H01L 39/24 — способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в

Номер патента: 1838242

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Юджин

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00, H01L 39/24 ...

Метки: сверхпроводящего, соединения

...химия, синтез сверхпроводящих оксидных материалов. Сущность изобретения; нитрат бария, оксид меди и оксид иттрия или редкоземельного элемента смешивают и измельчают в агатовой ступке, Полученный порошок прессуют в диски. Диск помещают в печь, нагревают до 900 С, выдерживают 30 мин и охлаждают до температуры окружающей среды,продукта. Рентгенограмма показывает; чтопродукт - УВа 2 СцзОх с орторомбическойсимметрией содержит очень небольшое количество У 2 ВаСцОБ и ВаСц 02 в качествепримесей, Материал показывает эффектМейсснера при температуре примерно 90 К,указывая таким образом на температуру пе- Брехода в серхпроводящее состояние, равную примерно 90 К.Получены и другие сверхпроводящиематериалы общей формулы МВа 2 Сц 20 х, гдеМ -У, йб, Зе,...

Номер патента: 1340519

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Зиновьев, Кашкан, Козорез, Ляшенко, Маслов, Хабло

МПК: H01L 39/24

Метки: витка, магнитного, подвешивания, сверхпроводникового

...витка 2 (фиг. 1) После этой операции виток 2 всплывает, поднимаясь к магниту 1, и находится в свободном состоянии устойчивого равновесия на зазоре дг. Всплывание витка 2 объявляется следующим образом. В результате перевода витка 2 в сверхпроводящее состояние в нем замораживается часть силовых линий магнитногополя магнита 1 (свойством постоянства или замороженности числа силовых линий обладает любой замкнутый виток с нулевым активным сопротивлением), Число замороженных силовых линий на основе законаэлектромагнитной индукции не должно изменяться, Поэтому при увеличении д, попадая в зону более, слабого магнита 1, в витке проходит ток для увеличения недостающего числа силовых линий, Этот ток, взаимодействуя с магнитом 1, приводит к...

Номер патента: 1545888

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Горбунов, Ширшов

МПК: H01L 39/24

Метки: зависимости, исследования, сверхпроводников, способности, температуры, токонесущей

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТИ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее криостат, источник внешнего магнитного поля, сменный шток с измерительной камерой, причем выход камеры через вентиль соединен с газгольдером, а вход соединен с криостатом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования температуры и сокращения времени на переход с одной температуры на другую, в него дополнительно введены камера испарения жидкого гелия с датчиком уровня и нагревателем, камера нагрева газа с нагревателем, фильтрующие сетки, блок испарения жидкого гелия и блок регулирования нагрева газа, причем камера нагрева газа отделена от камеры испарения жидкого гелия изолирующим стаканом с отверстиями для прохода...

Номер патента: 1805800

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Белоголовцев, Буш, Волков, Гордеев, Исаков, Кривощеин

МПК: H01L 39/24

Метки: керамики, сверхпроводящей, токонесущего, элемента

...и представляющий собой изотропный поликристалл, размалывают в шаровой мельнице, В результате дезагломерации при помоле получают порошок, состоящий из монокристаллов указанного состава и их обломков, также имеющих свойства монокристаллов, Размер частиц 0,6-1,2 мкм, После этого погружают матрицу 1, выполненную из немагнитного материала (титан) с целью уменьшения ослабления и искажения силовых линий 7, в криостат с жидким азотом,выми линиями, параллельными перегородкам 9, Для этого использовались оксидно-бариевые или "Ре-ЙЬ-В" постоянные магниты, создающие напряженность магнитного поля 1-10 кЭ (в разных опытах). После охлаждения матрицы с перегородками до 77 К (для прекращения кипения азота в ней) порошок сверхпроводника постепенно...

