H01C 7/00 — Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него

Номер патента: 1019500

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Астров, Карпеченков, Слушков, Теплицкая, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...резистивный материал,включающий хром, кремний, вольфрам, идиоксид марганца, дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ъ:ВольФрам 10-20Кремний 15-25Диоксид марганца .15-30Диоксид церия .8-36Хром ОстальноеВведение в известный резистив-ный материал двуокиси церия - оксицаметалла с большим атомным весом "позволяет .расширить диапазон удельных сопротивлений реэистивных пленок,получаемых ионно-плазменным напылением до 12000 Ом/о при низком (длявысокоомного диапазона) ТКС в пределах (.150-400) 10 1/С и при сохранении во всем. диапазоне высокой стабильности их свойств во времени притемпературе окружающей среды от -60до +155 С.П р и м е р. Для получения мишенейиэ резистивного материала готовят...

Номер патента: 1023409

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Добжинский, Репях, Санталов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...удельного сопротивления.Наиболее близким к изобретению является резистивный материал, включающий портландцемент,порошок углерода, песок кварцевый и воду 21Недостатки известного резистивно го материала заключаются в низком коэффициенте нелинейности и узком диапазоне удельного сопротивления.Цель изобретения - увеличение козффициента нелинейности и расширение 2 диапазона удельного сопротивления в высокоомную область.Цель достигается тем, что резистивный материал, включающий портландцемент, порошок углерода, песок квар"25 цевый и воду, дополнительно содержит оксид цинка при следующем количест". венном соотношении компонентов, мас.Ъ;Нортландцемент 29-43Порошок углерода 6-29Песок кварцевый 4-34Оксид цинка 10-25Вода ОстальноеДля получения...

Номер патента: 1030863

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Белькович, Власенко, Врублевский, Гайдук, Жаворонков, Катков, Киселева, Манчук, Тушинская

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...тех: ническим решением является резистивный 15материал, содержащий пиролизованный торф," легированный алюминием, и силикатноесвязующее 2,Недостатки . известного реэистивногоматериала заключаются в низкой энергии 20рассеяния и высоком удельном. электрическом сопротивлении,Пель изобретения - увеличениеэнергиирассеяния и уменьшение удельного электрического сопротивления . 25Цель достигается тем, что резистивныйматериал, содержащий пиропизованный торфлегированный алюминием; и силикатноесвязующее, содержит указанные компонентыв спедуккцих количествах, вес. %: З 0Пиролизованный торф, легированный алюминием 14-61Силикатное связующее 39-86Сущность изобретения состоит в том,что с увеличением в составе реэистивного З 5материала...

Номер патента: 1045280

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Озолс, Скобленко, Смеркло

МПК: H01C 7/00

Метки: микросхемы, резистивной, тонкопленочной

...: точки зрения механических напряжечий резистлвная пленка, позво.пяющая подбором толщин и материаловслоев получать заданное значение ТКС,Однако лзвестный способ имеет ряднедостатков, упомянутая компенсациявозникающих механических напряженийНЕ ВСЕГДВ ВОСПРОИЗВОДИМа И ЗВВИСИТот технологических параметров Осаждения, - в результате ТКС отдельныхТПР может быть различным; усложненПрОцЕСС ОоаждЕНИя рЕЗИСтИВНьХ ПЛЕНОК,поскольку требует нанесения трехразнородчых материалов,Цель изобретения - уменьшение темПЕРВТУРНОГО КОЗОф гЦИЕНта СОПРОГИВЛЕния рс;исто 3 ОВ Глкрос:еиы,, К" З с .,Е Ь .,ОС. ЛпаЕтСЯ ТЕИ,ЧтО СОГ".1 С О 01 ОСОбу ИЗГОтВЛЕНИЯ рЕЗЛСТИ.сОЙ ОНКОПЛЕНОга 0 й МИКРОСХЕМЫ,влючаюцему последовательное чанесеие; а дизлВктричзс.ую п 3;ложурези сть...

