Формирователь импульсов

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРесттублик ц 819942(22)Заявлено 07.0с присоединением з (23) Приоритетвсудврстввиный ввивте СССР вв делам взвбрвтвнвй в вткрмтвй(5 Из ени текнике и мож вания и рых превышаетпитания. оотносится к импульсной т быть использовано для ульсов, амплитуца котопряжение источника Известен формирователь импульсов, содержащий входной транзистор и цепь умножения, состоящую из И последовательно включенных ячеек, каждая из ко-. торых содержит транзистор, конденсатор 1 и циоц 1 В данном формирователе амплитуда выходного импульса не более, чем в И +1 раз превышает напряжение, питающее формирователь.Известен формирователь который содержит вхоцной транзистор и И ячеек, в каждую из которык,входит конденсатор, диод, резисторы , а также ключевой и управляюший транзисторы, При этом эмиттер входного транзистора подключен непосредственно к заземленному полюсу источника питания, а коллектор через заряжающий резистор соецинен с неэаземленным полюсом источника питания. В каждой из. И ячеек, кроме первой; первая ивторая обкладки конденсатора подключенысоответственно через диод к первой обкладке конденсатора и непосредственно -к коллектору ключевого транзистора, входящих в прецшествующую ячейку. Перваяи вторая обклацки конденсатора, входящеьго в первую ячейку соответственно поцключены через диод к незаэемленному илюсу источника питания и непосредственнок коллектору входного транзистора. Коллектор управляющего транзистора кажцой,кроме первой, ячейки подключен к базеключевого транзистора этой же ячейки,Эмиттер кажцого такого управляюшеготранзистора соединен с первой обклацкойконценсатора предшествующей ячейки.Коллектор управляющего транзистора,входящего в первую ячейку, атоцключенчерез резистор к базе ключевого транзис,тора этой же ячейки. Эмиттер управляюшего транзистора, вкодяшего в первуюячейку, соединен непосредственно с незаэемленным полюсом источника питания.819942 База управляющего транзистора каждой из И ячеек, входящих в формирователь импульсов, подключена через шунтирующий резистор к эмиттеру того же транзистора и через базовый резистор ко второй обкладке конденсатора, входящего в ту же ячейкуЭмиттер ключевого транзистора каждой из И ячеек подключен к эмиттеру входного транзистора, вкодящего в ту же ячейку, А коллектор каждого ключевого транзистора через ограничивающий резистор подключен к первой обкладке конденсатора той же ячейки 2.Данный формирователь имеет недостаточный КПД.15Целью изобретения является увеличение КПД. Укаэанная цель достигается тем, чтов формирователе импульсов, содержащемдва выходных транзистора с базовыми резисторами и диод, а также И ячеек, вкажлую из которых входят ключевой, зарядный и управляющий транзисторы, двадиода, конденсатор и резисторы, причемэмиттеры первого выкодного и всех ключевых транзисторов подключены к шиненулевого потенциала, эмиттер каждого,кроме последнего, зарядного транзисторачерез конденсатор соединен с первым диодом той же ячейки и с коллектором зарядного и эмиттером управляющего транзисторов последующей ячейки, эмиттерпоследнего транзистора через конденсаторподсоединен к первомудиоду той же ячейки, а также к коллектору и базовому ре 35зистору второго выходного транзистора,эмиттер которого через диод, а база непосредственно подключены к коллекторупервого транзистора, коллектор зарядногои эмиттер управляющего транзисторов пер-.40вой ячейки соединены с шиной питания,другой вывод первого диода каждой ячейки подключен к коллектору зарядного транзистора той же ячейки, а базовый резистор ключевого транзистора каждой ячей 45ки подключен к коллектору управляющеготранзистора предыдущей ячейки, в каждойячейке базовый резистор управляющеготранзистора подключен к базе зарядногои коллектору ключевого транзисторов, второй диод включен между базой зарядноготранзистора и точкой соединения его :эмиттера с обкладкой конденсатора, дру-гая обкладка которого через резистор соединена с базой этого же транзистора,при этом базовый резистор первого выходного транзистора подключен к коллекторууправляющего транзистора предпоследнейячейки,4На чертеже привелена принципиальнаясхема формирователя,Он содержит ячейки 1 А - 1 и, вкоторые входят ключевые 2 -2заряд 1 фные 34 и 31 и управляющие 44 - 4 п транзисторы "первые" 5. - 5.