Составной мдп-транзистор
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1501803
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин
Формула
СОСТАВНОЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий последовательно включенные однотипные МДП-транзисторы с обедненным каналом, причем исток и затвор первого однотипного МДП-транзистора является соответственно истоком и затвором составного МДП-транзистора, исток каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен со стоком предыдущего однотипного МДП-транзистора, сток последнего однотипного МДП-транзистора является стоком составного МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения составного МДП-транзистора, затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком предыдущего однотипного МДП-транзистора.
Описание
Целью изобретения является расширение области применения составного МДП-транзистора.
На фиг. 1 приведена электрическая схема составного МДП-транзистора; на фиг. 2 - зависимость напряжения пробоя стока составного МДП-транзистора.
Составной МДП-транзистор (фиг. 1) состоит, например, из четырех последовательно соединенных n-канальных МДП-транзисторов 1-4 с обедненным каналом, причем исток 5 и затвор 6 транзистора 1 являются соответственно истоком и затвором составного МДП-транзистора, исток каждого последующего МДП-транзистора соединен со стоком предыдущего МДП-транзистора, сток 7 транзистора 4 является стоком составного МДП-транзистора, затвор соединен с истоком предыдущего МДП-транзистора.
Составной МДП-транзистор функционирует следующим образом.
Сток 7 подключают к источнику коммутируемого высоковольтного напряжения с амплитудой, например, 25 В, а источник 5 подключают к нагрузке. Допустим, для определенности, пороговое напряжение каждого транзистора составляет минус 3 В. При нулевом потенциале на затворе 6, т. е. в закрытом состоянии транзистора, потенциал истока 5 составит примерно 3 В. Этот потенциал несколько приоткроет транзистор 2 и потенциал его истока составит уже 6 В. В свою очередь этот потенциал также приоткроет транзистор 3, потенциал истока которого достигнет 9 В. Этот потенциал, поступая на затвор транзистора 4, увеличит напряжение пробоя стокового p - n-перехода в его наиболее слабом месте - области перекрытия примерно на эти же 9 В (фиг. 2). В результате напряжение пробоя составного МДП-транзистора составит не менее 24 В, что и позволяет расширить область применения этого транзистора. Путем наращивания числа включенных последовательно МДП-транзисторов верхнюю границу диапазона рабочих напряжений можно увеличить до 35-50 В. Эта величина ограничена сверху напряжением пробоя стока вне области перекрытия.
Таким образом, эта конструкция позволяет получить транзистор, способный коммутировать напряжение с амплитудой, большей напряжения пробоя стокового p - n-перехода. Это дает возможность на базе стандартной низковольтной n-канальной технологии разрабатывать и выпускать микросхемы с блоками коммутации высоковольтного напряжения. (56) С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. /Под ред. Р. А. Суриса. - М. : Мир, 1984, т. 2, с. 29-32.
Конструкторская документация по ИС К 558 РРЗ, ЩИ 3.418.079 ЭЗ.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых интегральных схемах электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах. Целью изобретения является расширение области применения составного МДП-транзистора. Поставленная цель достигается за счет того, что затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком предыдущего однотипного МДП-транзистора. Изобретение позволяет повысить диапазон рабочего напряжения транзистора путем увеличения напряжения пробоя его стокового p - n-перехода. 2 ил.
Рисунки
Заявка
4328427/24, 05.10.1987
Тюлькин В. М, Нагин А. П, Милошевский В. А, Мальцев А. И
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: мдп-транзистор, составной
Опубликовано: 15.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1501803-sostavnojj-mdp-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Составной мдп-транзистор</a>
Устройство формирования импульсных сигналов и уровней постоянного напряжения на мдп транзисторах
Номер патента: 1370752
Опубликовано: 30.01.1988
Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод
МПК: H03K 17/687, H03K 5/153
Метки: импульсных, мдп, постоянного, сигналов, транзисторах, уровней, формирования
...на вход 30 блока управления ключом логического "0". где инвертируется и поступает на вход 63 ключа логического "0". В зависимости от уровня входного сигнала шина выходного сигнала будет подключаться или к шине напряжения логической "1" (при высоком уровне входного сигнала), или к шине напряжения логического "0" (при низком уровне входного сигнала). Таким образом, на шине 17 будут формироваться сигналы высокого и низкого уровней, синфаэные с входным сигналом. С выхода 28 переключателя 3 фазы сигнал, синфазный входному поступает на вход 29 линии 2 задержки, где задерживается н поступает на вход 33 блока 1 усилителей задержанного сигнала, на выходах 34 и 37 которого формируются два противофаэных сигнала, задержанных относительно...