Номер патента: 1046776

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Бондаренко, Гараймович, Соколов, Ясинский

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, материал, резистивный

...металлических нитей Ф и связующего 3.Композиционный резистивный материал изготавливают из монокристаллических нитей полупроводника 6 с р-типом проводимости (например кремния) и монокристаллических нитей металла (например Сг, И, М 1 и др.) с близкими удельными сопротивлениями (удельное сопротивление полупроводника должно быть близко к удельному сопротивлению металла) и температурными.коэффициентами сопротивления, одинаковыми по величине и разными по знаку.25 50 Нити полупроводника и металла берутв равных крличествах. Такое сочетание компонентов позволяет значительно снизить температурный коэффициент сопротивления резисторов.Технология изготовления композиций на основе монокристаллицескихнитей подобна технологии изготоеле"ния обычных...

Номер патента: 1048523

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Березина, Иванов, Олеск, Павлоцкий, Троицкая, Ульянова, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...комитета СССРй и открытийушская наб., д, 4/5 филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится.к электрон иой технике и может быть использовано в технологии изготовления постоянных и переменных резисторов и интегральных микросхем. ъИзвестен резистивный материал, со держащий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло 13.Недостаток известного резистивного материала состоит в высоком температурном коэФФициенте сопротивле ния.Наиболее близким к изобретению является реэистивный материал, содержащий диоксид рутения и свинцовобо-, росиликатное стекло 2(, 15Однако у известного, реэистивного материала высокий температурный коэффициент сопротивления.Цель изобретенияуменьшение температурного коэффициента сопротивления.Цель...

Номер патента: 1051590

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Ржевусский

МПК: H01C 17/242, H01C 7/00

Метки: пленочный, резистор

...для размещения на ней пленочныхэлементов, Внутренняя контактная10 площадка 2 выполнена в форме круга., расположена в центре диэлектрической подложки 1 и размещенаконцентрически по отношению к внешней контактной площадке 3, котораяосуществляет коммутацию пленочногорезистора с другими элементамимикросхемы при помощи навесной перемычки, Резистивный элемент 4 круглой формы, размеры и материал которого определяют сопротивление пленочного резистора, расположен между внешней 3 и внутренней 2 контакт.ными площадками. Проводящая пленочная спираль 5, выполненная изпроводящего материала в форме двусторонней гребенки с шагом С (расстояние между смежными выступами),соединяет внешнюю 3 и внутреннюю 2контактные площадки и предназначена30для...

Номер патента: 1054837

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Северин, Северина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...быть использовано для изготовления нагревательных элементов для отопительных устройств.Известен резистивный материал, содержащий технический углерод, цемент, кварцевый песок, периклаз и воду Г 1 .Недостатки известного резистивного материала состоят в низкой прочности на изгиб, трещиностойкости и 10 нестабильности удельного электрического сопротивления в интервале рабочих температур 100-150 сС.Наиболее близким к изобретению является резистивный материал, содер 15 жащий химическое электропроводное волокно, цемент, кварцевый песок в качестве заполнителя и воду 2 3. Недостатки известного резистивного материала заключаются также в низкой прочности на изгиб и трещиностойкости в интервале рабочих температур 100-150 фС,Цель изобретения .-...

Номер патента: 1056281

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...изпредлагаемого материала, обладаютжаростойкостью при эксплуатациина воздухе вплоть до температурыплюс 280 С и термостабильностью завремя 10000 ч, т,е, изменение величины сопротивления резистора от номинала составляет +7% при температуреокружающей среды плюс 280 С,оПовышение жаростойкости и термостабильности в предложенном материале происходит за счет того, что молибден образует с легирующими добавками гамма-фазу и твердые растворы,обладающие повышенной жаростойкостьюи териостойкостью. Введение лантаноидов в приведенном процентном1056281 Уменьшение содержания легирующихдобавок ниже указанных пределов приводит к резкому снижению жаростойкости и термостабильности при длительной эксплуатации.увеличение содержаний л гируюших...

Номер патента: 1064322

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Арешкин, Афанасьев, Жданов, Шостко

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...поверхностное сопротивление двухслЬйнойсистемы при 20 оС должно быть равно 10удельному поверхностному сопротивлению системы при 120 С, т.е. с изменением температуры на ЭТ100 фС,удельное поверхностное со.ротивление двухслойной системы не должно 15изменяться.СледовательноЙ,Йз Ж Англ Эг)31 ,С:в вдйЗВИИз О) можно получить20фа й,й,- в+ Я + - 2:0ак,ая,Щ25Прежде чем провести дальнейаеепреобразование уравнения (2), рассмотрим, что собой представляетТКС каждогО из слоев. Значение ТКС.обозначим через Ф ., преобразования. будем вести с модулями я , что"бы ие учитывать знаки ТКС. По оп.ределению ТКС первого, слоя равен(3 где коэффициент1 л 1-лК=лс +Л 35Правильность формулы СЗ) прове-.ряют экспериментальным путем. Получено значение...

