Термочувствительный материал для резисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е (1)49 Н 63ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(61) Дополнитель к авт. св 51) М. Кл,01 с 70 22) Заявлено 09.10,73 (21) 1964077/2 присоединением заявк сударственныи комитет(23) Приоритет -Опубликовано 05.11Дата опубликовани авета Министров СССпо делам изобретений и открытий(72) Авторы взобретени В апусткин, В, Л. Волков и А. А. фотиевмии Уральского научного центра АН СССР(54) ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫИ МАТЕРИАЛ ДЛЯ РЕЗИСТОРОВсталлическог евой бронзь Изобретение относится к ооласти электротехники и электроники, в частности к изготовлению полупроводниковых термнсторов на основе кислородных соединений ванадия.Известные термочувствительные резистцвные материалы (наример, 702 и 70, ) имеют Моттовский переход (полупроводццк - металл) или скачок значения сопротивления в области температур ниже 70 С. В связи с этим они не могут быть использованы при изготовлении полупроводниковых резисторов, имеющих переход полупроводник - металл при температурах выше 70 С.Цель изобретения - получить Моттовский переход в области температур 400 в 600 С и с повышенным гистерезисом.Поставленная цель достигается тем, что в качестве материала полупроводниковых термисторов используются кислородные ва 1 и надиевые бронзы типа Ме Ъ 6015 и Ме., ЧиОзоПроведенный цикл физико-химических исследований установил, что в области темпе. ратур 400 в 6 С за счет миграции ионов кислорода происходят незначительные структурные изменения в бронзах данного типа. Это приводит к перекрыванию 3(1 орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.П р и м е р 1. Из мелкокрио порошка кислородной ванади натрия ХаЪбОц прессуют пол давлеццем - 10000 кг/см таблетку диаметром 6 л:,я н ллш;ой 10 л.и. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650 С в 5 течение - 25 час. После этого образец помешают в вакуум - 10 -и,я рт. ст. и потецциометрическим методом на постоянном токе цзмеряюг его электропроволность в зависимости от температуры.На графике (фиг. 1), гле по осц орлццаготложен логарифм электросопротцвлснця (в о,и сл), а по осн абсцисс - елиццца, лелеццая на абсолютную температуру (в Т, К-), кривая 1 получена при нагревании об разца н 2 прц его охлаждении. Этц данныепоказывают, что в области температур 400 - 600 С резко возрастает электропроводцость и полупровол.шковый характер проволцмости переходит в металлический (наблюдается так 20 называемый Моттовский перехол). Прц охлажленин имеет место значительный гцстсрсзцс электропроводности.П р н ме р 2. То же, что и в примере 1.Только при измереццп электросопротцплсцня 25 в атмосфере воздуха. Переход полупроводник - металл наблюдается в области температур 400 - 500 С (фиг. 2).П р и и е р 3, Из мелкокрцсталлцчсскогопорошка кислородной нац алиевой бронзы ЗО стронция Яг 11,Око прессуют под давлением491163 Хд 50 ЦТ,К У Фиг. У У,5 2,0 У,О У О 103/ь 2,5- 10000 кг/см таблетку диаметром б м.я и длиной 10 мм, Таблетку спекают в вакуумпрованной ампуле при температуре 650 С в течение - 20 час, После этого образец помещают в вакуум - 10-мм. рт. ст, и потенциометрическим методом на постоянном токе измеряют его элеквросопротивление в зави симости от температуры. Согласно полученным даниным (фиг. 3) в области температур 450 - 550 С наблюдается как и в примерах 1 и 2 изменение типа проводимости. Предмет изобретения Термочувствительный материал для резисторов на основе кислородных соединений ванадия, отличающийся тем, что, с целью получения перехода полупроводник в мета в области температур 400 в 6 С и с повышенным гистерезисом, в качестве указанных соединений используются кислородные ванаодиевые бронзы типа Ме,Ч,О, и Ме,. ЧиОзв.1 и
СмотретьЗаявка
1964077, 09.10.1973
ИНСТИТУТ ХИМИИ УРАЛЬСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА АН СССР
КАПУСТКИН ВЛАДИМИР КОНСТАНТИНОВИЧ, ВОЛКОВ ВИКТОР ЛЬВОВИЧ, ФОТИЕВ АЛЬБЕРТ АРКАДЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01C 7/04