Номер патента: 1829812

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Возный, Галушко, Горбик, Дякин, Лавандовский, Левченко, Огенко, Чуйко, Янчевский

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...прессования, Прессование смеси осуществляли в пресс-форме с регулируемым обогревом на установке, позволяющей многократно автоматически воспроизводить температурно-временной режим нагрева, выдержку температуры пресс-формы при заданной температуре и охлаждение. После прессования определяли относительную магнитную восприимчивость полученных образцов ВТСП с помощью автодинной методики на частоте 1 кГц, Измеряли мнимую часть поверхностного импеданса ВТСП образцов, которая прямо пропорциональна магнитной восприимчивости.П р и м е р 1. 16 г порошка ВТСП формулы (РЬхВ 1-х)2 Са 23 г 2 СизОу и 4 г порошка ПХТФЭ после прибавления этилового спирта до полного смачивания смеси перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Затем...

Номер патента: 1736312

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Блаут-Блачев, Чубаров

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, обладающих, пленок, сверхпроводимостью, толстых

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТЫХ ПЛЕНОК, ОБЛАДАЮЩИХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬЮ, на основе соединений Bi Sr Ca Cu O, включающий нанесение смеси из окислов и карбонатов элементов, входящих в соединение, на подложку, нагрев и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью расширения класса используемых подложек, нагрев осуществляют 1 20 мин при 910 950oС, а последующий отжиг проводят при 840 890oС в течение более 3 ч.

Номер патента: 1824024

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Бланк, Сумароков, Ткаченко, Шевцов

МПК: C04B 35/50, H01L 39/24

Метки: cu3o7-x, высокотемпературных, оксидных, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОКСИДНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ R BA2Cu3O7-x, где R металл, выбранный из группы Y, La, Nd, Eu, Gd, при котором смешивают порошки оксидов металлов, входящих в состав соединения, взятых в стехиометрическом соотношении, и полученную смесь термообрабатывают в кислородсодержащей атмосфере с последующим охлаждением и размолом полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности критического тока и уменьшения ширины сверхпроводящего перехода изготавливаемых из него изделий, полученный после размола продукт обрабатывают водным или органическим раствором кислоты общей формулы...

Номер патента: 1829811

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Иванов, Похолков, Савельев, Хасанов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокодисперсного, высокотемпературного, монофазного, порошка, сверхпроводника

...температуры синтеза, сокращение продолжительности помола после синтеза для получения монофаэного порошка высокотемпературного сверхпроводника УВа 2 Сцз 07-х с частицами субмикронных размеров,Применение УДП меди удельной поверхностью. на три порядка превосходящей удельную поверхность порошка СцО стандартного, приводит к увеличению скорости синтеза шихты, что способствует снижению температуры и времени синтеза порошка и увеличению степени гомогенности синтезируемого порошка.П р и м е р, Исходные компоненты шихты; У 20 з ("хч", ГОСТ 42-208-81), ВаСОз ("чда", ГОСТ 4158-80) и УДП меди, полученный методом электрического взрыва проводников (ВТУ 2-25-98) с размерами частиц 0,05 - 0,15 мкм сферической формы, берут в соотношении, мас,% У 20 з...

Номер патента: 1823732

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Скутин, Сычев, Тихомиров, Югай

МПК: H01L 39/24

Метки: y-ba-cu-o, высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, травления

...на фиг.3 - зависимость среднего числа молекул Н 20 в кластере воды от давленияар воды Рно; на фиг.4 - завсоссреднего числа молекул воды и в кластереНС пН 20; на фиг,5 - зависимость скороститравления от парциального давления кластеров воды РнотоРеакционная камера 1 представляет собой вакуумированный насосом 2 сосуд, в15 которем помещается стравливаемая пленка У-Ва-Си-О 3, напыленная на подложкуиэ ЯгТОз или сапфир, Реакционная камера1 изготавливается иэ материала химическинейтрального к хлористому водороду (молибденовое стекло, кварц, полимер и др,).В начале эксперимента в предварительно откаченную камеру 1 напускают парыводы из емкости 4 до получения давленияРн,о =7 - 11 Торр, что при температуре 17 Ссоставляет (0,5-0,7)Рнонасы,ц....

