Устройство для управления плазменным образованием
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 414919
Автор: Лазарев
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Соввтсннк Соцналнстнчвсина Республик414919 К АВТОРСКОМУ СВМ ЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 110872 (21) 1817750/26-25 (51)М. Кл. Н 01 Ю 17/00 Н 01 Ю 11/00 с присоединением заявки йо(23) Приоритет Гоеударстаеииый комитет СССР ио деяам изобретекиЯ и открытиЯ(53) УДК 533,601 (088. 8) Дата опубликования описания .2 31 3.81(54) УСТРОЙ:ТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПЛАЗМЕННЬМ ОБРА ЗОВАН ИЕМИзобретение относится к физической электронике.Устройство можетбыть использовано для получения управляемых светового н корпускулярного излучений иэ плазменного образования, образующегося у отверстия диафрагмы, используемой для сужения разряда.Известны устройства для управления плаэменньел образованиегл, образующимся у отвертсия подвижной диафрагмы, придвижением этой диафрагмы к аноду, а также изменением давления в разрядной трубке при наличии в ней нескольких диафрагм. 15В известных устройствах не удается управлять плазменным образованием в любой части разрядной трубки без изменения давления в ней. 20Цель изобретения - повышение эфФектйвности управления плазменным образованием в области сужения разряда.Предлагаемое устрой ст во отличается тем, что устройство для сужения выполнено в виде двух диаФрагм, установленных в корпусе с возможностью скольжения по внутренней его поверхности, и снабжено механизмами пере мещения, позволяющими устанавливать диафрагмы в любой части корпуса.Устройство изображено на чертеже.Внутри корпуса 1 расположены дведиафрагмы 2 с отверстиями, штоки 3 для перемещения диафрагм, у отверстий которых возникает плазменное образование. В качестве корпуса устройства для сужения может использоваться корпус разрядной трубки. Диафрагмы могут скользить по внутренней поверхности корпуса.После зажигания разряда и появления у отверстий диафрагмы плазменного образования 4 одну из диафрагм устанавливают в нужной части разрядной трубки, а затем придвигаютк ней другую, если нужно разрушить плазменное образование, илн отодвигают ее, если нужно это образование восстановить.Так, например в стеклянной разрядной трубка диаметром 32 мм пук давлении водорода в ней 510 110 1 мм рт.ст., при токе разряда 0,5-1,5 А и напряжение 90 В с помощью диафрагм с отверстиями диаметром 5 мм погасили плазменное образование у отверстия диафрагмы, расположенной ближе к аноду, при приб414919 Формула изобретения СоставительРедактор Е.Месропова Техред А.Бабинец Корректор В.Бутяга Заказ 10634/1 Тираж 787Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и отрытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лижении второй диафрагмы (со стороны катода на расстоянии порядка 4- 5 мм. У диафрагмы, расположеннойближе к катоду, плазменное образование не изменяется. При этом напряжеие на разряде уменьшается на 6-8 В (на чертеже управляемое плазменное образование изображено пунктиром).При раэдвигании диафрагм или отодвиганин одной иэ них от другой на расстояние более чем 6 мм у диафрагмы, расположенной ближе к аноду, снова возникает плазменное образование, а напряжение на разряд увеличивается на 6-.8 В. Таким образомпередвигая диафрагмы отьосительно друг друга, можно разрушать и восстановлять плаз менное образование. Устройство для управления плазменным образованием в разрядах с сужением, в корпусекоторого расположено, устройство для сужения разряда, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения эффективности управления плазменным образованием в области сужения разряда, устройство для сужения выполнено в виде двух диафрагм, установленных в корпусе с воэможностью скольжения, по внутренней его поверхности, и снабжено механизмами перемещения, позволяющими устанавливать диафрагмы в любой части корпуса.
СмотретьЗаявка
1817750, 11.08.1972
ЛАЗАРЕВ Н. Ф
МПК / Метки
МПК: H01J 17/00
Метки: образованием, плазменным
Опубликовано: 23.11.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-414919-ustrojjstvo-dlya-upravleniya-plazmennym-obrazovaniem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для управления плазменным образованием</a>
Предыдущий патент: Бетатрон
Следующий патент: Индукционный ускоритель
Случайный патент: Устройство для каротажа магнитной восприимчивости