Патенты с меткой «тензорезистор»

Номер патента: 275487

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ильинска, Мишин, Поднебеснов, Фролов

МПК: G01L 11/00

Метки: остойкий, тензорезистор

...содержащие металлическую основу, два слоя жаростойких окислов и тензочувствительный элемент.Предложенный тензорезистор отличается от известных тем, что между основой и первым слоем окисла расположен слой напыленного металла, например алюминия.Такое выполнение обеспечивает падеж передачу деформации от основы к тензочу вительному элементу.На фиг. 1 изображен описываемый тензорезистор; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1Термостойкий тензорезистор содержит металлическую основу 1, на которую нанесен методом напыления слой металла 2, например алюминия, электроизолируюций слой жаростойкого окисла 3 с размещенным па нем тензочувствительным элементом 4 и выводами б и верхний слой жаростойкого огсисла б. ет следующим обраова 1...

Номер патента: 284391

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Серова

МПК: G01B 7/16, G01M 13/04

Метки: проволочный, тензорезистор

...слою. Известны проволочные тензорезисторы, содержащие основу, защитный слой, тензочувствительную решетку и выводы, наклеенные на основу и образующие в месте соединения петПредмет изобретения ния точности измерения лических нагрузках в п чном тензорезисторе пе ду основой и защитным де- редтли сло 10 Проволочный тензорезнстор основу, защитный слой, тензо решетку н выводы, наклеенные разующпе в месте соединения пстли, отличаюш 1 ийся тем, что щения точности измерения д циклических нагрузках, петли между основой и защитным сл азана конструктивная схема оволочного тензорезистора. одержит основу 1, защитный вительную решстку 8 и вые на основу и образующие 15 ли. С целью повыш формаций при ци лагаемом проволо расположены меж ем свободно. Ча...

Номер патента: 302589

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Заган, Рыбак, Сандулова

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензорезистор

...(111). Коэффициент тензочувствительности нитевидных кристаллов антимонида галлия гг-тита с концепт;)ацией пр 111 ссей 1,4 10 в с,7 з равен - 110. 10 15 О Полупроводниковый тензорезистор на основе антимонида галлия гг-типа, выполненный в виде нитевидного кристалла, от.гичаго 1111 ся тем, что, с целью повышения тензочувствитсльности, он выполнен в виде монокристал.5 ла, выращенного в кристаллографическом папавлени 11 (111) посрсдс Гвом хи)11 сск 1 х азотранспортных реакций. ПриоритетОпубликовано 28.1 т 7.1971.Дата опубликования опи Изобретение относится к области полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций и механических напряжений деталей и конструкций.Известен полупроводниковый...

Номер патента: 345350

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Доценко, Пат

МПК: G01L 1/22

Метки: мембранный, тензорезистор, фольговый

...окружности контура образца от центра образца в его периферии. Но так как распределение тангенциальных напряжений по всему образцу и на контуре внутреннего отверстия симметрично относительно оси, проходящей через центр образца перпендикулярно его плоскости, то все точки контура отверстия обладают одинаковой вероятностью зарождения усталостной трещины, а поэтому и направление радиуса, по которому распространяется усталостная трещина, будет произвольным.,усталостная трещИйа,1 состоящая из одной (или двух) ветвей, распространяясь по произвольно направленному радиусу (или радиусам), пересекает петли тепзочувствительных элементов.1 под пряМыь углом, и первый импульс, являющийся следствием обрыва трещиной первой от центра полоски,...

Номер патента: 346570

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бабурин, Калашников, Котельников, Сапрыкин, Трахтенберг

МПК: G01B 7/16

Метки: высокотемпературный, тензорезистор

...котемпера чувствите крытием,талл д, и 3 на изоля тем, что,отовления ти тензо бразованИЗОБРЕТЕНИЯ публиковано 28.И 1.1972. Бюллетеньата опубликования описания 31 Х 111.19 Куйбышевский политехнический институт имени Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения деформаций при высоких температурах. Оно может быть использовано для контроля напряжений в конструкциях, работающих в усло виях интенсивного температурного нагружения.Известны высокотемпературные привариваемые тензорезисторы, содержащие чувствительную решетку с изоляционным покрытием, 10 представляющим собой окисел металла, и защитное покрытие, расположенное на изоляционном покрытии.Предлагаемый тензорезистор отличается от известных тем, что...

