Материал для токопроводящей фазы резисторов

Номер патента: 504251

Авторы: Буданова, Мудролюбов, Руд, Самсонов, Шулишова

ZIP архив

Текст

ОП 11 САНИЕ ИЗОБРЕТЕН НЯ Союз Советских Социалистических Республик) 2002869/24-7 М, Кл 2Н 01 С 7/О соединением заявки Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий(43) Опубликовано 25.02.76, Бюллетень53) УДК 621.316.84 (088.8) 45) Дата опубликования опи я 13.04.7 72) Авторы нзобретени. Самсонов, И. Г. Буданова, Ю. М. Мудролюбов, Б. М. Руд и О. И. Шулишова 71) Заявител дена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения АН Украинской ССР(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОКОПРОВОДЯ 1 цЕЙ ФАЗЫРЕЗИСТОРОВ 2 БарийСамарийБор 6,1.40,0 9,0-43,0 0 9-31,0 Известен материал для токопроводяшей фаз зисторов на основе карбидов ниобия, боридов та, сложных карбидов переходных металлов. Однако в процессе изготовления резисторов териал окисляется и разлагается; кроме того, ди зон номиналов резисторов ограничен. Цель изобретения - снизить значения темпер ного коэффициента электросопротивления. рас рить диапазон номиналов и стабилизировать св ва материала в процессе изготовления резистор Это достигается тем, что в качестве токопро шей фазы резисторов используют двойной геке рид со следующим соотношением компонентоваВ зависимо риал обладает ное электросо ов мате и: удел мне р- омсмиления- делах от соотношения компонен характеристикам нри комнатной те (3,1-13,7) 10 электросопротив 0 до +170 оС в пр едующимотивлени я в пределахоэффициентератур от -7 туре измепяетстермический кинтервале темп(1,1-."2,9) 10Некоторыемого материал ойст.он. 1 О водяадставы и х а ктеристики птаблице. а приведень 70 оС),(от -70 дс 10 град остав, вес,% льное электросопротивление при 20 С,а Ятп ом см 31,2,+1,1 +",5 1,0 0,9 13,7 26,1 43,0504251 Формула изобретения БарийСамарийБор 26,1.40,0 29,0-430 30,9-31,0 Составитель Ц. НестеренкоРедактор Н. Данилович Техред А. Демьянова о Корректор А, ЛакидаЗаказ 1663 Тираж 977 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССУФ по делам изобретений и открытиЯ 113035, Москва, Ж 35, Рауьиская набд.4/5 филиал ппп патент", г. ужгород. ул. Гагарина, 10 3Двойной борид получается по следующей техноло.гик. Из предварительно прокаленных Бтп Оь (750"С,2 часа), В (170 оС, 3 часа) и Ва Со 3, взятых в нужноМ соотношении, составляют шихту для совместно.го получения двойного борида (Ва,5 ит) В 6 в интервале составов (Вас Ямо ) Иа 1 Вао,4 и" о,в)При этом ВаСо берут на 20 вес.% больше расчетно.го количества. Шихту прессуют в брикеты, загружа.ют в тигли из Ет В, в качестве засыпки используютВа Бв, Образцы получают в вакуумной печи сначальным вакуумом 1 10 мм рт. ст. по следующему режиму: повышают температуру до 700 оС, выдерживают в течение 15 мин, затем повышают температуру до 1600 оС и снова выдерживают в течение 15 мин, после чего нагрев перкращают.Полученные образцы раэмалывают, из порошкапрессуют и спекают компактные образцы для измерения резистивных свойств при температуре 2050 о С в/течение 10 мин в вакууме,Полученные составы обладают низкими значения.ми термического коэффициента сопротивления идают возможность, изменяя соотношение компочен.тов, получать резистивные материалы с широким диапазоном удельных значений электросопротивления.И Это позволит получать номинальные значения резйс. торов более широкихдиапазоновчем при обычно при. нятом изменении количественного соотношения;проводящая фаза-стекло, наполнитель, Предлагаемый материал не разлагается в процессе изготовления резисторов, устойчив в окислительных средах доою"800 С, он может быть использован в качестве токо. проводящей фазы толстопленочных и объемных резисторов в электронной промыпшенности. Материал для токопроводящей фазы резисторов на основе сложных боридов металлов, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью снижения значений,тем пературного коэффициента электросопротивления, расширения диапазона номинальных значений и стабилизации свойств материала в процессе изготовле.О ния резисторов, он содержит следующие ингредиен. ты, вес%:

Смотреть

Заявка

2002869, 27.02.1974

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ АН УКРАИНСКОЙ ССР

САМСОНОВ ГРИГОРИЙ ВАЛЕНТИНОВИЧ, БУДАНОВА ИРИНА ГЕРБЕРТОВНА, МУДРОЛЮБОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, РУДЬ БОРИС МИХАЙЛОВИЧ, ШУЛИШОВА ОЛЬГА ИВАНОВНА

МПК / Метки

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов, токопроводящей, фазы

Опубликовано: 25.02.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-504251-material-dlya-tokoprovodyashhejj-fazy-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Материал для токопроводящей фазы резисторов</a>

Похожие патенты