Номер патента: 1064323

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Маринчева, Набока, Палатник, Тупикина

МПК: H01C 7/00

Метки: терморезистор

...терморезистора заключается в узком диапазонерабочих температур (до 250 вС).Цель изобретения - расширениедиапазона рабочих температур терморезистора.Указанная цель достигается тем,что в герморезисторе, содержащемизолируюцую подложку, на которойрасположены термочувствительный элемент иэ халькогенидного полупроводникового материала и пленка защитного покрытия, в качестве халькогенидного полупроводникового материаГ Максимальная рабочая температура, СТолщина пленки, мкм ТКС1/град. Температура исп тания,ОС Подложка 510 Ец 5 0,04 800 0,02 0,45 Слюда 0,015 0,015 600 0,55 0,10, Лейкосапфир 0,01 0,60 1000 0,01 600 Лейкосапфир 0,008 Лейкосапфир 1000 0,01 0,60 900 изменения температуры окружающейсреды или поверхности, на которуюнанесена пленка из...

Номер патента: 1072113

Опубликовано: 07.02.1984

Автор: Решетников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, электропроводящий

...содержащий сажу, графит, металлический наполнитель и органическое свя 5 зующее, содержит в качестве металлического наполнителя.порошок меди,покрытый серебром, При следующемсоотношении компонентов, вес.:Сажа 2-45О Графит 1-5Порошок меди, покрытый серебром 13-67Органическое связующее Остальное для получения электропроводящего материала было приготовлено три смеси компонентов. В таблице приведены состав исвойства предлагаемой и известнойсмеси.+11,0 108,89 Известная 97,32 Сдир слояпри движении щетки по слою Порошок никеля, покрытый серебром - 62Сажа - 2 105,8 121,6 Графит - 1 Фторопласт - 35 89,9 93,7 104,5 98,3 110,9 99,4 10 115,3 12 4Каждый состав получали смешением компонентов в шаровой мельнице в среде этилового спирта в течение 5 ч с...

Номер патента: 1073806

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Батура, Безруков, Бронников, Воропаев, Голоденко, Дубинина, Писляков

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...связующее, дополнительно содержит оксиды никеля и меди, а в качестве соединений рутения токо- проводящая фаза содержит диоксид 35 рутения при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ;Диоксид рутенияОксид никеляОксид медиСтеклофриттаОрганическое связующее 22,0-23,0 нового масла 3 и циклогексанола(ЕТО.035304 ТУ) 1.Для получения реэистивной пастысоставляют порошковую композицию издиоксида рутения, оксида никеля,оксида меди и стеклофритты.Композицию перемешивают в агатовойступке с пестиком 4 0 ми и, э атем вводяторганическую связку и перемешивают сосвязкой,еще 20 мнн.Пасту выгружают вплотно закрывающуюся стеклянную банку из темного стекла с резьбовой илипритертой пробкой, крышку оклеиваютполиэтиленовой лентой с липким слоем....

Номер патента: 1075315

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Блесткин, Денисова, Казанцев

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, материал, резисторов, толстопленочных

...тем, что композиционный материал для толстопленочных резисторов, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, в качестве проводящей фазы содержит алюминий,. в качестве З 5 кисиородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнитель. но содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: 40Алюминий 2,0-4,4Борный ангидрид 15,9-24,0БорнокислыйсвинецБорнокислый 45барий 17,7-26,0Триоксид воль, фрама Остальное для получения композиционного материалаКаждую смесь получают следующим образом.Оксид вольфрама (МРТу 6-09-4676- -67), алюминиевую пудру (ПАП, ГОСТ 5494-71), борнокислый свинец (мета ), водный, прокаленный до постоянного веса...

