Сплав для тонкопленочных резисторов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПЛАВ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий соединение кобальта с кремнием и бор, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного сопротивления, в качестве соединения кобальта с кремнием используют CO2Si при следующем соотношении компонентов, мас.
CO2Si 99,0 99,5
В 0,5 1,0
Описание
Целью изобретения является расширение диапазона удельного сопротивления и снижение температурного коэффициента сопротивления (ТКС) за счет использования дисилицида кобальта в составе сплава, содержащего соединение кобальта кремнием и бор.
Для получения сплава приготовлены три состава шихты. В среде этилового спирта ректификата смешивают в шаровом барабане в течение 24 ч 84,0 мас. Co, 15,5 мас. Si и 0,5 мас. В, при этом соотношение массы загрузки шихты и спирта 1: 0,32. Затем спирт испаряют в сушильном шкафу до полного высыхания (испарение контролируют визуально). Высушенную шихту прессуют в брикеты диаметром 30 мм и высотой 20-25 мм под давлением 150-200 МПа. Спрессованные брикеты загружают в вакуумную печь. Синтез материала осуществляют в вакууме 5
10-3 Па с общей выдержкой не менее 5 ч при 1173 К. Получают сплав, содержащий Co2Si 99,5 мас. + 0,5 мас. В. Сплав дробят на прессе. Для приготовления мишеней диаметром 125-190 мм и толщиной 5-7 мм полученный после дробления порошок размалывают в шаровой мельнице, просеивают через сито N 0063 и замешивают на пластификаторе (5%-ный раствор резинового клея в бензине).Гранулированную шихту засыпают в пресс-формы. Давление прессования 1-1,5 т/см2. Прессовки сушат в вакуумных сушильных шкафах в течение 15 ч при 353
10 К. Заготовки спекают в высокотемпературной вакуумной печи при давлении 1 10-3 Па и температуре 1723 К.Резистивные пленки получают методом ионно-плазменного распыления мишени на установке типа УВН-75П-1 при следующих условиях: ток катода 80-87А; ток дугового разряда 18-20 А; ток мишени 220-260 А; ток электромагнита 140-150 А; высокое напряжение 2,5-3 кВ; время напыления 20-40 мин; давление рабочего газа аргона в камере, мм рт.ст. (1-2)
10-4; время стабилизации пленки в вакууме при 350оС 30 мин.Проделано еще два технологических цикла получения предлагаемого сплава, отличающихся лишь количественным соотношением компонентов. Составы сплавов и характеристики полученных из них пленок приведены в таблице.
Как видно из таблицы, полученные резистивные пленки имеют более широкий диапазон удельного сопротивления (10-600 Ом/
), позволяющий получать резисторы с широким диапазоном номиналов и более низкий ТКС (20-50) 10-6 К-1.Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет расширить диапазон удельного сопротивления и снизить температурный коэффициент сопротивления резисторов. Для этого в материале для изготовления тонкопленочных резисторов, представляющем собой сплав, в качестве соединения кобальта с кремнием используют Со2Si в количестве 99,0 - 99,5 мас.% и бор в количестве 0,5 - 1,0 мас.%. 1 табл.
Рисунки
Заявка
4145719/21, 10.11.1986
Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор"
Шурова И. Г, Захваткина Т. С, Лиходед Л. С, Дворина Л. А, Ганиев Р. В, Бережной В. Н
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: резисторов, сплав, тонкопленочных
Опубликовано: 10.04.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1461278-splav-dlya-tonkoplenochnykh-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сплав для тонкопленочных резисторов</a>
Способ определения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов
Номер патента: 1347049
Опубликовано: 23.10.1987
МПК: G01R 31/18
Метки: контактных, неокрашенных, переходов, резисторов, сопротивления
...резисторов. 10На фиг.1 представлена схема для измерения сопротивления резистора без шунта; на фиг.2 - то же, с шунтом.Сущность способа заключается в следующем.Для измерения сопротивления резистора без шунта (фиг.1) резистор 1 подключают контактными узлами 2 и 3 к измерительному прибору 4 и регистрируют величину В , . Значение сопротивления Б,связано со значением сопро. тивления контактных переходов Б и сопротивлением активной зоны резистора Б, соотношением 251 о, = Н, + о. (1)Затем шунтируют шунтом 5 (фиг.2) часть 1 активной зоны резистора 1, которая задается в зависимости от длины 1 резистора. Чем большая часть 1 активной зоны шунтируется, тем выше точность определения активной зоны и контактных переходов. Регистрируют величину...