Номер патента: 397744

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Балабан, Гивельберг, Друбецкий, Янкельсон

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...температурное прнрапротпвленпя термочувстэлементов. гаемый тензорезистор отлича ого тем, что он снабжен лопо термочувствительными элемен дами, соединенными последова ным, Это позволяет расширят суммарных температурных ха ется10 тамиель- ре- рак 15 ючая необ вола 8 с с величину отпвления ейке его на ратурными дет близка ходимое число от,езков опротввлением Я,:, можно температурного прнращетепзорезпстора так, чтоматериаль. с различны коэффициентами эта век нулю. агаемый тен. теже изображен орезистор состоит ительного элементакропровода, подсо к тензочувствию токовыводов 4 ензорезка 2 осле 1 енту ми ьн щь овь елмет изобретения вода 5,Между токовыводами 4редварительно натянутый ый элемент 2,5 закрепляется цзочувствитель...

Номер патента: 376652

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лазарев, Малый, Ружилов

МПК: G01B 7/16

Метки: мембранный, тензорезистор

...не изображена), Обе части терморезистора 2 снабжены регулировочными петлями с отпайками 3 и перемычками 4.Мембранный тензорезистор работает следующим образом. Мембранный тензорези стор наклеиваетсяна мембрану, Искусственно создавая различные статические и динамические температурные режимы, известными способами опреде,5 ляют величины компенсирующих сопротивлений 1 и П рода. Затем, используя регулировочные петли с отпайками 3 и перемычками4, подгоняют величину терморезисторов 2 дотребуемого значения.10 Наличие двух полуколец позволяет осуществить компенсацию температурной погрешности двух видов: вызванную изменениемразмеров тензоэлемвнтов, мембраны, свойствклея и фольги и вызванную изменением мо 15 дуля упругости материала мембраны, на...

Номер патента: 428196

Опубликовано: 15.05.1974

Автор: Приходько

МПК: G01B 7/16

Метки: больших, деформаций, тензорезистор

...пропорциональления тензорезистора, ормацпи, усиливается рующую аппарат ру,П реда изоб тения Тензорезистор для измере форатаций, содержащий основ ный элемент из микропровода нову, отличающийся тем, что рения диапазона измерения, на в виде спиральной пружи ния большу и чувств, навитогос цельюоснова вьы. ихпте на осрасши- полне 20 Изобретение относится к области приборостроения, а именно к преобразователям механических величин в электрические.Известен тензорезистор для измерения больших деформаций, содержащий основу и чувствительный элемент из втикропровода, навитого на основу,Предлагаемый тензорезистор от известного отличается тем, что основа выполнена в виде спиральной пружины.Такое выполнение тензорезистора позволяет расширить...

Номер патента: 463857

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Александров, Сидоров, Тян

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...пироуглерода, непро щей подложки, соединенной с чувствител элементом, и выводов, припаянных сер ной пастой к чувствительному элементу изобретения редм Тецзорезистор из проводящего риала, отлича расширения диа ций и рабочего вительный элеме ного кристалла п с чувствит тензочувст ющийся пазоца измдиапазонант выполцеироуглерод ельцым элемви тельноготем, что, с еряемых де температур, и в виде ци а. ентом мате- целью орма- чувст- евид(23) Приоритет Опубликовано 15.03.75, Дата опубликования о Изобретениерии.Известны тензорезисторы с чувствительным элементом из проводящего тензочувствительного материала - кремния, имеющие более высокую низкочувствительцость, чем проволочные или фольговые тецзорезисторы. Однако диапазон измеряемых...

Номер патента: 491027

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Александров, Васильев, Тян, Фиалков

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...коэффициента тензочувствцтельности,Поставленная цель достигается тем, что чувствительный элемент тензорезистора выполнен из отвержденной при 200 - 500 С смеси фурфуролфенолформальдегидной смолы (ФФФС) и 2 - 5 вес, ч. ламповой сажи.Использование предлагаемой смеси приводит к образованию прочных химических связей между наполнцтелем и связующим, в результате чего природа тензоэффекта отличается от механизма тензоэффекта в тензоли 5 тах.Использование данной смеси в тенсторах обеспечивает более высокий и сц ы й тензоэ ф фект.Отверждение проводят нагреванием смеси10 до 200 - 500 С со скоростью 10 - 20 С/час.Пленка заданной толщины получается отвержденцем смеси между двумя гладкими (например, стеклянными) поверхностямц, междукоторыми...