Номер патента: 1086466

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Гвердцители, Зайцев, Каландаришвили, Шартава

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...133,3 Па и температуре образца300 С в предварительно вакуумироканном объеме. При этом происходит внед"45рение щелочного металла в пирографит,Контроль за качеством внедренногощелочного металла осуществляется поизменению линейного размера образцапирографита вдоль кристаллографичес 50кой оси С.Величину электросопротивлекия, атакже ТКС получаемого при этом резистивного материала можно регулировать изменением количества добавкицезия. Например, отношение удельныхэлектросопротивлекий пирографита исоединения ССз.при 50 С равно 260,466а температурный коэффициент сопро"тивления соответственно равен -1.л 10 5 град и +1,7 1 ОградНа фиг. 1 представлена кривая за"висимости температурного коэффициентасопротивления от удельного содержанияцезия в...

Номер патента: 1091232

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Бушланов, Евдокимов

МПК: H01C 7/00

Метки: подстраиваемый, резистор, тонкопленочный

...нестабильности номинала резистора вследствие погрешности, возникающей при саморазогреве резистивного элемента.Наиболее близким к изобретению техническим решением является тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом и контактными площадками 2.Недостаток известного тонкопле 25 ночного подстраиваемого резистора заключается в нестабильности номинала резистора, так как невозможна подстройка после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. ЗОЦель изобретения - повышение стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. 35Поставленная цель достигается тем, ч,о тонкопленочный...

Номер патента: 1096701

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Куренчанин, Недорезов, Подшибякин

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, толстопленочных

...резисторов состоят в низком температурном коэффициенте сопротивления (ТКС) и нелинейной зависимости сопротивления от температуры, что не позволяет использовать резисторы в качестве термометров сопротивления. Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ изготовления толстопленочных резисторов, включающий приготовление пасты из порошков диоксида рутения с размером частиц 0,02-0,02 мкм и свинцовоборосиликатного стекла и нанесение пасты на керамическую подложку с последующим вжиганием пасты при 850 С 2.Недостатки известного способа изготовления заключаются в низком ТКС (менее 250 10град) и нелинейной зависимости сопротивления от 1 температуры.Цель изобретения - повышение температурного коэффициента...

Номер патента: 1103294

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Безруков, Бутузова, Горшков, Комиссарова, Мельников, Писляков

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...и печатных паст.Известна резистивная паста, содержащая оксид серебра, металлический паладий, стеклофритту и органическое связуюшее 1.Недостатком данной пасты является высокое значение температурного коэффициента сопротивления (ТКС = (+9) - (-20) Х Х 10-411 С), 10Наиболее близким к изобретению является резистивная паста, содержащая оксид серебра, металлический палладий, стеклофритту, модифицирующую добавку, в качестве которой использован гексатанталат металла, выбранного из ряда, состоящего из марганца, кобальта, никеля и меди, и органическое связующее 2.Недостатками известной пасты являются узкий диапазон удельного электрического сопротивления в низкоомной области и высокий ТКС.Цель изобретения - расширение диапазона удельного...

Номер патента: 1107179

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Заугольникова, Ибрагимов, Комиссарова, Мельников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, терморезисторов

...800 С в течение5 ч. Иэ него готовятся образцы в виде параллелепипеда размером 2 х 5 х 10 мм,Получается материал БЬЕг(ЧОсодержащий 60,5 вес. РЪ СО,33,3 вес. Г О , остальйое Ч 2 О свеличиной удельного сопротивления при293 К 2,5 х 10 6 Ом"см и с отрицательным ТКС 1,69 СП р и м е р 4. Перетирается 2,26 гВЬ СО.; 1 63 г Б 6 О ; 1,72 г Ч Отаблетируется под давлением 1000 кг/сми прокаливается при 800 С в течение5 ч, Из него готовятся образцы ввиде параллелепипеда размером 2 х 5 хх 10 мм. Получается материал ВЬ 2 Бш 0,2,(ЧО 4 ) , содержащий 54,3 вес. ВЬ СОБш Оэ, ОстальнОе Ч О с величинойудельного сопротивления при 293 К1,7 х 10 Ом-см и с отрицательным ТКС61,3 СП р и м е р 5. Перетирается 3,31 гВЬ СО ; 1,58 г Рг 20, 1,7 г Ч 20,,5 1 таблетируется...

