Фотошаблон
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(23) При пением заяви ритетлнковано 15.02 юллетень Ю 0(53 778,644 (088.8 сания 20,02,80 опубликования Г, П, Сергйенко, АП, Кауфман и В. И. Кимарски 2) Авторы изобретения 54) АБЛОН Изобретение относится к технологии произ водства радиоэлектронной аппаратуры, в част.ности, к изготовлению фотошаблонов, приме. няемых в фотолитографических процессах при производстве интегральных схем.Известен фотошаблон, состоящий из про. зрачной стеклянной подложки, с нанесенным на нее маскирующим металлическим слоем, в котором выполнено изображение требуемого рисунка, и защитным слоем, расположенным на маскирующем слое 1.Недостатком известного фотошаблона являются скрытыетрудно контролируемые дефекты в поверхностном слое стеклянной подложки (выколки стекла, царапины, выступы). Эти дефекты появляются во время механической и химической обработки подложки и являют. ся причиной образования проколов в металлиэированном слое (на месте буторков и выступов в подложке), плохой адгеэии металлизи. рованного слоя к стеклу и включении не.вьправленной металлической пленки в свет. лом поле азотошаблона (на месте царапин и выколок в подложке). Целью изобретения является повышение ка.чества фотошаблона путем исключения влия.иия дефектов на маскирующий слой.Это достигается тем, что защитный слойразмещен между подложкой и маскирующимсчоем.Обеспечение поверхностного слоя стеклянной подложки защитным слоем нитрида крем.ния предупреждает трансформацию дефектовподложки в маскирующий слой.На чертеже показан предлагаемый фото.шаблон.Фотошаблон состоит иэ прозрачной стеклян.ной подложки 1, поверхность которой защищенаслоем 2 ннтрнда кремния, Изображение требу.емой функциональной схемы выполнено вмаскирующем слое 3, например, их хрома,нанесенном на защитный слой 2,Защитный слой 2 наносится на поверхностьстеклянной подложки 1 после подготовкипоследней известными методами механическойи химической обработки.В процессе химической и механической обработки стеклянной подложки 1 в ее поверх.Составитель В. ЮсковГехред Н.Бабурка Корректор М. Шароши Редактор Н. Козлов Подписное 4 Заказ 9426/15ЦНИИПИ Г го комитета СССР й и открьпийуюская наб д. 4/5 ударственим изобрете , Ж - 35, Р 113035, Мос ал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектн 3 71ностйом Слое образуются дефекты (выколки,бугорки, царапины), являющиеся практическиединственной причиной выхбда из строя фотошаблонов во время эксплуатации.Нанесение нитрида кремния на подложку1 производится в камере реактивного распы"ления, например, с помощью установки УРМЗ,279,013.Условия режима нанесения нитрида кремния:давлейие азота в вакуумной камереЗф 10 мм рт,станодный ток 1 а к = 80 ма;напряжение распыления мишени Орасп. == 1,25 кв;скорость роста пленки нитрида кремнияО = 12 А/мин,температура подложки в процессе осаждения пленки 280 С;толщина наносимой пленки нитрида кремния д "1000 А.В процессе нанесения нитрида кремния настекло обеспечивается высокая адгезия этихслоев, благодаря, тому, что коэффициенты линейного расширения стекла и нитрида кремнияимеют противоположные знаки,Маскирующий слой 3, в данном случае изхрома, наносят на слой 2 известными метода 5362ми вакуумного распыления и создают в немтребуемое изображение, пользуясь известными методами фотолитографии.Благодаря размещению слоя нитрида кремния между подложкой и маскирующим слоемобеспечивается стабилизация поверхностногослоя стекла неразрушаемым в дальнейшемтехнологическом процессе слоем нитрнда крем.ния. Это предупреждает трансформацию део фектов поверхности стекла в маскирующийслой, благодаря чему повышается качествофотошаблона по сравнению с известным. 15 Формула изобретения Фотошаблон, содержащий стеклянную под.ложку с маскирующим слоем и защитным слоемиз нитрида кремния, о т л и ч а ю щ и й с яэО тем, що, с целью повышения его качества путем исключения влияния дефектов на маскирующий слой, размещен между подложкой имаскирующим слоем.Источники информации,25 принятые во внимание при экспертиэе1, Авторское свидетельство СССР И 329501,кл, Н 05 К 3/00, 1970 (прототип).
СмотретьЗаявка
2092087, 30.12.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3106
СЕРГИЕНКО ГРИГОРИЙ ПОРФИРЬЕВИЧ, КАУФМАН АНАТОЛИЙ ПАВЛОВИЧ, КИМАРСКИЙ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B41M 3/08
Метки: фотошаблон
Опубликовано: 15.02.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-715362-fotoshablon.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотошаблон</a>
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 612610
Опубликовано: 25.06.1978
МПК: B01J 17/32
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...
Способ измерения толщины эпитаксиальных и диффузионных слоев кремния
Номер патента: 561926
Опубликовано: 15.06.1977
МПК: G02F 1/00
Метки: диффузионных, кремния, слоев, толщины, эпитаксиальных
...границы, а металлическим зондом осуществляют давление на пластину в пределах упругих деформаций.10 Способ основан на том, что под давлением:пирина запрещенной зоны кремния уменьшается. Следствием этого свойства является интенсивное поглощение кремнием света с длиной волны более .р (красная граница) в об ластях, подвергшихся давлению. Поглощениесвета приводит к генерации подвижных носителей в той же области и возникновению фото-ЭДС на р - и переходе. Если давление создавать точечным зондом, то область сдавлен ного кремния и, следовательно, область генерации подвижных носителей определится размерами зонда, снлои давления н может быть сделана значительно меньше размеров измеряемых слоев и размеров элементов интег ральных схем. В этом...
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 427557
Опубликовано: 30.11.1983
Авторы: Вагин, Лапидус, Николаева, Скворцов
МПК: C30B 25/02
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...
Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния
Номер патента: 451147
Опубликовано: 25.11.1974
Авторы: Гулидов, Котюков, Пекарев, Чистяков
МПК: H01L 7/36
Метки: автоэпитаксиального, кремния, слоя
...операция диффузии мышьяка на глубину 0,9 мкм при 1200 С включена в первую технологическую схему перед термическим окислением, а во вторую - непосредственно перед эпитаксией, По прежней схеме плотность дефектов упаковки составляет 10 з - 104 см -с преимущественным расположением их вне окон, При введении дополнительной операции в обоих случаях плотность дефектов упаковки составляет 10 - 10 см в , причем дефекты упаковки располагаются преимущественно по рискам, оставшимся после полировки подложки.Учитывая, что в процессе окисления и высокотемпературного газового травления перед эпитаксией происходит удаление поверхностного слоя кремния, следует выбирать глубину диффузии так, чтобы к операции эпитаксии сохранился тонкий приповерхностный слой...
Способ обработки эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 736219
Опубликовано: 25.05.1980
Авторы: Курицын, Мокрицкий, Шаховцов
МПК: H01L 21/263
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...