и вторые 6 4 - 61, диоды, конденсаторы7 4- 7 И и резисторы 8 - 82 - 10 и 1011, Кроме того, в формирователь входят первый 11 и второй 12 выходныетранзисторы, диод и резисторы 14 и 15,При этом эмиттеры транзистора 1 1 икаждого ключевого транзистора 2 - 2подключены к шине нулевого потенциала.Эмиттер каждого, кроме последнего, зарядного транзистора 3через конденсатор 7соединен с первым диодом 5той же ячейки, а также с коллектором зарядного 31,+1 и с эмиттером управляющего 4 11+ транзистора, вкодящик впоследующую ячейку. Эмиттер последнегозарядного транзистора 3 1 через конденсатор 7 1 подсоединен к первому диоду5 1 той же последней ячейки. Крометого, он подключен к коллектору транзистора 12 и к базовому резистору 14 этого транзистора. Эмиттер транзистора 12через диод 1 3, а база непосредственноподключены к коллектору транзистора 11.Коллектор транзистора 3 4 и эмиттертранзистора 4первой ячейки соединены с шиной питания +. Другой выводпервого диода 5 каждой ячейки подключен к коллектору зарядного транзистора3 4 той же ячейки, а базовый резистор10 4 ключевого транзистора 2каждойячейки подключен к коллектору гранзистора 4 ц 4) предыдущей ячейки. В каждой,кроме последней, ячейке базовый резистор8 транзистора 4 подключен к базетранзистора 3и к коллектору транзистора 2той же ячейки. Второй диод 6-в каждой ячейке включен между базойтранзистора 3той же ячейки и точкойсоединения его эмиттера с обкладкой конденсатора 7 , другая обкладка которого через резистор 9соединена с базой этого же транзистора, При этом базовый резистор 15 транзистора 1 1 подключен к коллектору транзистора 4предпоследней ячейки,Работает предлагаемый формировательимпульсов следующим образом. При наличии на базе транзистора 2 положительного потенциала он открыт и насыщен. В результате этого закрыт транзистор 3 открыт и насыщен транзистор 4 1, Последний поддерживает открытым810042 Из выражения ( 7),видно, что если О много меньше, чем 7 В, то КПД формирователя импульсов близок к 1. Так, например, если В =50, В 20, то КПД " 0,93.Таким образом КПД предлагаемого формирователя близок к 1 и значительно превышает КПД известнык формирователей, имеющих ту же амплитуду выходного импульса при этом же напряжении источника питания. Составитель И. Радькоехина Техред М.Кощтура Корректор Л, И едактор Л. Заказ 1261/Подписноемитета СССРоткрытийнаб., д. 4/ Тираж 9ИИПИ Государствпо делм изобрМоскве, Ж,нного тений 1130 уш ПП фПате фил, г. Ужгород, ул. Проектная,ф о р м у л а изобретения формирователь импульсов, содержащий два выкодных транзистора с базовыми резисторами и диод, а также М ячеек, в каждую из которых входят ключевой зарядный й управляющий транзисторы, цва диода, конденсатор и резисторы, причем эмиттеры первого выходного и всех ключевык транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, эмиттер каждого., кроме послецнего, зарядного транзистора через конденсатор соецинен с первым диодом той же ячейки, а также с коллектором зарядного и эмиттером управляющего транзисторов последующей ячейки, эмиттер последнего зарядного транзистора через конденсатор соединен с первым, диодом той же ячейки, а также с коллектором и базовым резистором второго выходного транзистора, эмиттер которогочерез диод, з база непосредственно подключены к коллектору первого выкоцноготранзистора, коллектор зарядного и эмиттер управляющего транзисторов первойячейки соецинены с шиной питания, другой вывод первого циоца каждой ячейкипоцключен к коллектору заряцно о транзистора той же ячейки, а базовый резисщ тор ключевого транзистора каждой ячейкиподключен к коллектору управляющеготранзистора предыдущей ячейки, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения КПД формироватечя, в кажцойячейке базовый резистор управляющеготранзистора подключен к базе зарядногои коллектору ключевого транзисторов,второй диод включен межцу базой зарядного транзистора и точкой соединения.его эмиттера с обклацкой конденсатора,20другая обкладка которого через резисторсоединена с базой этого же транзистора,при этом базовый резистор первого выхоцного транзистора подключенк коллектору управляющего транзистора предпослецней ячейки. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 30445138, кл. Н 03 К 5/01 19.09.72. 2. Авторское свицетельство СССР по заявке2572479/18-21,кл. Н 03 К 5/01, 24,.01,78 (прототип),