Формирователь импульсов

(э") (6) (7) (8) 55 3 7363 Напряжение 0 на диоде 3 при этом удовлетворяет условию. Напряжение Уц,на диоде 4,г, равно 05117 ьых 1-Е0 ч,= 1 вых-Е - Укэ 2=1 Увых 1-Е5Из приведенных выражений следует,что амйлитуде выходного импульса ограничена величиной допустимого напряженияна транзисторах и диодах, входящих в форм ир овател ь. 1 ОЦель изобретения - расширение диапазона амплитуды напряжения выходно 1 о импульса формирователя.Для достижения этой цели в формирователь импульсов, содержащий входнойтранзистор, базой соединенный с входнойшиной, а эмиттером - с шиной нулевогопотенциала, и г 1 ячеек, каждая из которых содержит питавший транзисторбаза которого через последовательно соединенные резистор и диод подключена кего эмиттеру и одной обкладке конденсатора, анод диода первой ячейки подклкьченк шине питания, введен шунтйрующийтранзистор, а в каждую ячейку введен резистор и ключевой транзистор, база которого подключена к аноду диода черезвведенный резистор, коллектор - к коллектору питающего транзистора, а эмиттер - к другой обкладке конденсатора,причем эмиттер ключевого транзисторекаждой, кроме первой ячейки подключенк коллектору ключевого транзистора предыдущей ячейки, а анод диода каждой,кроме первой,ячейки, подк 1 почен к катоду диода предыдущей ячейки, при атоманод диода первой ячейки соединен сэмиттером шунтируюшего транзистора,базой подключенного к входной шине, аколлектором - к коллектору входного тран-,. зистора и эмиттеру ключевого транзисторапервой яячейки.На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержитвходной транФзистор 1, питаюгцие транзисторы 2-12 , резисторы 3-1-3-й.диоды4-1 - 4- Иконденсаторы 5-1 - 5- т 2.,шунтируюший транзистор 6, резисторы7-1 - 7 - ц ключевые транзисторы8-1 - 8- ИФормирователь работает следующимобразом,.При наличии на входе потенциала близкого к Ешунтирующий транзистор 6закрыт, а входной транзистор 1 открыти насыщен. При этом каждый питающийтранзистор 2-1-2-В закрыт напряжениемпадающим на соответствующем диоде 4-1-463 ф-1 а транзисторы 8-1-8 - иоткрыты и насыщены, Каждый конденсатор 5-1-5- и. заряжается при этом до напряжения, близкого к напряжению Е источника питания. Потенциал выхода формирователя близок к нулю, При этом потенциал любой точки формирователя находится в пределах от О до Е . Следовательно в исходном состоянии падение напряжения на каждом элементе формирователя не превышает Е При поступлении на вход формирователя управляющего сигнале (нулевого потенциала) транзистор 1 закрывается, а транзистор 6 открывается и насыщается..Вследствие этого потенциал эмиттера транзистора 8 - 1, а значит и потенциал эмиттера транзистора 2-1, ловы шаютс я, транзистор 8-1 закрывается, транзистор 2-1 открывается и насыщается, а диод 4-1 смещается в обратном направлении.При этом также закрываются все транзисторы 8-1-8- и открываются и насыщаются все транзистора 2-1-2- и., а все диоды 4-1-4- г 1 смещаются в обратном направлении. Конденсаторы 5-1-5-гт.соединяются последовательно и разряжаются на нагрузку. Обозначим падение напряжения на элементе "С 2 " символом БаТогда при наличии на входе формирователя (см, чертеж) нулевого потенциала имеемЦ,Е ( =1,И), (3) так как конденсаторы при атом разряжаются, т.е. разность потенциалов между обкладками каждого такого конденсатора уменьшается. С учетом (3) имеем ТУ = 5 кэ 2кэ 8 ь Е0 Ч= о 5 Г 2- + ц,,=У 5, - Укз 8 Г, Е,3; = Ц Э 2;-+ ЗЬ. к 2-1 У%8(, + )7 а Таким образом, в предлагаемом формирователе напряжение на каждом транзисторе, диоде, конденсаторе и резисторе не превышает напряжение, питающее формирователь, ни при каком количестве конденсаторов ни в одном режиме работы (см. соотношения (3) -(8). Поэтому амплитуда напряжения выходного импульса формирователя может многократно превышать допустимое напряжение на любом элементе, входящем в формирователь. А это ознечеет, что диапазон амплитуды напряжения выходного импульса предлагаемого формирователя. многократно расширился.Так например, если транзисторы и диоды, входящие и преобразователь, допускают воздействие напряжения соответственно между коллектором и эмиттером и обратного напряжения на диодах, равного 100 В,то предлагаемый формирователь импульсов способен вырабатывать импульсы напряжения амплитудой втысячи Вольт, не создавая при этом перенапряжения ни на одном элементе. оФор мула изобретенияФормирователь импульсов, содержащий входной транзистор, базой соединенный с входной шиноЙ, а эмиттером с шиной нулевого потенциала, и и,-ячеек, каждая из которых содержит питающий транзистор, база которого через последовательно соединенные резистор и диод подклю чена к его эмиттеру и одной обкладке конденсатора, анод диода первой ячейки подключен к шине питания, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона амплитуды напряжения вы ходного импульса, в него введен шунтиМ 3 брующий транзистор, а в каждую ячейкувведен резистор и ключевой транзистор,база которого подключена к аноду диодачерез введенный резистор, коллектор - кколлектору питающего транзистора, аэмиттер - к другой обкладке конденсатора, причем эмиттер ключевого транзистора каждой, кроме первой, ячейки подключен к коллектору ключевого транзисторапредыдущей ячейки, а анод диода каждой,кроме первой, ячейки псцпипочен к катодудиода предыдущей ячейки при этом аноддиода первой ячейки соединен с амиттером шунтирующего транзистора, базойподключенного к входной шине, а коллектором - к коллектору входного транзистора и эмиттеру ключевого транзистора первой ячейки. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР Уо 406296, кл. Н 03 К 1/12, 28.06.71. 2, Авторское свидетельство СССР Мо 445138, кр. Н 03 К 5/01,29.05. 72. (прототип..Редактор Т. Катаманина Техред О. Легеза Корректор В. БутягаЗаказ 2446/47 Тираж 995 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал Г 1 ПП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4