Номер патента: 1125662

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Гаевскис, Калване, Фреймане, Шебанов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...является то, что относительная плотностькерамики в процентах от теоретичес.кой - рентгенографической плотности при оптимальном режиме синтезадостигает не более 90, 40Цель изобретения - уменьшение тем.пературного коэффициента сопротивления и повышение относительнойплотности.Поставленная цель достигается 45тем, что.резистивный материал, включающий оксиды свинца и бария, дополнительно содержит оксид ниобия при.следующем количественном соотношении компонентов,мас.Ъ: 50Оксид бария 39,60-42,51Оксид ниобия 1,12-11,06Оксид свинца Остальное Резистнвный материал приготовляют следующим образом.Смешивание и измельчение исходных компонентов шихты производят в шаровых агатовых мельницах в среде этилового спирта до размера частиц 0,5 мкм в...

Номер патента: 1127013

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Бурдина, Смирнов

МПК: H01C 7/00

Метки: планочный, резистор

...позволяет повысить точность электрического сопротивления пленочных резисторов, уменьшить их габариты, а также снизить трудоемкость изготовления, так как для повьппения точности электрического сопротивления нет необходимости увеличения размеров резистивного и проводникового слоев, а также введения операции подстройки резисторов. 1 1127013, 3Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления пленочных резисторов, например длягибридных микросборок,Известен пленочный резистор,содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположены резистивный элемент, выводы и контактныеплощадки 10Недостаток известного пленочногорезистора состоит в низкой точностиэлектрического сопротивления.Наиболее...

Номер патента: 1177859

Опубликовано: 07.09.1985

Автор: Успенский

МПК: H01C 7/00

Метки: сопротивления, термометр

...А. Козориз Заказ 5558/50 Тираж 679 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к гидромете. орологическому приборостроению, вчастности к конструкции термометра сопротивления,Цель изобретения - экономия драг металла при сохранении технических параметров, что позволяет при измерении температуры использовать Вместо платины широко распространенные и дешевые металлы (никель и др.) при 1 О сохранении их высоких качеств.На чертеже представлена схема замены одного терморезистивного элемента с величиной сопротивления К и температурным коэффициентом сопро гш:;пения о:.р на первый ; с ) и второй (К;...

Номер патента: 1180989

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Заславский, Копылова, Перфильев, Смирнов

МПК: H01C 7/00

Метки: компенсации, резистора, сопротивления, температурной

...и электрически с ним несоединенным,После определения Ер изменяютрабочую температуру, резистора дооеспечения раб = "арИзменение рабочей температурырезистора осуществляют либо изменением токовой нагрузки резистора,либо задавая дополнительный нагревэтого резистора другим вспомогатель 5 10 15 20 25 ным резистором, электрически не- соединенным с основным резистором. При этом определение С р производят тем же термодатчиком, с помощью которого осуществляют измерение температурной зависимости сопротивления, что необходимо для уменьшения погрешности установки ро 6 орПосле установки С р= Тизменение рабочей температуры резистора прекращают, и далее она сохраняется постоянной. Термодатчик играет вспомогательную роль - измерение температуры в...

Номер патента: 1309090

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Афанасьев, Врублевский, Жаворонков, Мурадов

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...45,6 51,2 8,38,6 3,7 31,3 16 4,1 49,7 45,4 28,4 17 5,6 50,9 34,5 30,7 18 49,8 35,4 25,1 48,6 8,6 48,5 Известный 38,5 4,75 кВ, на прочность, на сжатие и на ста. бильность электрического сопротивления после воздействия на резистивные элементы трех циклов электрической нагрузки с суммарной энергией 360 Дж/см, каждый из которых состоит из трех импульсов, с охлаждением после каждого цикла. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии получения резистивных композиций для изготовления мощных обьемных резисторов, нагревательных элементов и заземляю. щих конструкций. Цель изобретения - повышение термической устойчивости и стабильности электрического сопротивления резистивной ком. позиции после воздействия...

