Способ стирания информации в элементе памяти

103 О 1,) или увеличение толщины запоминающего диэлектрика на ту же величину от ее номинального значения приводят к увеличению времени стирания в 6- 10 раз, Выбирать .же номинальном ное значение времени стирания исходя из наихудших по времени стйрания приборов, нецелесообразно, так как это резко ухудшит быстродействие стирания подавляющего числа элементов 1 О памяти с параметрами, близкими к номинальному. Таким образом, стирание заряда импульсом напряжения постоянной амплитуды ведет либо к неполному стиранию (или к отсутствию эффекта 15 стирания) при отклонении параметров элемента памяти и амплитуды импульса стираний от номинальных значений, либо к существенному снижению быстродействия по перезаписи у большинст ва ячеек памяти с номинальными характеристиками.Цель изобретения - повышение быстродействия стирания элементов памяти на основе структуры проводник - мно гослойный диэлектрик с захватом заряда - полупроводник.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу стирания информации в элементе памяти на основе ди- з 0 электрика с захватом заряда, основанный на подаче на полевой электрод импульса напряжения той же полярности, что и при записи информации амплитуду импульса стирания уменьшают во времени, В частности, уменьшение амплитуды импульса стирания может происходить во времени по логарифмическому законуО = О - И в . ) (1) 41 где Оо - начальное значение амплитуды импульса стирания, 1 - время стирания при О = О 0, к = -ОЬ/дО - наклон зависимости времени стирания в координатах 11 й от О.На фиг. 1 изображена зависимость порогового напряжения элемента памяти от длительности импульса стирания; на фиг, 2 - зависимость порогового 10 напряжения элемента памяти от длительности импульса стирания, поясняющая определение времени стирания 1 ; на фиг. 3 - зависимость времени стирания от напряжения; на фиг. ч - кривые из менения порогового напряжения О воТ времени при стирании импульсом напряжения с логарифмицески уменьшающейся амплитудой 1 и импульсом постоянной амплитуды 2.Стирание заряда в элементах памяти на основе диэлектриков с захватомзаряда осуществляется следующим образом,На прибор подают импульс напряжения, амплитуду. которого уменьшают отее некоторого максимального значения в начальный момент времени О одо некоторого минимального значенияО. Импульс стирания такой формыпроизведет за данное время большееуменьшение порогового напряжения элемента памяти От, цем импульс стирания с фиксированной амплитудой в диапазоне от О до О . Действительно,если амплитуда прямоугольного импульса стирания достаточно велика, т.е.примерно равна Од, то. такой импульсприведет к сравнительно быстромууменьшению порогового напряжения отего исходного значения От ( 0 ) донекоторого значения О. (Ос), определяемого амплитудой импульса стирания Оср, но величина этого уменьшения Ь = О ("0") - О. мала (посравнению с ЬО. при меньших О) ине изменяется при дальнейшем увеличении времени стирания (фиг. 1, кривая.с О = О),Наличие же в предлагаемой формеимпульса стирания составляющих. самплитудой О (Ос обеспечивает больший сдвиг порогового напряжения Ы 3чем пРи О = Одскб(фиг. 1 кРивые сО , О , ОО ),Напротив, если амплитуда прямоугольного импульса стирания сравнительно мала, т.е, ОО щи, то вплотьдо определенного времени вообще непроизойдет изменения порогового напряжения прибора. Например; приО., О это время составляет " 30 с,В случае же использования импульсастирания с уменьшающейся амплитудойсдвиг ДО-г получают за счет налицияв импульсе высоковольтной составляющей с амплитудой О мО щс 1 ХМаксимальный эффект при использовании импульса стирания с уменьшающейся во времени амплитудой достигается в том случае, если амплитуду импульса стирания уменьшать во времени по логарифмическому закону в соответствии с выражением (1), При такой форме импульса стирания каждому мгновенному значению амп.питуды5 9991 ставится в соответствии минимальное время, необходимое для получения максимального при данной амплитуде сдвига порогового напряжения 60.-.Изменение порогового напряжения 5 элемента памяти при этом описывается пунктирной яинией (фиг. 1), В этом случае величина ЬО . в любой момент времени является максимально возможной, т.е, процесс стирания происхо-1 В дит с максимальной для режима монополярного управления скоростью, что и обеспечивает повышение быстродействия стирания элемента памяти.Получение импульса с уменьшающей ся во времени амплитудой легко достигается стандартными техническими средствами, в частности импульс напряжения произвольной формы может .быть получен с выхода цифроаналого о гюго преобразователя, вход которого подключен к управляющей ЗВИ. Иожет быть также использована ступенчатая аппроксимация импульса предлагаемой Формы. . 25Использование данного способа стирания информации в элементе памяти обеспечивает по сравнению с существующими способами повышение быстро 08 бдействия стирания в 3-10 раз и повышение надежности стирания за счет получения максимально возможного сдвига порогового напряжения элемента памяти при любой фиксированной длительности импульса стирания.формула изобретенияСпособ стирания информации в элементе памяти на основе диэлектрикас захватом заряда основанный на подаче иа полевой электрод импульса напряжения той же п 9 лярности, что и призаписи информации, о т л и ч а ющ и Й с я тем, что, с целью повышения быстродействия стирания информации, амплитуду импульса стиранияуменьшают во времени от максимальногозначения, например, по логарифмическому закону.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Э. 2 СЬау 1 ЕЕЕ Ч 64, Й 7 1977с. 1039-10592 Авторское свидетельство СССРпо заявке 11 2857997/18-24,кл. 6 11 С 11/40, 1979 (прототип).999108 Составитель В. Теленков,А. Козориз Техред К,Иыцьо . КорректорИ.йуллЕ Вж дак Заказ 11 ул. Проектная; илиал"ПППг. Ужгоро ЮЙ Тираж 592 ВНИИПИ Государственног по делаи изобретений 13035, Иосква, ИРау