Номер патента: 506066

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Лазарев, Малый, Ружилов

МПК: H01C 10/10

Метки: мембранный, тензорезистор

...506 О 66 Это достигается тем, что в предлагаемом тензорезисторе наружные и внутренние тензоэлементы расположены по обе стороны на равном расстоянии от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние тензоэлемснты выполнены в форме меандра.На чертеже представлен предлагаемый тензорезистор. Он содержит электроизоляционную подложку 1, два внутренних 2 и два наружных 3 тензоэлсмента, выполненных в форме меандра и расположенных по обе сторопы от окружности 4, на границе которой радиальные напряжения меняют знак.Предлагаемый мембранньш тснзорезистор работает следующим образом.Под воздействием осевого усилия, приложенного к мембране, на поверхности которой закреплен тензорезистор, мембрана деформируется....

Номер патента: 574602

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Богатов, Борщев, Манышев, Спалек, Харитонов

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор, термостатиреванный

...тензорезистор.Он содержит тензоэлемент 1, диэлектрический слой 2, обхватывающий тензоэлемент, термоэлемент 3, размещенный на диэлектрическом слое 2, второй диэлектрический слой 4, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы 5 и 6, обхватывающие тснзоэлемент и термоэлементы. Изоляция нагревательных элементов осуществляется диэлектрическими слоями 7 и 8. В цепь нагревательных элементов включен регулирующий элемент 9, а в цепь тензоэлемента - измерительный прибор 10.Термостатированный тензорезпстор работает следующим образом.Тонкопленочный тснзоэлемент 1 воспринимает воздействие изменяющегося механического параметра. Величина сигнала является функцией температуры,Для исключения температурной погрешности измерения...

Номер патента: 577394

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Беликов, Жуков, Радковский

МПК: G01B 7/16

Метки: планарный, тензорезистор

...прямоугольника 1.11,Известен также полупроводниковый тензорезистор, являющийся наиболее близким по технической сущности и. достигаемому эффек ту к предложенному тензореэистору, содержащий ориентированную по кристаллографической плоскости (100 полупроводниковую подложку одного типа проводимости, нанесенный на подложку проводящий слой в фор йЕ ме,квадрата из того же полупроводникового материала с проводимостью противоположного типа, ориентированный так, что одна иэ сторон квадрата параллельна кристаллографичеокому направлению 4100),и две пары металлических невыпрямлзощих контактов, каждый из которых расположен на середине одной из сторон квадрата 12 .Недостатками этого тензорезистора ялвотся большие габариты преобразователяи...

Номер патента: 635394

Опубликовано: 30.11.1978

Автор: Пойченко

МПК: G01B 7/18

Метки: мембранный, тензорезистор

...на которой размещена внешняя тензорешетка 2 и внутренняя тензорешетка 3 с проводниками 4, выполненными в виде участков спиралей. Об 1 цая вершина 5 этих спиралей находится в центре концентрич. ных дуг внешней тензорешетки 2. Проводники 1 соединены звездой. Свободные концы проводников 4 соединены с контактными площадкам:. 6.Тензорезистог работает следующим образом.ДО начала .спытаний подложку наклен. вают на исследуемую поверхность так, чтобы центр тензорешеток совпал с исходной точкой возникновения трешинь 1. Свободныс концы обеих тензорешеток 2 и 3 соединяю проводной линией с регистратором. При гоявленин трещинь на поверхности материала он разрьвает поочередно сначала20 ь и. Тимо ко Камышиикова оррек Симки Подписнорытий Тип. Харьк....

Номер патента: 685905

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Базжин, Годзиковский, Корчагин

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор, фольговый

...изображена схема предлагаемого фольгового тенэорезистора.Проводники 1 включены последовательно между собой. ПаралЛельно каждому проводнику включены дополнительные проводники 2 с концентраторами напряжений, например выемками 3.При работе Фольгового тензорезистора сигнал, снимаемый с его выводных концов, характеризует величину деформаций контролируемой детали (на чертеже не показана). По мере накопления усталостных повреждений происходит разрыв фольги в зоне расположения выемки 3, причем момент разрыва достаточно точно характеризует накопленный предел усталости, так как величина предела зависит от Формы и размеров выемки. Скачкообразное изменение сопротивления тенэорезистора не мешает проведению дальнейших измерений деформации. При...

