Патенты с меткой «транзисторных»

Двухтактный сумматор параллельного действия на феррит транзисторных элнментах

Загрузка...

Номер патента: 122940

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Павлов, Бедров, Носиков, Беляев

МПК: G06F 7/50

Метки: сумматор, действия, двухтактный, элнментах, параллельного, феррит, транзисторных

...частичного перенося. Сложение чисел производится за двз тяктя: в первом такте производится частичный перенос на оди; разряд непосредственно после сложения, во втором такте производится сквозной перенос.При умножении чисел сквозной перенос производится после всех сложений, что существенно сокращает время выполнения операции.Принцип работы сумматора показан на чертеже, В нижние кольца ячеек тактового переноса А поступают единицы переноса с триггеров Б, Эти импульсы записываются верхними кольцами вентилей В.При подаче на вентил 11 списывя 1 О 1 нсго тактового 11 п 1 лься сигнал переноса с выхода вентиля поступает в следующий разряд. На этом операция частичного переноса заканчивается, и в сумматор снова подается следующий код числа, и все...

Цифровой анализатор времеиных характеристик транзисторных схем

Загрузка...

Номер патента: 297011

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Земл, Риссе, Макальский, Яроменок

МПК: G01T 7/00

Метки: характеристик, схем, времеиных, анализатор, транзисторных, цифровой

...15,0 мксек и т. д. 5 10 15 20 2 б 30 35 40 45 50 55 4Анализируемые тест-импульсы с выхода испытываемой схемы 32 через эмиттерный повторитель 88 и инвертор 39 подаются на первый вход схемы вычитания 40. На второй вход схемы вычитания через эмиттерный повторитель 41 и усилитель 42 подаются запрещающие импульсы.Сигналы вырезок, получаемые на выходах схемы вычитания 40, анализируются системой амплитудных дискриминаторов 43 - 45, порог и срабатывания которых соответственно равны 0,1; 0,5 и 0,9 от максимальной амплитуды анализируемого импульса.Срабатывание дискриминаторов вызывает переброс триггеров 46 - 48.11 ри заполнении счетчика 22 восемью импульсами на его выходе появляется управляющий сигнал, который регистрируется счетчиком 14,...

Выводы преимущественно для маломощных транзисторных триодов

Загрузка...

Номер патента: 306598

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иевннь, Крумин, Видениекс

МПК: H05K 13/04

Метки: триодов, выводы, транзисторных, маломощных, преимущественно

...выводами предлагаемой конструкции; на фиг. 2 - впаянный в печатную плату твердый вывод транзисторного триода в разрезе.Твердые выводы 1 маломощного транзисторного триода 2 изогнуты в виде незамкнутой петли 3, конец 4 которой отогнут под прямым углом в направлении от продольной оси петли.Монтируются выводы следующим ооразом.Благодаря нижней округленной части петли вывода транзисторного триода выводы плавно вставляют в отверстия 6 печатной платы 6. При этом отогнутые концы 4 выводов ориентируют триод и служат упором при закреплении выводов в печатной плате 6. Петля вывода несколько шире отверстия в печатной плате, благодаря чему выводы упруго ус танавливаются в печатной плате и не выпадают в процессе монтажа.Нижняя часть петли вывода...

Преобразователь числа импульсов в двоичный код на феррит транзисторных ячейках

Загрузка...

Номер патента: 330552

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Портнов, Портнова

МПК: H03K 23/76

Метки: числа, код, ячейках, импульсов, транзисторных, феррит, двоичный

...13 достигается полное подавление сигнала помехи в базовой цепи транзистора,По мере зарядки конденсатора начинает протекать ток по обмотке 10 трансформатора 6 блока 2, а по меое зарядки конденсатора направление намагниченности трансформатора 6 блока 2 изменяется. Транзистор блока остается запертым, выходной сигнал блоком 2 це формируется. После завершения пересцагничивацпя сердечника трансформатора 6 блока 1 конденсатор 17 разряжается через резистор 20 и обмотку 10, обеспечивая плавное уменьшение тока перемагничивания сердечника трансформатора 6 блока 2 в состояние 1.При поступлении следующего импульса от блока 1 ток зарядки конденсатора в обмотке 7 трансформатора б блока 2 вызывает перемагничивание сердечника в состояние О. В...

