле, снимается зависимость спектров ЭПР от ориентации образца в постоянном магнитном поле, В большинстве случаев применяемые методы регистрации сигнала ЭПР позволяют регистрировать не сам сигнал, а его производнуй по полю. В этом случае необходимо дважды проинтегрировать полученный спектр для опре. деления интегральной интенсивности сигнала.Пример применения предложенного способа,Изучались моно и полидоменные кристаллы РЬТО, с добавлением ионов Ее . Парамагз нитными центрами являются ионы Реэ. Наэм фиг, 1 представлена, зависимость спектра ЗПР монодоменного кристалла от ориентации образца в постоянном магнитном поле...

Номер патента: 711457

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Зацепин, Станкевич, Шапоров

МПК: G01N 27/86

Метки: качества

...соединенсо входом функционального преобразователя 5и с информационным входом блока 6 памяти.Выход функционального преобразователя 5 связан со вторым входом компаратора 3, с выхода которого сигнал поступает на управляющийвход блока 6 памяти, связанный выходом свходом индикатора 7,Устройство работает следующим образом. 20Сигнал, несущий информацию о контролируемом изделии (на чертеже не показано), по.ступает с преобразователя 1 в измерительныйблок 2, где выделяется нужная информацияо контролируемом параметре, На вход функци. 25онального преобразователя 5 подается линейно изменяющееся напряжение с генератора 4.Сигнал с выхода измерительного блока 2 и сиг.нал с выхода функционального преобразователя 5 сравниваются по модулю с помощью...