Болтовец

Номер патента: 508686

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Болтовец, Войцеховский, Ендржеевская, Ищук, Петрусенко, Тычина

МПК: G01K 7/10

Метки: датчик, резистивный, температуры

...акт та полупроводники, например таллов (чаще всего окиси М карбид кремния, нитрид бор группы Ап В.Однако известные датчики н проводниковых материалов н ченное использование в услови ного излучения,Целью изобретения являет стойкости тернорезисторов к изл ченшо. в количепонентов пределах з сущест- арамстры пои температуивного элемей-с 1 окислы меп, Со,%, Сц), а, материалы а основе полуаходят ограниях радиоактивзпого порессивным ний обойстъ стеклообра атериала к аг ряда прпмене го корпуса. ся повышениерадиоактивному Формула изобретени Резистивный датчик температуры,гний в качестве активного элемента 5 водник, отличающийся тем, ч лью повышсния его стойкости к ра ному излучению, в качестве полуп 1 использовано стеклообразное Сабе (РхАз 1...

Номер патента: 493806

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Болтовец, Войцеховский, Ендржевская, Ищук, Петрусенко, Серый, Тычина

МПК: H01C 7/06

Метки: датчика, материал, температуры, чувствительного, элемента

...и узкий температурный диапазон. 10Цель изобретения - разработка материала,позволяющего повысить чувствительность ирасширить рабочий температурный диапазондатчика температуры,Это достигается тем, что предлагаемый материал для чувствительного элемента датчикатемпературы состоит из Сд, Сте, Рг при следующем соотношении компонентов, вес. %:Сй 45 - 45,56 е 27,8 - 31,9 20Р 2 23,5 - 26,3Этот материал представляет собой полупроводниковое стеклообразное вещество СЙСтеР 2.Вещество такого состава синтезируется в вакуумированных до 10 -мм рт, ст. ампулах методом двухтемпературного синтеза из исходных веществ чистоты класса ОСЧ.Далее производится стеклование полученного вещества путем погружения тонкостенной кварцевой ампулы в закалочную среду...