Запоминающий элемент

Союз Советских Социалистических РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1773727(22) Заявлено 13.0479 (21) 2752844/18-24с присоединением заявки йо(23) Приоритет -Опубликовано 23,1080, Бюллетень Йо 39Дата опубликования описания 25.10. 80 Государственный коинтет СССР по делам нзобретеннй н открытнй(54 ) ЗАПОМИНИЩИ ЕМЕН ие относится кике и может бытостроении запом анже являодовммутациюэлемен- интегратакже ЗЭ, кото вывода 31. О Изобретен вычислительной техн ь использовано при и инающихустройств.Известен запоминающий элемент 5(ЗЭ), который содержит триггер,построенный на МДП-транзисторах, атакже транзисторы, управляющие за. -писью информации в этот элемент исчитыванием информации из него 1) . 10Недостатком данного ЗЭ являетсябольшое количество выводов(шесть,включая выводы нулевого потенциалаи питающего напряжения), что приводит к необходимости большого числашин коммутации в запоминающем устройстве (3), а это, в свОю очередь,приводит к усложнению устройства иуменьшению степени его интеграцииИзвестен ЗЭ, содержащий триггер, 20построенный на МДП-структурах, атакже транзисторы для записи и считывания информации из этого ЗЭ,необходимые при построении ЗУ изэтих элементов 2) . 25Недостатком такого ЗЭ являетсябольшое количество (пять)внешнихвыводов.Известен рый содержит лишь два днако его З 0 недостаток состоит в том, что независимо от того, на каких элементах (МДП-структурах или биполярных транзисторах) он построен, для сохранения информации в ЗЭ, даже если он не выбран, по нему постоянно должен протекать ток,что делает возможнымпостроение на основе таких элементов ЗУ больших информационных объемов.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является ЗЭ, который содержит четырехтран.зисторный триггер и еще, по крайней мере, один ключевой транзистор, пред назначенный как для записи информации в ЗЭ, так и для считывания инФормации иэ него 4).Недостатком данного ЗЭ т ется большое количество выв (четыре), что усложняет ко в ЗУ, построенном на таких тах и уменьшает степень его ции.Цель изобретения - повышение надежности, выводов.Поставленыая цель достигается тем, что в запоминающий элемент, содержащий первый транзистор, исток которого соединен с истоком второго транзистора,и с.первым выводомэлемента, сток первого транзистора подключен к затворам второго итретьего транзисторов и стоку четвертого транзистора, стоки второго и третьего транзисторов соединены с затворами первого и четвертого транзистарон, исток четвертого транзистора подсоединен к истоку третьего транзистора, введены дна диода, катод верного из которых соединен со вторим выводом элемента и анодом второго диода, анод первого диода под:люнен к истокам третьего и четвертого транзисторов, катод второго д ада соединен с затворами перного и четвертого транзисторов.На чертеже изображена электрическая схема предлагаемого запоминающе;.о элемента.Устройство содержит транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости, транзисторы 3 и 4 другого типа проводимости диоды 5 и бр выводы 7 и 8 элемента, соединение 9 стакан второго и третьего транзисторов, соединение 10 стоков первого и четвертого транзисторон.Ус. ройство работает следующимобразом.Пусть б - гатенциал точки- 7,. 8, 9, 10). Пусть также напрякение обратного пробоя диода 5 меньше напряжений обратного пробоя перехадон сток в подлож транзисто - рон 1 - 4Если разность потенциалов Ч7 достаточна для того, чтобы триггер, состоящий из транзисторов 1-4, имел два устойчиных состояния, но меньше, чем напряжение обратного пробоя диода 5 (режим хранения инФормации), .о ЗЭ может при этом находиться н любач из днух устойчивых состояний . В первом состоянии (пусть оно соответствует, например "О" двоичной инфор.ации транзисторы 4 и 2 закры.сы, а 3 и 1 - открыты, Во второй состоянии( соответствующем "1" двоичной информации) транзисторы 4 и 2 открыты, а 3 и 1 - закрыты. В обоих со"таяниях мощность, рассеиваемая ЗЭ, мала и вызвана лишь токами утечки.Если при увеличении напряжениеЧ; 9., превышает напряжение обратногопробоя диода б (режим чтения информации), то ЗЭ, находящийся в состоянии "1", начинает пропускать ток,протекающий через открытый транзистор 2 и диод б. Если такое же напряжение М -подать на ЗЭ находящийсяВРн состоянии "О", то напряжение обрагного смещения на диоде б близкок падению напряжения на прямосмещен.ном Диоде так как транзистор 3открыт, а 2 - закрыт, Поэтому токчз-,.ез ЗЭ не рохоцит, Формула изобретения 5 О Я 60 65 Если и далее увеличивать напряжение 9 - М на ЗЭ, находящемся н состоянии "1,то разность потенциаловмежду исток,.м и стоком транзистора ,а, значит, и между истоком и затвором транзистора 1, возрастает, Следствием этого является открывание;ранзистора 4 и "переброс" ЗЭ н состояние "О" (ре:им записи "О").Этосостояние сохраняется при уменьшении напряжения М в Ф и переходе в7режим хранения информации. Если же,ЗЭ находится в состоянии "О", тоосуществление режима записи "О" пеприводит к изменению его состояния,Наконец, если на ЗЭ, независимоот того, н каком состоянии он находится, напряжение Ч в Г уменьшитьнастолько, чтобы оно стало отрицательным и по абсолютной величине равнялосьпримерно удвоенному падению напряжения на прямосмещенном р-п переходе(режим з.аписи "1"), то, вследствиепротекания тока через прямосмещенные диод 5 и переход сток в подложтранзистора 2, потенциал Ч становится несколько выше, чем М,Поэтому, если достаточно быстро вернуть ЗЭ н режим хранения информации,то элемент устанавливается в состояние "1". Таким образом, предлагаемый ЗЭявляется статистическим и имеетвсего два вывода, Изменяя напряжение М -Ч на ЗЭ, можно перенестиего в любое иэ двух устойчивых состояний, считать информацию, хранимую в нем (не разрушая ее при этом)или перевести ЗЭ в режим хранения,в котором он практически. не потреб-ляет энергию,Предлагаемый ЗЭ можно испольэоватьдля построения ЗУ как с матричной,так и со словарной организацией,Запоминающий элемент, содержащий первый транзистор, исток которого соединен с истоком второго транзистора и с первым выводом элемента, сток первого транзистора подключен к затворам второго и третьего транзисторов и стоку четвертого транзистора, стоки второго и третьего транзисторов соединены с затворами первого и четвертого транзисторов, исток четвертого транзистора подсоединен к истоку третьего транзистора, о т л и ч ( ю щ ий с я тем, что с целью павьзаения надежности, в него введены два диода, катод первого из которых соединен со вторым выводом элемента и анодом второго диода, анод первого диода подключен к истокам третьего и четвертого транзисторов, катод вта773727 Составитель А. ВоронинРедактор Т.Кугрышева Техред Н.Граб Корректор О. Билак Заказ 7516/68 Тираж 662 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5фи.пиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 рого диода соединен с затворами перэого и четвертого транзисторов. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство, СССР Р 330490, кл, С 11 С 11/40, 1.12.70.