Номер патента: 744221

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Гордеева, Николаева, Чудина, Чукуров

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор, фольговый

...тем, что подложка выполнена иэ полиамидоимидного лака.фольговый тенэорезистор содержит подложку иэ пленки полимериэованного полиамидоимидного лака и тензорешетку иэ Фольги.Процесс изготовления тензореэисто" ра заключается в том, что на заготовку иэ фольги, например, констаи- тановой,наносят слой полиамидоимидного лака и в вакуумной печи пройэводят полимеризацию лака по режиму: 20 мин нри температуре 80 оС и 30 мин при температуре 250 оС. Затем известным методом производят формообразование тензорешетки.Применение предлагаемого фольгового тензореэистора позволяет обеспечить сохранение градуировочных характеристик в течение 5000 ч при колебаниях температуры в диапазоне от +200 до -200 оС. Кроме того, подложка из полиамидоимидного...

Номер патента: 783574

Опубликовано: 30.11.1980

Автор: Микеничев

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...крепежными элементами к основной под. ложке, а выводные проводники закреплены нв дополнительной подложке.На фиг, 1 представлен тензорезистор, внд сбоку; на фиг, 2 - то же, вид сверху.Тензорезистор содержит подложку 1 из лис. тового материала, например бумаги или металлической фольги, чувствительньщ элемент 2 в виде решетки с выводами, закрепленный на подложке 1,и дополнительную подложку 3 с закрепленными на ней выводными проводни. ками 4 и крепежными элементами 5. Крепеж74 ф трудоемкость мочтажа датчика и соединительных линий на объекте,изобретения рй;лектор х-х Суханова Гехред С.МНГунова 1",Орректор А. ГРицен Заказ 8525/41. ТиВНИИПИ Государспо делам нзобре113035, Москва, Ж раж 801 БОДГПХ СН 06твеииого комитета СССРеиий и...

Номер патента: 847008

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Живов, Засухин, Малей, Фирсова

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...выходом, входящего в состав регуляторов натяжения волокнистых материалов,Преимуществами тензорезистора счувствительным элементом из углеро- Щдистого волокнистого материала является высокий коэффициент тензочувствительности (20-50) при сохранении высокого предельного относительного удлинения (до 50) и сравнительно высо"кой стабильности характеристик, атакже простота и дешевизна. Исполь-,зование данного тензорезистора позволит повысить точность тензоизмеренийпри больших деформациях за счет увеличения коэффициента тензочувствительности, создать простые и надежные сигнализаторы линейных перемещений, а также значительно упроститьи удешевить тенэоизмерительные системы. 1Тензорезистор, содержащий непроводящую подложку с чувствительным...

Номер патента: 859803

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Аржаев, Ульянов

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...на участке с повышенной жесткостью,На чертеже показан предлагаемытензорезистор, Тензорезистор содержит основу, выполненную из участка1 с более высокой жесткостью и участка 2 в виде спиральной пружины, ичувствительный элемент 3, размещенный на участке 1. Концевые части основы заделаны в пластины 4.Тензорезистор работает следующимобразом.15Для измерения деформации пластины4 крепят к поверхности исследуемойдетали . Деформация детали черезпластины 4 передается основе, при20этом ее участки 1 и 2 деформируютсяпропорционально их жесткостям в осевом направлении. Вместе с участком 1деформируется чувствительный элемент3, вызывая изменение его электричесФормула изобретения НИИПИ Заказ 7530/ ирак 642 Подписно ППП "Патент",од,ул.Проектная филиалУж...

Номер патента: 896382

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Варшава, Ференс

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...погрешность.Цель изобретения - повышениеточности измерений тензорезистора.Эта цель достигается за счеттого, что тензорезистор снабжен дополнительным точечным контактом резистора.Тензореэистор содержи13тельный элемент 1 из нилупроводникового монокртчечными контактами 2 и4 и 5:, соединенными с еи дополнительным точеч6 с выводами 7 и 8, соедчувствительным элементомчасти последнего.Работа тензорезисторается следующим образом.Через вывод 4, контакт 2, чувствительный элемент 1 и вывод 7 проте-, кает стабилизированный постоянный ток 11, Так как сопротивление контакта 6 является функцией деформации в данной точке, падение напряжения на контакте 6, измеренное с помощью милливольтметра, включенного в цепь, включающую вывод 5, контакт 3,...

