Юхвидин

Номер патента: 203104

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Базаров, Бикетов, Федоров, Хапланов, Юхвидин

МПК: H01C 1/00

Метки: квантовый, стандарт, частоты

...ты, использующие в качестве пассивного дискриминатора атомно-лучевую трубку для осуществления непрерывной автоподстройки о частоте резонансной линии атомного перехода;Однако для осуществления автоподстройки необходимо, чтобы частоты переходов активного стандарта и пассивного дискриминатора были равны или кратиы, что приводит к усложнению конструкции стандарта частоты.Предложенный квантовый стандарт частоты отличается тем, что в нем в качестве активного вещества использован один и тот же элемент как в активном генераторе, так и в пассивном дискриминаторе. Зто позволяет производить подстройку активного генератора при уходе частоты непосре ственно регулировкой температуры в тер остате мазера путем настройки резона-;ра сигналом ухода частоты...

Номер патента: 190499

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Айнбунд, Дунаевска, Тагер, Юхвидин

МПК: H01J 9/12

Метки: активировки, вторичных, эмиттеров

...в атмосфере остаточных газов (в присутствии аквадага), отличающийся тем, что, сцелью проведения процесса активировкп в от 15 паянных цезиевых атомнолучевых трубках впроцессе их технологического прогрева вовремя откачки, активировку производят в течение 30 - б 0 час при температуре порядка400 С и давлении остаточных газов порядка20 10 - з мм. рт. ст. при подъеме температуры втечение 5 - 7 час,Известен способ активировки вторичных эмиттеров, выполненных на основе сплавов меди с бериллием, алюминием и магнием,путем их кратковременного прогрева в атмосфере остаточных газов при б 00 - 800 С, давлении газов неболееб10 змм рт. ст. и быстром подъеме температуры,Особенностью предложенного способа является то, что активировку производят 30 -...

Номер патента: 122555

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Рукман, Тагер, Юхвидин

МПК: G01R 29/14

Метки: излучения, индикации, сверхвысоких, частот

...индикации благодаря использованию явления парамагцитного резо- панса в атомных пучках позволяет индццировать сверхвысокочастотный сигнал в широком диапазоне частот путем изменения напряженности внешнего магнитного поля.Используемый пучок электрически нейтральных частиц, создаваемый обычными способамц молекулярной техники, движется во внешнем магнитном поле с определенной пространственной ориентацией. Напряженность магнитного па,я распределяетс 5 вдал пучка, однородно в его центральной части и неоднородно ца крайних участках. В нсодпсродных участках мапгитпого поля происходит прострацст 5,еппое разделение часгцц с различными ориентациями магипцых моментов, которые с помощшо щели выделяют и направляют в о- лас 5 ь сдцородцогмагнитного...

Номер патента: 121965

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Ветров, Гришин, Декабрун, Ерофеев, Лавровская, Любимова, Скурат, Тальрозе, Танцырев, Франкевич, Юхвидин

МПК: G01N 27/60, H01J 49/26

Метки: масс-спектрометр

...50 кгц. Эти импульсы периодически запирают электронный пучок.Погенцнал на пластине, вытягивающей ионы, устанавливается или постоянным, или подается в виде отрицательных прямоугольных импульсов шириной приблизительно 4 мксек в тот момент, когда электронный пучок заперт.При ионизации квазимонохроматизированными электронами модуляция молекулярного пучка выключается. Разделение ионного пучка по массам осуществляется в магнитном анализаторе с радиусом 200 ллем.Для определения массового числа линий в масс-спектрометре в зазоре большого магнита измеряется магнитное поле с помощью германиевого датчика.Измерение ионного тока в масс-спектрометре осуществляется одними из трех способов: электрометрическим усилителем, электронным умно-...

Номер патента: 113051

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Калябина, Рукман, Юхвидин

МПК: C23C 14/48

Метки: изотопов, нанесения, пленок, элементов

...нужное значение напряженности магнитного поля Выделенный таким образом чистый ионный луч пропускается через систему отклонения 4, например, аналогичную системе отклонения электронного луча в электронно-лучевой трубке, которая разворачивает луч таким образом, что он последовательно во времени многократно пробегает участок поверхности б, предназначенной для покрытия. Нейтрализуясь на поверхности, ионы создают свободную от загрязнений пленку.Описываемь 1 й спо,"об отличается от ионного способа нолучення тонких пленок, описанного в авт. св.М 0 109057, введением в последний метода очистки с помощью магнитного анализатора. Ниже приводится ориенМ 113051тировочный расчет времени, необходимого для получения пленки очень чистого серебра толщиной...

Номер патента: 110532

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Калябина, Рукман, Юхвидин

МПК: C23C 14/48, C23C 14/52

Метки: массы, пленки, распределения

...распределения массы пленки по . ее координатам с помощью ионной пушки и системы отклонения ионного луча по авт, св,109057, отличающийся тем, что, с целью получения пленки с требуемой переменной толщиной и конфигурацией, регулируют ин 1 ч исивность ионного луча по заданному функциональному закону с по. мощью известного модулятора плотности тока, подключаемого к ионной пушке, а развертку ионного луча производят нс по линейному, а по соот;ветственно заданному закону, изменяя потенциалы отклоняющей системы с помощью подключаемого к ней известного устройства.Отв. редактор И. В. Макаровтандартгиз. Поди. к печ. 22/11 г 1958 г. Объем 0,125 п. л. Тираж 600. Цена 25 коТипография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР...

Номер патента: 109057

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Калябина, Рукман, Юхвидин

МПК: C23C 14/48

Метки: пленок, тонких

...в виде атомов или молекул, образуя тонкую пленку. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРРедактор И. М. Макаров. Гр. 209 Подп, к печ. 15.Ч 11-59 г.Тираж 1200 Цена 25 коп. Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п, л. Зак. 2989 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14, Количество наносимого вещества определяется временем напыления и силой ионного тока. Так как обе эти величины могут контролироваться с большой степенью точности, то это дает возможность получения неограниченного количества идентичных пленок. Ниже для оценки возможностей метода приведен ориентировочный расчет времени, необходимого для получения пленки серебра толщиной в 0,5 микрона на...

Номер патента: 107754

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Рабодзей, Юхвидин

МПК: C23F 1/04

Метки: металлической, образования, отверстий, применением, травления, фольге, химического

...в.1 я 10- шш 1, Ооою деформировавую зону со сто: ецью деформации, убьваюгцсй Ог центра Отпечатка и псрифсрш.При химическом травлении фольги с отпечатком травление и дефорзцроваццой зоне идет быстрес в пабогСе сильно деформированной оол асти - вершине отпечатка, и ОСете сбывацием степени;1 сформаццп скорость травления равном-р;ю умсцьшасзся к его периферии. Тким образом, за счет поры иеццой . скорости раствореш 1 я цаибо.ее с 1 Пыо деформированных частсц опечатка получается сквозюе отверстие правгы 1 о 1 формы в его вершине.Г связи с тем, что скорость травления отпечатка значительно больше скорости травлеш 1 я цедеформироваццого материала фольги, в течение врсмеци вытравления отверстия олщина фольги практически цс изменяется.При...