Номер патента: 1829818

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Григорашвили, Сотников, Фомин

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...узла на расстояние свыше 8 200 пленка обладает плохими свойствам, ввиду малой толщины и снижения эффективности использования распылительного материала, а также нестабильности работы распылительного устройства.На чертеже показано устройство для осуществления способа получения ВТСП- пленок; 1 - подложки; 2 - нагреватель; 3 - мишень; 4, - область разряда; 5 - вакуумная камера.П р и м е р 1, В качестве распылительного узла используют систему встречно размещенных магнетронов. Подложки Ег 02 или ЗгТОз диаметром до 30 мм в количестве 10 шт, нагревают до 700 С и зажигают разряд. Выходные отверстия системы напуска аргона и кислорода, нагреватель 2 подложки и входное отверстие вакуумной откачной системы, размещают на оси симметрии...

Номер патента: 1793811

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Гасумянц, Казьмин, Кайданов

МПК: H01B 12/00, H01L 39/24

Метки: yba2cu3o7, керамики, критической, перехода, сверхпроводящего, температуры

...что, во-первых, достаточно сложно и трудоемко, а во-вторых, частично разрушает образец.Целью изобретения является упрощение и повышение точности за счет локальных измерений,Сущность способа заключается в том, что для определения величины Тс керамик ЧВа 2 Соз 07-д предлагается пользоваться установленной корреляционной зависимостью между значением Тс и а(Т = 300 К) для этих керамик и, измерив значение при комнатной температуре любым известным способом определять величину Тс по этой зависимости. Этот способ значительно проще и быстрее в исполнении (для проведения 25 измерений требуется наличие лишь нагревательного элемента, термопары и микро- вольтметра для регистрации величины сигналов, а сам процесс проведения измерений занимает 1 - 2...

Номер патента: 1715152

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Кукуев, Попов, Харламов

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: пленок, сверхпроводящих

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК, заключающийся в плазменном напылении в инертной газовой среде порошкового материала YBa2Cu3O7 на разогретую подложку с последующей ее термообработкой в кислорде и охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок путем уменьшения количества пор, величину гранул порошкового материала выбирают в пределах 80 - 150 мкм, напыление производят до толщины пленки 10 - 1000 мкм, при этом в зону образования пленки подают кислород, после чего в течение 2 ч производят нагревание пленки до 945 - 955oС с постоянной скоростью, выдерживают при этой температуре в течение 2,5 - 3,0 ч, а затем постепенно охлаждают в течение 4 ч.

Номер патента: 1805802

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Григорашвили, Гурова, Дербенева, Пожарский, Цейтлин, Чаплыгин

МПК: H01L 39/24

Метки: bi-pb-sr-ca-cu-o, высокотемпературного, сверхпроводникового, системы

...заключается в повышении химической однородности. высокотемпературного сверхнроводника и упрощении процесса,Это достигается благодаря тому, что к смеси оксидов висмута и меди и нитратов стронция и кальция, а также оксида или нитрата свинца добавляется концентрированная азотная кислота в количестве, не достаточном для образования средних нитратов, но достаточном для получения шликера со сметанообраэной консистенцией, Благодаря тому, что шликер не расслаивается и не образуется жидкость, которая может проникать сквозь стенки огнеупорного тигля, операции смешения и приготовления шликера проводятся непосредственно в алундовом тигле и применение посуды из драгоценных металлов исключается.Роль азотной кислоты заключается в активации...

Номер патента: 1602301

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Борисенко, Войтенко, Закосаренко, Ильичев, Тулин

МПК: H01L 39/24

Метки: джозефсоновского, контакта, ниобия, основе

Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия, включающий напыление пленки ниобия на кремниевую подложку, формирование фоторезистивной маски, травление слоя ниобия, формирование слоя барьера, напыление второй пленки ниобия, формирование второй фоторезистивной маски, травление второго слоя ниобия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик контакта, слой барьера формируют нанесением пленки карбита кремния.