Метки: материал, резисторов, термочувствительный
Опубликовано: 05.11.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-491163-termochuvstvitelnyjj-material-dlya-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Термочувствительный материал для резисторов</a>
Способ измерения высоты потенциального барьера в переходах металл-полупроводник
Номер патента: 530284
Опубликовано: 30.09.1976
МПК: H01L 21/66
Метки: барьера, высоты, металл-полупроводник, переходах, потенциального
...является 25 Известен способ измерения высоты потенциального барьера впроводник2 путем,составляюшей импедантеременном сигнале,обеспечивает высокуюЦелью изобретенияточности измерений.Поставленная цель достигается тем, чтоопределяют температурную зависимость напряжения инверсии реактивной составляюшейимпеданса перехода металл-полупроводникои экстраполируют ее к температуре 0 К,На чертеже изображена температурнаязависимость напряжения инверсии реактив,направлении. Составитель Б, НемцовКоляда Техред А. Демьянова Коррек угако едакто Заказ 5243/6431 ШИИПИ 29 (ого коми изобретен ква, ЖТираж 10 сударствен по делам3035, Мо Подписноета Совета Министи открытий Раушская наб д СССР илиал ППП Патент", г. Ужгород, ул, Проектна ной составляющей...
Устройство для измерения температуры р перехода биполярных транзисторов
Номер патента: 1335820
Опубликовано: 07.09.1987
Авторы: Лихницкий, Сухоручкин
МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01
Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов
...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...
Способ измерения температуры электроннодырочного перехода полупроводникового прибора
Номер патента: 305524
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: G01R 29/00, H01L 21/00
Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного
...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...
Способ определения критической температуры сверхпроводящего перехода керамики yba2cu3o7-
Номер патента: 1793811
Опубликовано: 20.12.1995
Авторы: Гасумянц, Казьмин, Кайданов
МПК: H01B 12/00, H01L 39/24
Метки: yba2cu3o7, керамики, критической, перехода, сверхпроводящего, температуры
...что, во-первых, достаточно сложно и трудоемко, а во-вторых, частично разрушает образец.Целью изобретения является упрощение и повышение точности за счет локальных измерений,Сущность способа заключается в том, что для определения величины Тс керамик ЧВа 2 Соз 07-д предлагается пользоваться установленной корреляционной зависимостью между значением Тс и а(Т = 300 К) для этих керамик и, измерив значение при комнатной температуре любым известным способом определять величину Тс по этой зависимости. Этот способ значительно проще и быстрее в исполнении (для проведения 25 измерений требуется наличие лишь нагревательного элемента, термопары и микро- вольтметра для регистрации величины сигналов, а сам процесс проведения измерений занимает 1 - 2...
Способ и устройство для определения температуры сегнетоэлектрического перехода
Номер патента: 585431
Опубликовано: 25.12.1977
Автор: Заметин
МПК: G01N 21/00
Метки: перехода, сегнетоэлектрического, температуры
...температуры фанового перехода как в объеме образцатак и в тонком слое на его поверхности. Объясняется это тем, что приизмерении глубины модуляции прошедшегочерез образец потока излучения, в 6процессе модуляции участвует весьобъем находящегося на пути потокаизлучения вещества, т. . измеряетсятемпература, Фазового перехода объема.Прй измерении же глубины модуляции 1отраженного потока излучения в процессе модуляции участвует (взаимодействует со светом) лишь поверхностный слой, причем толщина слоя с 11(глубина проникновения потока электраглагнитного излучение в вещество)зависит от длины волны падающего потока излучения как д= + (см), гдесс - коэффициент поглощейия. Так каког.(оэ)может изгленяться от единиц довеличин порядка 10 см , то и...
Предыдущий патент: Резистивный материал
Следующий патент: Управляемый реактор с вращающимся магнитным полем
Случайный патент: 158498