Устройство для защиты линейных транзисторных

Загрузка...

Номер патента: 354510

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гришко, Гильман, Муратов

МПК: H02H 9/06

Метки: транзисторных, линейных, защиты

...усилителей дальней связи откратковременных импульсных перенапряжений, содержащие два нелинейных элемента,выполненных, например, в виде последовательно и встречно включенных стабилитронов 10и .подключенных соответственно к концамстанционной обмотки линейного трансформатора, вносят дополнительные нелинейные искажения в тракт аппаратуры связи вследствие наличия значительной проходной емкости 15стабилитронов,фильтра нижних частот и кремниевые стабилитроны б и 6.Устройство работает следующим образом.При отсутствии импульсов кратковременных перенапряжений со стороны линии связи благодаря наличию фильтра нижних частот, включенного в разрез цепочки стабилитронов, токи рабочего спектра частот системы связи, например в диапазоне частот 60...

Устройство для проверки к восстановления транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 434341

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Горохов, Хррошков, Изобретеии, Выгловский

МПК: G01R 31/28, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: восстановления, транзисторных, структур, проверки

...точ теля, а один из полюсов этого соединен с источником напрян прямитель.На чертеже схематично из лагаемое устройство,Оно включает в себя характериограф 1,группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, тслефонныш ролпковып ключбез фиксации ролика и контактный О стол 8.Устройство работает следующим образом.Пластину 9, имеющую многоэмпттерныеструктуры, состоящие из гг параллельно соединенных менгду сооои ячеек, каждая из кото рых содержит р - гг-переход и последовательновключенное в цепь эмиттера балластное сопротпвлеьп 1, помещают на стол 8 и подводят зонды так, ч;обы зонд 2 располагался на базовой контактной плогцадке, а зонды 3 и 4 - 30 на эмиттсрных.434341 тавнтель 3. ЧелноковаТекред Н. Куклина едактор рлова...

Способ селективного формирования источника базы при изготовлении транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 521802

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Янушонис, Шеркувене

МПК: H01L 21/473

Метки: формирования, изготовлении, селективного, базы, транзисторных, источника, структур

...областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легируюший и экранируюший слои имели бы одинаковые размеры, а ширина маскирующего слоя была бы меньше; их нв двойную ширину эмиттера, формируют с помощью травктеля, растворяющего маскирующий и легируюший спои со скоростью большей, чем экрвнируюший. Концентрированная фтористоводородная кислотаЛедянв уксусная кислотаОднопроцентный растворщавелевой кислоты Концентрированная ортофосфорнвя кислотаКонцентрированная фтористоводородная кислота с помощью травителя, растворяющего маокирующий и легируюший слой со скоростьюбольшей, чем экранируюший слой. 1 равление. производят травителем К, включаюшим О-травитель, в состав которого входит, об, ч:5Концентрированная...

Способ изготовления транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 526221

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Банюлис, Янушонис, Шеркувене

МПК: H01L 21/00

Метки: структур, транзисторных

...пластины сструктурой для создания эмиттерв и контакта базы.Нв поверхности кремниевой пластины1 методом объемной фотолитографии формируют структуру 2 из неоднород;ого 4 Опримесного стекла, содержащего легируюший слой 3 с базовыми примесями, например боросиликатное стекло, нанесенное центрифугированием из легирующихкомпозиций, слой 4, экрвнируюший про- ,4тив окислительной,атмосферы при термическом окислении, например влюмосиликатное стекло, нанесенное реактивнымраспылением, и маскирующий слой 5, например слой двуокиси кремния, нанесенный высокочастотным распылением. Приформировании структуры всегда образуется клин 6 травления, который обусловливается изотропным травлением и зависитот соотношений скоростей травления слоев, 65от...

Способ формирования источника базы при изготовлении транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, формирования, транзисторных, структур, источника, базы

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Устройство для испытания транзисторных матриц

Загрузка...