Номер патента: 1824023

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Балашов, Боровинская, Кидяшкин, Максимов, Мержанов, Нерсесян

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: горения, режиме, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала в режиме горения, включающий приготовление исходной смеси из порошков оксида иттрия или оксида редкоземельного металла, пероксида бария и меди и инициирования процесса, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса получения однородного по содержанию кислорода целевого материала, в смесь дополнительно вводят окислитель, в качестве которого используют перхлорат аммония щелочного или щелочноземельного металла, или пентаксид иода, или их смеси в количестве, обеспечивающем содержание кислорода в целевом продукте 7+ атомных единиц, при этом окислитель предварительно смешивают с оксидом иттрия или редкоземельного металла.

Номер патента: 1780476

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Листратова, Назарова, Ткаченко, Хребтов

МПК: H01L 39/24

Метки: болометра

Способ изготовления болометра путем формирования на диэлектрической подложке приемной площадки из сверхпроводниковой пленки и укрепления диэлектрической подложки на объемном теплоотводящем основании, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности болометра в объемном основании, производят выборку материала, соединяют его с диэлектрической подложкой методом оптического контакта, а затем любым известным способом уменьшают толщину диэлектрической подложки, образуя над областью выборки материала мембрану для формирования приемной площадки.

Номер патента: 1783940

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Булышев, Иванов, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, покрытий, сверхпроводящих

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на подложках из поликристаллической окиси алюминия, включающий приготовление суспензии из YBa2Cu3O7, формирование покрытия и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров, перед формированием покрытия формируют промежуточный слой путем нанесения суспензии на подложку и термообработки при 1100 - 1200oС в течение 5 - 20 мин с последующей закалкой при комнатной температуре.

Номер патента: 1799523

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бахвалова, Волков, Данилов, Иванова, Ковалев, Овчинников, Фокина

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, сверхпроводников

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников, включающий измельчение исходных солей и/или оксидов, гомогенизацию, отжиг, охлаждение, измельчение спека, введение оксида таллия (III), прессование таблеток и заключительный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры, содержания сверхпроводящей фазы в образце и исключения потерь таллия, одновременно с оксидом таллия в шихту вводят 1,0 - 2,0 моль нитрата калия в расчете на один моль исходного вещества, при этом заключительный отжиг проводят при температуре 850 - 870oС в течение 5 - 10 мин.

Номер патента: 1338729

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Евдокимова, Козинцев, Хлыбов

МПК: H01L 39/24

Метки: композиционного, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего композиционного материала на основе Nb3Al0,8Ge0,2, включающий воздействие высокого давления и температуры на предварительно спрессованные смеси из порошкообразных компонентов с последующим снижением температуры до комнатной и давления до нормального, отличающийся тем, что, с целью повышения пластичности и механической прочности, в смесь дополнительно водят порошок меди и воздействуют давлением 15 - 25 105 кПа и температурой в интервале 1000 - 1150oC в течение 30 - 60 с, причем охлаждение ведут со скоростью 30 - 40 град/с, а компоненты...

Номер патента: 1752154

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Иванов, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: иттрий-бариевых, купратов, синтеза

Способ синтеза иттрий-бариевых купратов, включающий приготовление смеси из исходных компонентов, нагревание до 950oС, термообработку ее при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения содержания орторомбической фазы и сокращения длительности процесса, нагревание смеси и термообработку осуществляют путем электронного облучения, время термообработки выбирают в интервале 40-50 мин, а охлаждают со скоростью не более 60 град./мин, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в смеси, d - толщина смеси.

Номер патента: 1752155

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Иванов, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, иттрий-бариевых, сверхпроводников

Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в облучении сверхпроводника потоком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения значений плотности критического тока и температуры перехода в сверхпроводящее состояние, облучением потоком электронов нагревают сверхпроводник до 400-620oC и выдерживают его при этой температуре в течение 40-60 мин, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в сверхпроводнике, d - толщина сверхпроводника.

