Мембранный тензорезистор

Номер патента: 506066

Авторы: Лазарев, Малый, Ружилов

ZIP архив

Текст

.Кл Н 22) Заявлено 2003223 24.03.74 присоединением и Государственный комитет Совета Министров СССР риорит ДК 531.787.913(72) Авторы изобретения Малый и М,Н, Лазарев, Е,илов 1) Заявител НЗОРЕЗИСТОР(54) МЕМБРАН Н Ы Й 15 20 -д тор при 1 женную величи областиементов ы ради Известнь измерении чувствитсль на тангснц распологкс значитсльп альных нап Цель изо тсльиости изменениичувстви ора пр К АВТОРСКОМУ СВИ Дата опубликования опис Изобретение относится к конструкции мембранных тензорезисторов и может быть использовано в технике измерения усилий.Мембранные тензорезисторы широко применяются для измерения давления газов и жидкостей.Известен мембранный тензорезистор, выполненпый в виде соединенных последовательно друг с другом и концентрично расположенных на электроизоляционпой подложке наружных и внутренних тензоэлементов. Наружные в форме меандра и внутренние в форме полуколец тензоэлементы известного тензорсзистора расположены по обе стороны от окружности, на границе которой радиальные напрякения меняют свой знак при действии на мембрану равномерно распределенного давления. й мембранный тензорезис осевых усилий имеет пон ность, поскольку средняя иальных напряжений в гия внутренних тснзоэ о меньше средней величи ряжсний.бретсния - повышение мембранного тензорезис осевых усилий.,11 506 О 66 Это достигается тем, что в предлагаемом тензорезисторе наружные и внутренние тензоэлементы расположены по обе стороны на равном расстоянии от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние тензоэлемснты выполнены в форме меандра.На чертеже представлен предлагаемый тензорезистор. Он содержит электроизоляционную подложку 1, два внутренних 2 и два наружных 3 тензоэлсмента, выполненных в форме меандра и расположенных по обе сторопы от окружности 4, на границе которой радиальные напряжения меняют знак.Предлагаемый мембранньш тснзорезистор работает следующим образом.Под воздействием осевого усилия, приложенного к мембране, на поверхности которой закреплен тензорезистор, мембрана деформируется. Тензоэлементы воспринимают радиальные деформации поверхности мембраны и преобразуют их в изменение электрического сопротивления тснзорезистора, которое затем изменяется известной вторичной аппаратурой, на чертеже не показанной.Использование прсдлагаемой конструкции мембранного тензорезистора позволит повысить чувствительность тснзорезистора прп измерении осевых усилий.506066 Составитель В. Чернова Текред А. Камышннко Степано сдактор И. Бродскап оррскт Изд, М 288 ИИГП 1 Государствсииог по делам из 113035, Москва, АЗаказ 985/ 11 одписносСССР Тираж 963 комитета Совета Миипстро бретений и открытий35, Раушскаи иаб., д. 4/5 пнграфип, пр. Сапуио формула изобретения 1. Мембранный тензорезистор, выполненный в виде соединенных последовательно друг с другом и концентрично расположенных на электроизоляционной подложке наружных в форме меандра и внутренних тензоэлементов, отличающийся тем, что, с целью повышения его чувствительности при измерении осевых усилий, наружные и внутренние зензоэлементы расположены по обе стороны от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние 5 тензоэлементы выполнены в форме меандра.2. Тензорезистор по п. 1, отличающийся тем, что тензоэлементы равноудалены от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак,

Смотреть

Заявка

2003223, 07.03.1974

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2994

ЛАЗАРЕВ ЛЕВ НИКОЛАЕВИЧ, МАЛЫЙ ЕВГЕНИЙ НИКОЛАЕВИЧ, РУЖИЛОВ МИХАИЛ ДМИТРИЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01C 10/10

Метки: мембранный, тензорезистор

Опубликовано: 05.03.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-506066-membrannyjj-tenzorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мембранный тензорезистор</a>

Похожие патенты