Номер патента: 750401

Опубликовано: 23.07.1980

Автор: Петухов

МПК: H01L 21/66, G01R 31/28

Метки: матриц, испытания, транзисторных

..."О", а триггер второго разряда - в состояние "1".В результате на выходе 10 формируется задний фронт испытательного импульса, а на выходе 11 - передний 40 фронт следующего испытательного импульса.Длительность сформированного навыходе 10 импульса равна Т Аналогично формируются импульсы на выходах 11-15,с которых эти импульсы по отдельным каналам поступают на соответствующие этим выходам матрицыеПо окончании Формирования на выходах 10-15 распределителя импульсов ,длительностью Твсе разряды устанавливаются в состояние "0", срабатывает многовходовая схема совпадения 21, и сигнал через интегрирующую цепь 22 поступает на вход генератора одиночных импульсов 23. Этот генератор формирует одиночный сигналв момент времени "2 Т", по...

Способ компенсации остаточных параметров транзисторных ключей

Загрузка...

Номер патента: 769738

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Котельников

МПК: H03K 17/60

Метки: параметров, остаточных, компенсации, транзисторных, ключей

...компенсации транзисторных ключей произведено на эквивалентной схеме транзисторного ключа, показанной на фиг. 2,При подсоединении источника напряжения с резистором 8 нагрузки или генератора тока к электроду 2 транзистора так, чтобы ток нагрузки протекал через переход эмиттер-коллектор или коллектор-эмиттер в направлении от управляемого электрода 4 к электроду 2, между электродами 2 и 4 получаем эквивалентное остаточное напря жснис 4 для схемы включения с общимэ. иттером 1., (э) =1. (э)+1, (э) - 1(1)51где 1 б(э) = - с,и и р, - тепловой посциал транзистора;я, - коэффициент передачи гока эмит- О т;ра транзистора;=гА и 1 б(э)1 б где Уб - ток управления базы.15 Соответственно для схемы включения с общим коллектором имеем 1 э(к) 1 0(к) +1 б(к)...

Прибор для проверки транзисторных регуляторов напряжения автомобильных генераторов

Загрузка...

Номер патента: 859228

Опубликовано: 30.08.1981

Автор: Онишенко

МПК: B60S 5/00

Метки: проверки, прибор, автомобильных, регуляторов, транзисторных, генераторов

...16 включена индикаторная лампа 19, а между выходом регулятора 16 и общей шиной включена индикаторная лампа 20, Вольтметр 21 подключен к делителю 22 напряжения дополнительного стабилизатора напряжения, включенного перед компенсационным стабилизатором, состоящего из стабилитрона 23, резисторов 24, 25 и делителя 22 напряжения, Параллельно входу выпрямителя 5 включен конденсатор 26. На выходе компенсационного стабилизатора напряжения установлен резистор 27. Резистором 13 изменяется напряжение на выходе компенсационного выпрямителя в пределах от 12 до 16 В, резистор 15 служит для ограничения тока до 5 А на выходе компенсационного стабилизатора при случайных коротких замыканиях. Для удобства чтения показаний вольтметра его шкала...

Способ настройки, преимущественно спусковых транзисторных функциональных узлов на навесных элементах

Загрузка...

Номер патента: 1008677

Опубликовано: 30.03.1983

Автор: Котровский

МПК: G01R 31/26

Метки: транзисторных, преимущественно, спусковых, настройки, функциональных, навесных, элементах, узлов

...разбросатранзисторов по параметру р 1 Е наминимально допустимую амплитуду запуска.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ настройки спусковыхсхем,по которому функциональные узлы,15.( ФУ) проверяются при мини,альном значении напряжения источника питания(Ер мив);максимальном значении напряженияисточника смещения (Е мк ) сначалапри температуре воздуха 15 - 25 С, азатем при понижении или повышениитемпературы ФУ до значении, при которых ФУ еще должен работать в соответствии с требованиями техническихусловий на этот тип ФУ (2 1. 25Недостаток данного способа заключается в том, что он не позволяетоценивать влияние технологическогоразброса параметров навесных транзисторов на работающих ФУ,30Цель изобретения - повышение качества и...