Способ обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в мдп интегральных схемах
Номер патента: 601639
Опубликовано: 05.04.1978
Авторы: Казанцев, Фролов, Ширшов
МПК: G01R 31/27, G01R 31/28
Метки: диэлектрика, интегральных, мдп, обнаружения, подзатворного, пробоя, схемах, транзистора
...гальзанпческой связи между исследуемыми электрола:ш затвора; стока (истока) не является препятствием для ;рцмененпя данного способа, так как Определяется це абсолютная величина тока че)ез индикатор, а только его изменение. Отсутствие контактирования с затвором исключает поВреждение подзатворного диэлектрика прц контактировании и ооеопечивает неразрушаощий контроль.На чертеже показаны элементы интеральной схемы с подключенными источчиками питания и индикатором тока, поясняощие использование способа обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в МДП ИС согласно данному изобретению.МР)кду Выводасми легрова нцсй Ооластп стока (истока) 1 и тОдлоикп 2 исслелуемого МДП транзистора включен,пе;)вь:й цсточцитс питания 3, Затвор 4...
Параллельный дешифратор на допол-няющих мдп-транзисторах”
Номер патента: 798997
Опубликовано: 23.01.1981
Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Савостьянов, Старенький
МПК: G11C 8/10
Метки: дешифратор, допол-няющих, мдп-транзисторах, параллельный
...сигналы на первом и втором входах логического элемента ИЛИ-НЕ в ячейке 19 и 20, сигнал на выходе дешифратора 21.Параллельный дешифратор на дополняющих МДП-транзисторах работает следу" ющим образом.В исходном состоянии (режим невы- борки) управляющий сигнал на стробирующей шине 12 соответствует логической 1. На выходах всех адресных логических элементов 10 и первого инвертора 8 напряжения соответствуют также логической 1, в результате чего транзисторы группы 2 в каждой из логических ячеек 1 закрыты,а управляющие транзисторы 3 открыты, На первых входах всех логических элементов ИЛИ-НЕ 5 в ячейках (стоках транзисторов параллельной группы) напряжение соответствует логическому0 (выбранное состояние). Однако запрещающий сигнал логической 1 на...
Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем с поликремниевым затвором
Номер патента: 1345976
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов
МПК: H01L 21/82
Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...
Запоминающий элемент на мдп транзисторах
Номер патента: 450230
Опубликовано: 15.11.1974
Автор: Тэнк
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, мдп, транзисторах, элемент
...считывания и регенерации числовую шину 5 необходимо раз. рядить до пулевого потенциала,Режим считывания. Адрссна на записи 6 подключается к нулевому и а. Баиковеменова корректор Н. Ау едакто Подписио Тираж 591тета Согета Министров ССС1 ий и открытийская наб д, 4/5 аказ 790,2 Типография, пр. Сапунова лу, а на адресную шину считывания 7 подается высокий (по абсолютной величине) готенциал. Если в ЗЭ хранится единица (конденсатор 4 заряжен), то информационный транзистор 2 открыт, и потенциал узла 8 становится равным потенциалу адресной шинысчитывания 7. Далее через открытый транзистор 3 высокий потенциал передается начисловую шину 5, заряжая паразитную емкость 9 числовой шины, Если в ЗЭ хранился 10логический нуль (конденсатор 4 не...
Предыдущий патент: Способ восстановления информации в ячейке памяти
Следующий патент: Способ упаковывания стержнеобразных изделий
Случайный патент: Плавающая сосковая поилка