Номер патента: 1330663

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Волков, Врублевский, Жаворонков, Захаров, Мельников, Сурогин, Филиков

МПК: H01C 7/00

Метки: мощного, объемного, резистивного, элемента

...обеспечивается одним или несколькими последовательно прижатыми к цилиндрической поверхности формируемого резистора роликами 4. Целесообразно использовать оправку 5.Усилие прижатия роликон 4 выбирается таким образом, чтобы давление на слой смеси составляло 0,1 5,0 МПа.С целью усиления положительного эффекта к роликам 4 прикладывается переменное (пульсирующее) усилие прижатия. ним или несколькими последонательно прижатыми к поверхности резистора роликами 4, используя оправку 5,1 ил,2Для сравнения изготовлены резисторы по предлагаемому способу и по известному, В обоих случаях использовалась смесь одинакового состава. Вкачестве ленты-носителя была взятаполоса стеклоткани толщиной 250 10 м,-бСмесь наносилась на полосу слоем высотой 1,5 10 м....

Номер патента: 1394242

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Каландаришвили, Шартава

МПК: H01B 1/06, H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...на йиг.2 - политермы удельного35электросопротивления различных соединений бария с пирографитом.Для получения резистивного материала используют барий с чистотой99,67 и ориентированный пиролитический грайит марки ПГВ с удельным эпектросопротивлением вдоль его кристаллографической оси С 1,85 1 О Ом мпри 293 К. Размеры образца пирографита 22,8 Х 8,37 х 4 27 мм, масса 1,808 г 45Изготовление слоистых соединений пиролитического графита с барием заключается во взаимодействии образца пирограйита с. парами бария в предварительно вакуумированном объеме притемпературе 800 К. При этом происходит внедрение атомов бария в межслоевые пустоты пирограйита с образованием соединений различного Фазового состава. Количество внедренного бария...

Номер патента: 1539848

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Майстренко, Минченко, Порхунов, Семченко, Соколова

МПК: H01C 7/00

Метки: объемный, резистор

...механической прочности. Отношение длины изоляционной вставки к расстоянию между электродом и рабочей частью, равное не менее единицы, характеризует предлагаемое,. конструктивное исполнение объемного резистора наиболее полно.Изготовление объемных резисторов предлагаемой конструкции производят путем прессования по частям; в прессФорму устанавливают приспособление в виде штока, по которому внутри прессформы перемещается цилиндрический пуансон, поперечное сечение штока равно поперечному сечению изоляционной вставки, а пуансона - поперечному сечению объемного резистора, загружают в пресс-Форму порошок композиции дляформовки приэлектродной части и предварительно прессуют при давлении, меньшем номинального, без выдержки времени, После этого...

Номер патента: 2004020

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Алексеева, Енгалычев, Калязин, Федоров

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...8,7-8,8Дисилицид железа ОстальноеВведение никеля 5,0-5,2 мас.0/, и ванадия 8,7-8,8 мас способствует появлениюлинейной зависимости электросопротивления от температуры в диапазоне 80-1000 К10 и уменьшению ТКС. При содержании никеляменее 5,0 мас,/, и ванадия менее 8,7 мас4и содержании никеля более 5,2 мас., и ванадия более 8,8 мас,0 величина ТКС больше, чем в материале-прототипе. При15 содержании никеля и ванадия в пределах,указанных в формуле изобретения, величина ТКС в указанном температурном диапазоне меньше, чем в лучших резистивныхматериалах на основе дисилицида железа,20 Исходя из известных свойств ванадия,нельзя было предположить, что введениеего в известный материал повысит стабильность электросопротивления в...

Номер патента: 1353178

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Вершинин, Власенко, Маевский, Манчук, Пугачев, Сарин, Энтин

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционных, объемных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий сухое перемешивание смеси из токопроводящих дисперсных материалов с портландцементом и диэлектрическим наполнителем, прессование полученной смеси с выдержкой под давлением 100 - 150 МПа и одновременной пропиткой ее насыщенным водяным паром с последующей сушкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельной энергии рассеяния, в качестве диэлектрического наполнителя используют молотый кварцевый песок с размерами частиц 0,2 - 1,0, количество которого составляет 1 мас. ч. на 1 - 3 мас. ч. портландцемента.

Номер патента: 774440

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Врублевский, Горелов, Добжинский, Жаворонков, Николаева, Репях

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий портландцемент, сажу, кварцевый песок и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной рассеиваемой энергии и напряжения перекрытия, он содержит указанные компоненты в следующих количествах, мас. % :Портландцемент 35 - 51Сажа 4 - 12Кварцевый песок 32 - 54Вода Остальное