Резистивный материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(23) 1 рноритет -Опубликовано 05, 1 а Министров СС ЬОЛЛ о деам изобретен н открытий та опублихснзаня описания 10.03.76 2) Авторы Н. Могилева, Г. И. Пушкина и В, Г. Крас зобретения(71) Заявител 4) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИ нон тех- пзготовИзобретение относится к электронике, мокст бьть 1 спо;ьзовано 1 рпленин толстоплеючных резисторо.Известен резнстивный материал,ществснно лля толстопленочпых рссолеркашин окись серебра, окись инладий 1 стеклосвязку.С целью расширения диапазоналений резисторов предлагаемый резматериал содеркит указанные компслсдующх количествах (вес. % ): ги вес. % 1 епм зисторов дия, пал сопротивстивный оненты в 1 ЛИ П 51 Тс сито илп орна (25% стоящую циклогек: 1 соот 4 - 10 4 - 11 10огревом. д. сопро колс кп 12 кв 1 о 125 С +20" С, ехнологии адрата резистивнои плен тивлснис кТКС 1,2 и - 2 10 -Прцм (всс. ",;): 2,О+. ТОГО К 031 ПОЗ оверхностно СЗИСИВНой ЦИОНПО- е соппо 1 О-" г, интервале о в пнтсрвале от - 6 р 2. Паста по той О д ЕС П,ЕНК 120 до тсрвалс 1 тсрвалс о 1 О-. в и 8) .10-4 ПтаЛ МОжЕт8,3 8 Л 0,8 Окись индияОкись серебраПалл алийСтеклосвязка зО нть 1 Окись ссреораОкись индияПалладийСтеклосвязкаСостав стеклосвязки (вес.Окись свинцаОкись висмутаОкись кремнияОкись алюминияОкись магнияРезисторы на основе эго материала имеот уд, птивлснне квадрата р6=2. - Т,С вкв кв125 С составляет (1 - 6)от 60 ло 20 С- - (0,3 -р позипт Оньн матс пользован лля расширения номенкларнлных интегральных микросхем.П р и м е р 1. Резнстивная пастаОксь индия 4,55Окись серебра 9,0Палл алий 11 Л 5Стекл освязка 75Составленную композицию усрелнкратым просевом через капроновоячейками 65 тк,т.При приготовлении пасты примеганическую связку на основе ланолноошковой композиции), сиз ланолина, вазелинового масла исанола в весовых соотношениях 15:ветственно.Композиционный материал перемсвязкой в винтовой мешалке с о(до 40 С) .Резисторы пз этой пасты имели у491162 Предмет изобретения 4 - -10 4 - 11 7 - 13 Окись серебраОкись индияПалладийСтеклосвязка 72 - 78 Составитель В, Задорожный Техред М. Семенов Корректор И. Симкина Редактор Б. Федотов Заказ 12/81 Изд. Лов 98 Тираж 833 По;,н псине ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-ЗЬ, Раушская иаб., д. 4/БТип. Харьк. фил. пред, Патент Резисторы из этой пасты имели уд. сопро 1 СОЛтивлепис квадрата резистивцой пленки 611 с ьи ТКС 3,0 10- 4 в интервале от 20 до 125- Си - 0,3 10- в интервале от - 60 до 20 С. 1 р и м с р 3. Паста по той жс технологии(вес. в 1 о): Окись 1 шдия 11,05Окись серебраПалладий 9 2Стсклосвязка 72,5Резисторы из этой пасты имели уд. сопро,11 О,Цтивлецие квадрата резистивной пленки 2,31 СГ 1и Т 1(С - -6,1 1 О -в интервале от 20 до в вС и - 8,0 10 - в интервале от - - 60 до20 С,8Рсзцстив 11 ый материал, преимущественнодля толстоплсцочных резисторов, содержащий окись серебра, окись индия, палладий и стеклосв 51 зку, Отл 1 ицхюяяйся тс 11, что, с цслъю расширения диапазона сопротивлений резисторов, Оц содсрхкит указа 111 ье компо.".сцты В слс,1 у 1 ощцх количествах (вес.", ):
СмотретьЗаявка
1987521, 08.01.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5476
МОГИЛЕВА ЛАРИСА НИКОЛАЕВНА, ПУШКИНА ГАЛИНА НИКОЛАЕВНА, КРАСОВ ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
Опубликовано: 05.11.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-491162-rezistivnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный материал</a>
Предыдущий патент: Резистивный материал”
Следующий патент: Термочувствительный материал для резисторов
Случайный патент: Кошельковый невод