Способ изготовления пленочных резисторов

Номер патента: 1259873

Авторы: Исаева, Плеханов

Формула

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности характеристик, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15 - 30 мас.% и алюминия 70 - 85 мас.%.

Описание

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектронике при изготовлении прецизионных резисторов, в тонкопленочных гибридных интегральных схемах.
Известен способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя, проводящего слоя металла, формирование рисунка резисторов и стабилизирующий отжиг.
Недостаток известного способа состоит в большом разбросе температурного коэффициента сопротивления (ТКС) и низкой временной стабильности резисторов.
Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ изготовления пленочных резисторов, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов и стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки.
Недостатки этого способа заключаются в большом разбросе ТКС ( 3 10-4 град-1) и низкой временной стабильности ( 0,5%).
Цель изобретения уменьшение разброса значения температурного коэффициента сопротивления и повышение временной стабильности характеристик.
Это достигается тем, что в известном способе изготовления пленочных резисторов, включающем последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15-30 мас. и алюминия 70-85 мас.
П р и м е р. На подложку из ситалла СТ50-1-1 напыляют резистивный слой, а затем в едином технологическом цикле наносят на установке УВН-75 П1 подслой ванадия, слой меди и защитную пленку ванадиевоалюминиевого сплава методом электронно-лучевого испарения металлов из молибденовых тиглей. Режимы нанесения приведены в табл.1.
Ванадий и алюминий испаряют одновременно, при этом процесс напыления начинают после разогрева испарителей в течение 60-70 с.
Рисунок резисторов и коммутационных дорожек формируют методом фотолитографии, включающей операции нанесения фоторезиста ФП-383, экпонирования рисунка, проявления в растворе тринатрийфосфата, задубливания, травления многослойной структуры в смеси кислот (Н3РО4, НNО3 и Н2О).
Операцию стабилизирующего отжига подложек со схемами проводят в муфельной печи при оптимальных температурах 320оС (сплав РС 3710) и 420оС (сплав К50С) с последующим селективным травлением пленки из ванадиево-алюминиевого сплава сначала в 3-5%-ном горячем растворе NаОН и затем в перекиси водорода.
Настоящим способом были изготовлены резисторные микросборки четырех типов по 100 штук каждого типа. Результаты испытаний приведены в табл.2 и 3.
Изобретение позволяет уменьшить разброс ТКС, повысить временную стабильность пленочных резисторов, увеличить выход годных и снизить стоимость резисторных микросборок.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности характеристик, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15 - 30 мас.% и алюминия 70 - 85 мас.%.

Рисунки

Заявка

3463486/21, 01.07.1982

Проектно-технологический и научно-исследовательский институт

Плеханов А. А, Исаева Е. В

МПК / Метки

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, резисторов

Опубликовано: 27.02.1996

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1259873-sposob-izgotovleniya-plenochnykh-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления пленочных резисторов</a>

Похожие патенты