Номер патента: 1752153

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Кожемякин, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, иттрий-бариевого, сверхпроводника

Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника, включающий формование изделия, нагрев его до 950oC, термообработку при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров сверхпроводника и сокращения длительности процесса, термообработку проводят в течение 50-60 мин, в процессе охлаждения изделия проводят дополнительную термообработку при 400-450oC в течение 50-60 мин, при этом нагревание изделия, термообработку и дополнительную термообработку осуществляют путем электронного облучения, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R -...

Номер патента: 1485972

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Марченко, Никулов, Розенфланц, Старков

МПК: H01L 39/24

Метки: ниобия, пленок, сверхтонких

Способ получения сверхтонких пленок ниобия, включающий напыление и анодное окисление, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности пленок, анодное окисление первоначально проводят при плотности тока, не превышающей 0,3 мА/см2, до достижения заданной толщины пленки, а затем в режиме постоянного напряжения в течение 30 - 40 мин.

Номер патента: 1632313

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Матвеев, Матвеева, Черных

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в нанесении на кристаллическую подложку пленки высокотемпературного сверхпроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения структурных свойств, в качестве материала кристаллической подложки используют сплав висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат. %:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 1639364

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борзенко, Вдовин, Касумов, Кислов, Кононенко, Кудряшов, Матвеев

МПК: H01L 39/24

Метки: планарная, сверхпроводящая, структура

Сверхпроводящая планарная структура, содержащая две сверхпроводящие пленки, разделенные субмикронным зазором и расположенные на проводящей подложке, отличающаяся тем, что, с целью увеличения критической плотности тока при большой ширине зазора, подложка выполнена или из массивных кристаллов или из кристаллической пленки сплава висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 1748587

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Селявко, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: bi2sr2cacuocuo8путем, кристаллизации, расплава, фазы

Способ получения фазы Bi2Sr2CaCuO8- путем кристаллизации из расплава, включающий приготовление расплава необходимого состава, охлаждение до температуры кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных кристаллов, расплав приготавливают из шихты исходного состава Bi2Sr1,6+xCa1,4+xCuO8+ , где -0,1 x 0,1.

Номер патента: 625533

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Романов, Сафронов

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала в полупроводнике путем его охлаждения до критической температуры с использованием фазового перехода полупроводник-металл, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и получения сверхпроводящих участков заданной конфигурации, охлажденный до или ниже критической температуры полупроводник облучают импульсами лазера с плотностью энергии ниже порога разрушения получаемого материала.

Номер патента: 1820797

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12, H01L 39/24 ...

Метки: yba2cu3o, иттрий-бариевого, купрата, оксидного, основе, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата (YBa2Cu3O7- ), включающий приготовление шихты путем смешения оксидов иттрия и меди, карбоната бария и оксидной титансодержащей добавки, измельчение смеси, термообработку на воздухе, помол, формование, спекание на воздухе и охлаждение с изотермической выдержкой при 400oC в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности критического тока и уменьшения ширины перехода материала в сверхпроводящее состояние при упрощении технологического процесса, в качестве оксидной титансодержащей...

Номер патента: 1776168

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Васильев, Калева, Костырев, Косяченко, Политова, Чибирова

МПК: H01L 39/24

Метки: cu3o7-x, оксидного, сверхпроводящего

Способ получения оксидного сверхпроводящего материала YBa2Cu3O7-x, включающий измельчение смеси оксидов иттрия (Y2O3), меди (CuO) и карбоната бария (BaCO3), формование смеси в таблетки, термообработку при 950oC в течение 20 ч и охлаждение с изотермической выдержкой, отличающийся тем, что, с целью повышения температуры перехода материала в сверхпроводящее состояние, перед формованием на смесь воздействуют переменным магнитным полем величиной 300 - 400 Гс в течение 5 - 10 мин, а изотермическую выдержку проводят при температуре 350 - 400oC в течение 8 - 12 ч.