Номер патента: 970091

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Гелета, Коротаев, Мезелев, Отцов, Степанова

МПК: G01B 7/16

Метки: высокотемпературный, тензорезистор

...на подложке, под воздействием расплавленных частиц жаростойкого окисла, летящих с большой скоростью, макропроволока чувствительногоэлемента получает значительные повреждения,1Цель изобретения - повышение ресурса высокотемпературного тензорезистора при измерении динамических деформаций.Указанная цель достигается тем,чтов высокотемпературном тензорезисторе,содержащем электроизоляционную подлож 35ку в виде слоя, сплавленных между собойчастиц жаростойкого окисла, чувствительный элемент, размещенный на подложке, защитный электроизоляционныйслой, закрепляющий чувствительный элемент на электроизоляционной подложке,выполнен из жаростойкого цемента.На чертеже представлена конструкция высокотемпературного тензорезистора. 45Тенэорезистор...

Номер патента: 1024696

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Гук, Шурман

МПК: G01B 7/16

Метки: высокотемпературный, тензорезистор

...кремния толщиной 0,1-0,15 мкм, служащуюсвязующим между подложкой 4 .и чувствительным элементом 1. Пленка 5 измалолегированного кремния в качествесвязующего может быть получена следующим образом . На подложку катоднымраспылением или эпитаксиальным наращиванием наносят малолегированныйкремний % , на подложку с кремниемпомещают кристалл 6 С и нагреваютподложку с 6 и Ьс в нереакционнойсредедо температуры, выше температуры плавцения кремния, например, до1500 С. В расплавленномсостоянии кремний смачивает прилегакщие к нему поверхности карбида кремния и подложки.Если толщина первоначально нанесенВНИИПИ, Заказ 4375/34 Т 962ной пленки кремния больше 0,1-0,15мкм, систему вы)одерживают при указанной температуре до полного испарения...

Номер патента: 1114878

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Афанасьев, Зеленцов, Козин, Ульянов

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензорезистор

...основных носителей, отличной от пределыюй концентрации для данного материала, и металлические токовцводы, закрепленные на концах полоски 12,Известный тенэорезистор небтабилен во времени и от действия температуры, так как он имеет две области неоднородного потенциального поля на концах полоски,Цель изобретения - повышение точности измерения.Указанная цель достигается тем, что в олупроводциковом тензорезисторе, содернашем резистивную полоску нз полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предель.ной концентрации для данного материала,и металлические токовыводы, закрепленныена концах полоски, резистивная полоскавыполнена с областями предельной концентрации носителей в зонах размещения токовыводов по всей...

Номер патента: 1126810

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Зактрегер, Кобзарь, Феррони

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор

...Заказ 8679/30 Тираж 586ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москва,Ж,Раушская набд.45 Подписное филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная,4 3ния петель решетки 3 пропорциональны их длинам, то задача сводится к подбору суммы сопротивлений, уменьшающихся по закону геометрической прогрессии со знаменателем, равным 2, Число ступеней регулировки при этом будет равно 2 , где М - число технологических перемычек 4, Это позволяет при малом числе перемычек 4 получить большое число ступеней 1 О регулировки, и следовательно, повысить точность подгонки термокомпенсирующей решетки 3 за счет снижения погрешности дискретности регулировки.При установке тензорезистора на объекте ь условиях изменения температур...

Номер патента: 1116305

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Горбачук, Сакидон, Тхорик, Шварц

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензорезистор

...сильнолегированного германия 23.Однако известный датчик не обеспечивает требуемой точности измерений в условиях низких температур в связи с возникновением внутренних температурных напряжений по аналогичным причинам.35Целью изобретения является повышение точности и расширение рабочего диапазона температур тензорезисторадо 4,2 К,40Цель достигается тем, что в полупроводниковом тензорезисторе, содер- . жащем изоляционную подложку и тенэо- чувствительный слой из снльнолегиро 05 2ванного германия, изоляционная подложка выполнена иэ.полуизолирующегоарсенида галлия, а тензочувствитель.ный слой - из пластически деформированной монокристаллической пленки.Полупроводниковый тензореэисторсодержит изоляционную подложку изполуизолирующего арсенида...