Устройство для контроля транзисторных регуляторов напряжения

Загрузка...

Номер патента: 1026090

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Фефелов

МПК: G01R 31/28, H02P 9/30

Метки: регуляторов, транзисторных

...питания через контакты двух реле, управляемых кнопками. Между положительными клеммами выпрямителя и прибора включен амперметр 3 .Такое устройство для контроля регуляторов напряжения характеризуется недостаточной точностью измерения напряжения настройки регуляторов по причине несоответствия режима контро.- ля реальному режиму работы с генератором, неудобством и неточностью отсчета показаний вольтметра в момент перключения светодиодов, а также сложностью схемы.Цель изобретения - повышение качества контроля и упрощение эксплуатации.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для контроля тран.зисторных регуляторов напряжения, содержащее источник питания постоянного тока, плюсовсй вывод которого соединен с выходной клеммой ПЛЮС,...

Способ контроля и прогнозирования технического состояния усилителей мощности транзисторных связных передатчиков с амплитудной модуляцией по ширине полосы частот сигнала несущей частоты

Загрузка...

Номер патента: 1601593

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Ивушкин, Колосов, Лоссовский, Вахрин

МПК: G01R 31/30

Метки: связных, несущей, частоты, состояния, передатчиков, прогнозирования, модуляцией, полосы, частот, усилителей, технического, транзисторных, сигнала, ширине, амплитудной, мощности

...представлена структурная схема устройства, реализующегоспособ, 15Устройство содержит входную клемму 1, ответвитель 2, анализатор 3спектра и эквивалент 4 антенны. Начертеже также показан объект 5 контроля (передатчик).20Способ осуществляют следующим обазом,Переводят передатчик в режим отсутствия модуляции сигнала на выходеН измеряют ширину полосы частот сигНала несущей частоты по показанияманализатора 3 спектра. Далее провоят сравнение полученного значенияо паспортным значением данного параМетра, указанным на контролируемый 30передатчик, и по отношению измене -Ния ширины полосы частот сигнала несущей частоты к ее предельному знаЧению определяют остаточный ресурс.Уширение полосы частот сигналан 1 есущей (СН) с наработкой...

Способ изготовления транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 795311

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дыбовская, Косенко

МПК: H01L 21/02

Метки: транзисторных, структур

...подложку легируют примесью до удельного сопротивления, по крайней мере, в 10 раз меньше сопротивления базовой области, а ограниттера и облаающий эпиющийся хода годйых насыщения дложку леги- сопротивлераз меньше ти, а формизовой облаей стадии труктуры от. и сформированной сильнолегированной областью эмиттера 8 и ограниченной Областью 7, На фиг. 4 изображена сформированная транзисторная структура с изготовленной змиперной 9 и базовой 10 металлизацией и оттравленными канавками 11, ограничивающими базовую область 2.В качестве конкретного примера исполнения приведена технология изготовления мощного кремниевого транзистора типа КТ 805,Исходным материалом является кремний электронного типа проводимости с удельным сопротивлением 0;01...

Способ изготовления -р -транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 1373231

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Сосницкий, Глущенко, Дудиков

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторных, структур

...среде с расходами газовых потоков: фосфор н качест73231 3 13ве раэбавителя - 290 л/ч, кислород "50 л/ч, азот и качестие носителя15 л/ч с температурой поддержаниядиффуэанта 18 С,Одновременно с диффузионной загонкой фосфора и эмиттер осуществляютдиффузию фосфора в окисел и образование ФСС как над первичным и базовым окислом, так и над эмиттернойобластью толщиной 0,12-0,18 мкм. Затем наносят маскирующее покрытие,например фоторезист ФП 388 толщинойй 0,6 мкм, и через фотошаблон с использованием проекционной печати осуществляют фотокопию с топологическимрисунком, позволяющим удалить проявителем (0,6 Е КОН) фоторезист с высоколегированных областей эмиттера и сприлегающих к ним участков шириной0,18-1,2 мкм.Удаление высоколегированного...