Устройство для измерения удельного тока туннельного диода
Номер патента: 437029
Опубликовано: 25.07.1974
МПК: G01R 31/26
Метки: диода, туннельного, удельного
...обратно пропорциональна сопротивлению резистора 5.Блок 6 обладает тем свойством, что его выходной переменный сигнал обратно пропор.30 ционален входному воздействию,437029 20 Предмет изобретения Составитель В, АвдонинРедактор А. Зиньковский Текрсд А. Дроздова Корректор Л. Котова Заказ 4412 Изд. И 307 Тираж 708 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, уК, Раушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 При измерении удельного тока диода 1 регулируют входное воздействие блока 6 до техпор, пока на выходе копирующего усилитсля2 не установится заранее выбранное напряжение, определяемое источником опорного напряжения 10. Достижение этого напряженияфиксируется по нуль-индикатору...
Измеритель удельного тока тунельного диода
Номер патента: 463074
Опубликовано: 05.03.1975
Автор: Выменец
МПК: G01R 31/26
Метки: диода, измеритель, тунельного, удельного
...6, регулируемый источник напряжения 7, резистор 8,Измеритель тока максимума 3 выдает переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна току максимума туннельного диода 1. Благодаря равенству входного и выходного потенциалов оппрующего усилителя 2 суммарный ток, протекающий через туннель ЫЙ ДИОД, ВХОДНОС СОПРОТИВЛЕНИЕ гвх КОПИРУ- ющего усилителя и резистор 8, оказывастся прямо пропорциональным току максимума туннельного диода и равным току через токоогра 1 ич 11 ва 1 О 1 ций резистор 4. На выходе корректирующего усилителя 5 при этом устанавливается некоторое напряжение, величина которого сравнивается с напряжением, полу 1 гсмым от регулируемого источника напряжения 7, Напряжение источника 7 увеличивается до тех пор, пока...
Тестовая плата для измерения величины сопротивления пленочных резисторов
Номер патента: 1686961
Опубликовано: 20.02.1995
Авторы: Аникин, Бутузов, Сапрыкин, Хренова
МПК: H01C 7/00
Метки: величины, плата, пленочных, резисторов, сопротивления, тестовая
ТЕСТОВАЯ ПЛАТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, содержащая диэлектрическую подложку с пленочными резистивными элементами прямоугольной формы и контактные площадки, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения величины удельного поверхностного сопротивления, она дополнительно содержит несимметричную микрополосковую линию передачи, выполненную в виде слоя металла на стороне диэлектрической подложки, противоположной размещению контактных площадок, и проводника, контактирующего со всеми пленочными резистивными элементами, причем резистивные элементы объединены в ячейки, соединенные последовательно участками проводника несимметричной микрополосковой линии передачи, контактирующего с каждым пленочным...
Сплав на никелевой основе с малым температурным коэффициентом удельного электросопротивления
Номер патента: 203912
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Борисов, Рахштадт, Шпицберг
МПК: C22C 19/03, H01B 1/02
Метки: коэффициентом, малым, никелевой, основе, сплав, температурным, удельного, электросопротивления
...ество воль. имое сочетаеских хараксплав фрама пие ф ис основе с малымтом удельного эащий бериллийс целью обеспе ния физико-хи актеристик, он тем- чектения гиче- меет 1,0 в 1,9 5,5 - 9,5 1,0 - 5,0 ,001 - 0,0 остально 1, отлитобий,8% илих же ающиися тем, что он енпй, ванадий и цирт любой один из этих предел ах. Изобретение относится к сплавам с малым температурным коэффициентом удельного электросопротивления, применяющимся, например, для токоведущих и силовых упругих чувствительных элементов прецизионных приборов и автоматических систем, работающих до 500 С,Известные ранее никель-бериллиевые сплавы имели довольно высокий (19,8 10 г 1 С) температурный коэффициент удельного электросопротивления и недостаточно высокую допустимую температуру...
Предыдущий патент: Модифицирующая смесь
Следующий патент: Передняя управляемая опора шасси летательного аппарата
Случайный патент: Способ определения крутизны датчика угла динамически настраиваемого гироскопа