Номер патента: 1663407

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Ахмедов, Каримов

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензорезистор

...достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды в средней части моно- кристалла соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония.общей формулы Рпз МеР(ТСМО)2, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов на торцах монокристалла.На чертеже представлен общий вид полупроводниковыйй тензореэистор.Полупроводниковый тензорезистор содержит тенэочувствительный элемент 1, выполненный из монокристалла органического полупроводникового материала - соединенияя тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы Рпз МеР(ТСМО)2, два токовых электрода 2 и 3, закрепленных в средней части монокристалла 1, и два потенциальных электрода 4 и 5, закрепленных...

Номер патента: 1693367

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Бойко, Коваль, Тривайло

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор, фольговый

...напряжений - выемкой 4, Контактные площадки 1 размещены на диаметрально противополокных сторонах кольца. Тензорезистоо работает следующим образом,После наклейки тензорезистора на исследуемую конструкцию (при этом ориентация тензорезистора не регламентируется) и подключения его посредством контактных площадок к регистрирующей аппаратуре конструкцию нагружают заданной циклической нагрузкой. По достижении критического уровня накопления усталостного повреждения в конструкции происходит разрыв фольги в зоне расположения выемок 4 у той пары диаметрально противолежащих проводников 3 (датчиков усталостного повреждения), которые подвергались воздействию максимальных растягивающих деформаций д, что приводит к скачкообразному изменению...

Номер патента: 1717946

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Володин, Иванов, Каминский, Сосов

МПК: G01B 7/16, G01B 7/18

Метки: тензорезистор

...авторами живучестьмоносульфида самария на стекле в бетоне(фиг.,1). Именно в контакте с силикатнымстеклом, с одной стороны, и с.бетоном, сдругой, этот полупроводниковый материалпроявил наибольшую стабильность электрического сопротивления, что позволило избежать защитных покрытий,На фиг. 1 представлена зависимостьэлектросопротивления предлагаемого тензорезистора, помещенного в бетоне, от времени; на фиг. 2 - датчик локальныхобъемных напряжений в бетоне в условияхбыстроменяющихся температур, выполненный на основе предлагаемого тензорезистора; нэ фиг. 3 - график зависимостиобъемного напряжения от температуры вбетоне.Тензореэистор содержит тензочувствительный слой 1, контактные площадки 2,термопару.3, токовводы 4, подложку 5.. Нэ фиг, 3...

Номер патента: 1786932

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Ильин

МПК: G01B 7/16

Метки: многоэлементный, тензорезистор

...решетку, обе решетки 2 а и 2 б последовательно соединены изолированным проводником 8 с малым удельным электрическим сопротивлением, Выведенные провода 4 каждой чувствительной решетки присоединены к электрическому разъему 6 (фиг.2), Многоэлементный тенэорезистор при помощи многожильного кабеля 9 под,ключен через измерительный коммутатор Формула изобретения1. МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР, состоящий из набора чувствительных решеток, диэлектрической основы. выводных проводов и многоканальной измерительной аппаратуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности измерения, каждый тензорезистор выполнен из двух участ 10 к многоканальной измерительной аппаратуре 11. Для правильной ориентации многоэлементного тензорезистора в...

Номер патента: 1795723

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Абашев, Лунегов, Русских

МПК: G01L 9/04

Метки: тензорезистор

...близки к свойствам монокристаллов ИРС, а наличие полимерной матрицы обеспечивает защиту кристаллов от воздействия внешней среды и поэтому резко повышается временная стабильность электрических параметров материала, Композит может быть легко получен в Тензорезисгор для датчиков давления, выполненный из материала на основе анионрадикальных солей,7,8,8-тетрацианхинодиметана, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических параметров, он выполнен в виде пленки из смеси полимерного материала и анионравиде пленки толщиной 1-2 мкм и более. Для этого в подходящем растворителе растворяется необходимое количество полимера и ИРС, Капля этого раствора наносится на подложку, нагретую до определенной температуры. При испарении...