Способ изготовления -р -высокочастотных транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 1499602

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Шамардин, Исаев, Кастрюлев

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторных, структур, высокочастотных

...к еще более нежелательномупрофилю легированця, а следовательно, к уменьшению эффективности эмггтера в объеме полупроводника посравнению с поверхностью и снижегзигоусилительных свойств транзисторов.В конкретном примере козгичествопримеси в подложке регулируется дозой и энергией ионов. Так, при использовании барьерного слоя Бз.О толщи 2ной 0,27 мкм для внедрения в подложку 16 примеси используется ионныйпучок с энергией "66,5 кэВ, а длявцедрегня 50 . примеси энергия пучкасоставляет .- 86,3 кэВ.Пример конкретного исполнеггия способа,Па полупроводниковой подложкекремния и-типа проводимости с удельным сопротивлеггем р = 0,3 Ом смц с ориентацией поверхности вдолькрзсталчографгческих осей плоскости(100) Формируют барьерцьд слой двуокиси...

Способ изготовления быстродействующих транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Грищук, Гальцев

МПК: H01L 21/306

Метки: транзисторных, структур, быстродействующих

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Способ изготовления вч транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 867224

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторных, структур

...в кислороде с аргоном на установке УВПосуществляют плазмохимическое осаждение маскирующего диэлектрического покрытия в двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, Фотогравировкой вскрывают эмиттерное окно 7 и плазмохимическим способом в течение 5 мин во фреоновой плазме хладона 14 (тетрафторид СР 4) под давлением 44 Па, используя маскирующие свойства фоторезиста, вытравливают примесный слой 8 на глубину, большую глубины его залегания на 0,45 мкм. После снятия фотореэиста и отмывки пластин в перекисно-аммиачной смеси производят термическую разгонку базового примесного слоя 9 при температуре 1150 С вначале в сухом кислороде в течение б мин, а затем в нейтральной азотной среде до глубины 4 мкм. После стравливания тонкого слоя двуокиси кремния с...

Способ изготовления высокочастотных транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 1114242

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных, высокочастотных

...нитрида кремния; на Фиг,2 показаны полупроводниковая подложка,высокоомный п-слой, маскирующее поверхность покрытие, образующее выступ между высоколегированными областями противоположного подложке типапроводимости, составляющей 0,2-1,0от максимальной толщины разогнаннойвнешней базы; на Фиг.3 показаны подложка, высокоомный слой, маскирующеепокрытие, разогнанные внешние базовыеобласти с маскирующим диэлектрическим покрытием и активная база, созданная разгонкой примеси из легированных областей до.их смыкания; нафиг. 1 - показаны подложка, высокоом 1ный слой, внешняя база, активная базаи эмиттерная область; на Фиг,5 - показана завершенная высокочастотнаятранзисторная структура, включающаявысоколегированную полупроводниковуюлсподложку и...

Способ изготовления вч и свч кремниевых n p n транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 766416

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Борзаков, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, свч, транзисторных, кремниевых

...слоя, непревышающая 0,35 мкм, выбрана исходя изсоображений эффекта торможения этогослоя для ионов бора с ускоряющим напряжением150 кВ. Именно при больших тол 7 бб 416щинах ионы бора полностью тормозятся диэлектрической пленкой и достигают поверхности кремния.Способ характеризуется совокупностью и последовательностью операций.представленной на фиг,1-6,На фиг.1 показана кремниевая подложка 1 и-типа с созданным на ее поверхностислоем окисла кремния 2, вытравленным внем окном 3 и вновь созданным в окне наповерхности кремния тонким (толщиной несвыше 0,35 мкм) термическим выращеннымслоем окисла кремния 4,На фиг,2 представлена структура послеионного внедрения в тонкий диэлектрический слой 4 акцепторной примеси (бора) 5из...

