Способ управления плазменным образованием

м Ютэитно-техничес бибиотенв ЦБ ФШЖЕЪм И АСова Советскмк Соцмалистмческик республик(22) Заявлено 040772 (21) 1804896/26-25 51)М. Кл. Н 01,7 17/00 Н 01,7 11/00 с присоединением заявки М Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий(54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПЛАЗМЕКБИ ОБРАЗОВАНИЕМ Изобретение относится к областиФизической электроники и может бытьприменено для получения управляеьыхсветового и корпускулярного излуче 5ний из плазмы, а также при использо-:вании эффектов, возникающих во внешней электрической цепи газового разряда, в .различных областях техники.Известен способ исследования эфФектов, связанных с сужением газового разряда, путем перемещения диафрагмы для сужения разряда к электро-дам. Однако передвижение диафрагьыотносительно катода и анода поЗволяет разрушать плазменное образованиетолько при замыкании диафрагмы наодин из электродов,Цель изобретения - обеспечениевоэможности разрушения и восстановления плазменного образования в фиксированной точке разрядного промежуткапри наличии сужения в разряде безизменения давления газа. в разряде ивведения дополнительных внешних электрических и магнитных полей.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу к плазменному образованию в сужении зафиксированной в,разрядной трубке диафрагмы приближаютдругое плазменное образование. В ка- ЗО Яестве управляющего может быть испбльэовано плазменное образование в сужении подвижной диафрагмы. Управляющее воздействие достигается впрыском в управляемое образование энергичных з лект родов и з у пра вл яюще го обр аэ ования.На чертеже схематически изображено устройство, с.помощью которого можно реализовать предлагаемый способ.Устройство состоит иэ корпуса 1 и двух подвижных диафрагм 2 со штоками 3. Корпус 1 представляет собой стеклянную трубку с внутренним диаметром 32 мм. Диафрагмы 2 имеют возможность перемешаться со скольжением в трубке, при этом зазор между стенкой трубки и диафрагмой составляет 0,1-0,2 мм. Диафрагмы имеютформу полых цилиндров, в донышках которых имеются отверстия диаметром 5 мм. Каждая диафрагма имеет шток 3 для пере движен ия.При разряде (Р= 1 105 ф 10им рт.ст., 3=0,5-1 А, О 90 В) через объем, ограниченный корпу- сом 1 и диафрагмами 2, у отверстия диафрагм с катодной стороны (если расстояние между диафрагмами больше 6 мм) возникают яоко светящиеся426595 Формулаиз обретен и я ед З,Фанта Корректор В. Бутяга Миронов Редактор Заказ 10 Подпи си ое итета СССР открытий кая наб., д. 4/5/1 Тираж 787ЬНИИПИ Государственного коапо делам изобретений113035, Москва, Ж, Рауш илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 плазменные образования сферической формы. При передвижении диафрагм одна к другой на расстояние 6 мм заметных изменений яркости излучения и формы плазменного образования, а гакже параметров внешней электрической цепи не наблюдают. При расстоянии между диафрагмами б мм плазменное образование, находящееся у отверстия ди афрагмы, расположенной ближе к аноду, начинает проявлять неустойчивость. При этом наблюдают резкие периодические изменения светового потока, а также периодические изменения параметров внешней цепи разряда (сила тока и напряжение). При расстоянии между диафрагмами 4-5 мм разряд становится снова устойчивым, но плазменное.образование у диафрагмы, расположенной ближе к аноду, уже не наблюдается, в то время как у диафрагмы, расположенной ближе к катоду, плазменное образование остается беэ изменений, при этом направление на разряде уменьшается на 6-8 В.При раэдвигании диафрагм на расстояние более б мм у диафрагмы рас-,положенной ближе к аноду, возникаетплазменное образование, напряжениецд разряде увеличивается на 7-8 В,а сила тока разряда уменьшается,Управление может осуществляться и вращением подвижной диафрагмы, расположенной на фиксированном расстоянии от неподвижной. Эксперименты показали, что приближение управляющего плазменного образования к управляемому дает такой же эффект.Таким образом, передвигая плазменные образования одно относительно другого, можно эффективно разрушать и восстанавливать плазменное образование. 40Способ управления плазменным образованием в разрядах с сужением,о т л и ч а ю щ и й с я тем, чтос целью повышения зффективносгиуправления, к упомянутому плазменному 25 образованию приближают другое плазменное образование.