Формирователь импульсов

О П И С А Н И Е843200ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советски нСоциалистическихРеспубликс присоединением заявки лй Гооударстеенный комитет СССРпо делам изобретений н открытий(72) Автор. изобретения В. А, Милошевский Заявнтел 4) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ 2 сумму , сопротивекторных резистоых транзисторов. Из то в .указанном реьшая часть мошносмироватепе во врена его выходе.омежутках между формирователя и, рассеиваемой в ется в коллекторном ранзистора, Следует кент полезного дейение мошности, высумме этой мощсеиваемой в формир единицы.является повышензтедействия формироазрнной цели в уст ходной транзистор з которых входит зисторы, ключевой Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано для формирования импульсов, амплитуда которых превышает напряжение источника питания.По основному авт. св, Мф 706919 извес 5 тен формирователь импульсов, который содержит входной транзистор, а также о ячеек, в каждую из которых входит.конденсатор, диод, резисторы, а также ключевой и управляюший транзисторы .Во10 время форми рова ния перецне го фронта выходного импульса через коллекторные резисторы входного и ключевых транзисторов протекают токи, подзаряжаюшие конденсаторы, а во время формирования вер- шины выходного импульса через эти же резисторы протекает выходной ток, потребляемый нагрузкой11.Для обеспечения на выхоце формирователя заданного нагрузочного тока решающим является выбор сопротивления коллекторного.резистора ключевого транзис- тора послецней ячейки. Это обьясняется тем, что сопротивление этого раэистора значительно превышаетлений остальных, коллров вхоцного и ключевэтого следует-.также, чзисторе выделяется болти, рассеиваемой в фомя выработки импульсаС другой стороны, в иимпульсами на выхоцебольшая часть мошностформирователе, выцелярезисторе входного тотметить , что коэффицствия, а именно, отношделяемой в нагрузке, кности и мощности, расвателе, много меньшеБелью изобретениякоэффициента полезногователя импульсов.Йля достижеттия укройство, соцержашее ви и ячеек, в каждую иконденсатор, диод, ре. и управляющий транзистор, введены развязывающие эмиттерные повторители и агполнительные диоды, при этом обкладкакаждого конденсатора и нагрузка устройства.подключены к коллектору транзистора ти-.па п - р - п предыдущего каскада через5.)развяэываюший эмиттерный повторительтипа п - р - и, переход база - эмиттеркоторог 6 зашунтирован дополнительным диодом в обратном включении.На чертеже приведена принципиальнаясхема формирователя,Устройство содержит ячейки 1 - 1в которые входят транзисторы 2 -2 и3 -Зп, конденсаторы 4 -4, аноды 5 - 5, 15резисторы 6 -6, 7-7, 8-8 п,9 -9,в также входной транзистор 10 с колдек-торным резистором 11. Кроме того, вкажду ячейкувведены соединительныйтранзистор 12и разделительный диод -013 и в формирователь введены коммутирующий транзистор 14 и входной диод 15,Прецлагаемый формирователь импульсов работает слецуюшим образом.При наличии нв базе транзистора 10 25положительного потенциала он открыт инасыщен . В результате этого закрыт транзистор 14, открыт и насыщен транзистор21 .Последний поддерживает открытым инасыщенным транзистор 3, который, 30в свою очередь, поддерживает закрытымтранзистор 121 .При этом остальные транзисторы 3 и 2 открыты и насыщены, а всетранзисторы 12 закрыты, Потенциал наколлекторе транзистора Зп, т.е, на выходе формирователя импульсов, поддерживается близким к О В,а каждый конденсатор 4 заряжен до напряжения, близкого кнапряжению Е источника питания. При поступлении на базу транзистора управляющего сигнала (нулевого поцивла) этот транзистор закрывается и енциал базы транзистора 14 повышает что вызывает открывание транзистора При этом, если. выполняется соотно- ие 10 те пот ся,14 ше й Е(9 7- 8 о ЬЪто потенциал катодов установится близкимРассуждая подобн чаем, что еспи при 1 ь 3 с (п), вып одов 5=5 ф 1 97- 89 -(5) то амплитуда .импульсов на эмиттере транзистора 12 п, в значит и на выходе формирователя импульсов, близка к + Е 2,Из выражений ( 1) - ( 3) следует , чтопри одинаковой величине напряжения, питаю щего формирователь и при том же токе нагрузки сопротивление резисторов 11 и 9 в схеме предлагаемого формирователя превышает сопротивление соответствующих резисторов в схеме известного не менее, чем в В и В раз соответственно. Значит при той же выходной мошности мощность, рассеиваемая предлагаемым формирователем не менее, чем в тп ( В В ) раз меньше мощности рассеиваемой известным формирователем,На основании произведенных расчетов с учетом того, что КПЛ формирователя много меньше единицы, получаемчто КПД предлагаемого формирователя в п и (Ъ,Ь )4 раз выше, чем у известного формирователя с той же амплитуцой выходного импульса. 200 ф где Са - емкость конденсатора д; К - сопротивление резистора Ь;- коэффициент передачи токо тран- Кзисторам при включении его по схеме с общим эмиттером, то потенциал катоцов всех циодов 5 близок к + 2 Е.Транзисторы 2 и З закрываются и потенциал базы транзистора 12, начинает повышаться, что вызывает открывание транзистора 1 2 П ри этом, если выпол няется соотношениии С 7) С45 843200 б Ф о р м у л а и э о б р е т е н и я транзистора типа и - р - и предыдущегокаскада через раэвязывающий эмиттерныйформирователь импульсов ио авт, св, повторитель типа п - р - и, переход база- М 706919706919 отличающийся эмиттер которого оащунтирован допоййитем, что, с целью увеличения коэффициентательным диодом в обратном включении. полезного действия устройства , в неговвецены раэвяэывающке эмиттерные повто- Источники информации, рители и дополнительные диоды ири этом принятые во внимание при экспертизе обклацка каждого конденсатора и нагруэ. Авторское свидетельство СССР ка устройства поцключены к коллектору 10 %706919, кл. Н 03 К 5/01, 24.01.78.