Способ изготовления вч транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 766423

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бреус, Глущенко, Гальцев

МПК: H01L 21/265

Метки: транзисторных, структур

...источник диффузионного легирования, Поверхностное сопротивлениедиффузионного слоя составляет 50-70 -,ОмВо время второй стадии диффузии при1150 С в течение 120 мин ведения процессав комбинированной среде сухого и увлажненного кислорода диффузионную базовуюобласть 4 разгоняют до глубины 3 мк с поверхностным сопротивлением 150, ВОмпроцессе диффузии в окислительной средевырастает маскирующий слой 5,Толщина пленки должна быть достаточной для маскирования полупроводниковойподложки 1 от всех последующих воздействий имплантацией ионами бора или термической эмиттерной диффузии. Полученная 3величина 0,5 мк (и не менее) отвечает необходимым требованиям. Далее фотолитографией в маскирующем слое 5 вскрываютокно 6, через которое формируют...

Способ изготовления мощных вч транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 705924

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/02

Метки: мощных, транзисторных, структур

...теле, например, и-типа проводимости, - подложке 1, создают маскирующее покрытие 2. затем через окно 3, вскрытое в этом покрытии, формируют диффузионную контактную область 4 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки,В процессе диффузии на поверхности окна выращивают или осаждают закрытое покрытие 5. Далее, фотогравировкой открывают окно 6. имеющее перекрытие 7 с окном 3. Через окно 6 последовательно с помощью диффузии формируют основную базовую область 8 и эмиттерную 9. Затем создают (возмокно - в процессе дифФузии) изолирующее покрытие 10, Далее вскрывают контактные окна 11 и 12 и проводят диффузию подлегирования с образованием области 13 в контактной области 4 с последующим созданием контактной...

Способ изготовления транзисторных структур

Номер патента: 1369592

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР по авт. св. N 1192542, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического тока коллектора, после формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окно под контактную базовую область, которую формируют одновременно с высоколегированной базовой областью на глубину менее глубины залегания низколегированной базовой области, после чего покрывают маскирующим слоем окно под контактную базовую область и формируют эмиттерную область на глубину менее глубины залегания контактной базовой области на величину, не превышающую диффузионной длины неосновных носителей тока, инжектируемых из эмиттера в базовую область, при этом контактная базовая область выходит в...

Способ изготовления транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

Загрузка...

Номер патента: 1702826

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Шер, Лазина

МПК: H01L 21/76

Метки: транзисторных, изоляцией, структур, диэлектрической

...пленку окисла и проводят осаждение поликристаллического кремния для формирования подложки. снижает напряжения пробоя сформированныхтранзисторных структур, а следователь- Одновременно с выполнением этих но, и выход годных структур. операций, которые осуществляются при температуре 1180-11200 С в течение 4 ч,Целью изобретения является повышение выхода годных структур по напряжению на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической 15кремнйевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование вмонокристаллических кремнйевых карманах транзисторных структур, Одновременно с высоколегированными слоями на 20исходной монокристаллической пластине(или до образования высоколегированныхскрытых слоев)...

Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Комаров, Шер, Данцев

МПК: H01L 21/76

Метки: структур, транзисторных, изоляцией, кремниевых, диэлектрической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...

Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

Номер патента: 1116919

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Громов, Данцев, Комаров, Брюхно, Хочинов

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляцией, структур, транзисторных, кремниевых, диэлектрической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...

Способ изготовления транзисторных структур

Номер патента: 745298

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Гладков, Любимов, Басов, Манжа, Конкин

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий создание коллектора, базы, маскирование поверхности структуры пленкой диэлектрика, вытравливание в диэлектрике эмиттерного окна, осаждение легированной пленки кремния, вытравливание из этой пленки мезы внахлест маскирующей эмиттерное окно, формирование эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и плотности тока эмиттера на высоких частотах, после маскирования поверхности структуры пленкой диэлектрика на него наносят поликристаллический кремний толщиной 0,1 - 0,2 мкм, а в процессе осаждения легированной пленки кремния получают одновременно монокристаллический, поликристаллический кремний и эми

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур

Номер патента: 745297

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Назаров, Кокин, Лукасевич, Манжа, Любушкин, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: структур, полупроводниковых, транзисторных

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.