H01C 7/00 — Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него

Номер патента: 1186013

Опубликовано: 15.06.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: защитный, материал, резистивных, тонкопленочных, элементов

ЗАЩИТНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий алюминий или хром, отличающийся тем, что, с целью улучшения временной стабильности резистивных элементов, он дополнительно содержит диоксид кремния при следующем соотношении компонентов, мас.%:Хром или алюминий 30 - 50Диоксид кремния Остальное

Номер патента: 1119515

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Волкова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ для изготовления прецизионных тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, алюминий и двуокись кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных резисторов с малой величиной ТКС в интервале от -60 до 125oС, он дополнительно содержит титан при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 30 - 56Железо 5 - 20Алюминий 10 - 16Титан 3 - 10Двуокись кремния Остальное

Номер патента: 1632251

Опубликовано: 15.07.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резистивный, резисторов, тонкопленочных

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, титан, алюминий и диоксид кремния (IV), отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, он дополнительно содержит оксид алюминия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 40 - 62Титан 15 - 22Алюминий 4 - 8Диоксид кремния (II) 13 - 22Оксид алюминия 3 - 10

Номер патента: 1686961

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Аникин, Бутузов, Сапрыкин, Хренова

МПК: H01C 7/00

Метки: величины, плата, пленочных, резисторов, сопротивления, тестовая

ТЕСТОВАЯ ПЛАТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, содержащая диэлектрическую подложку с пленочными резистивными элементами прямоугольной формы и контактные площадки, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения величины удельного поверхностного сопротивления, она дополнительно содержит несимметричную микрополосковую линию передачи, выполненную в виде слоя металла на стороне диэлектрической подложки, противоположной размещению контактных площадок, и проводника, контактирующего со всеми пленочными резистивными элементами, причем резистивные элементы объединены в ячейки, соединенные последовательно участками проводника несимметричной микрополосковой линии передачи, контактирующего с каждым пленочным...

Номер патента: 1819035

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Кургашев, Перфильев

МПК: H01C 7/00

Метки: низкоомный, прецизионный, резистор, фольговый

...зая вл яемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "Существенные отличия",Укаэанная в заявляемом техническом решении конструкция резистивного элемента, выполненного из пакета пластин, изготовленных из тонкой реэистивной фольги, причем пластины в пакете электрически соединены друг с другом сваркой или пайкой со стороны токовых и потенциальных контактов, а остальная поверхность каждой пластины с двух сторон покрыта тонким слоем неорганического диэлектрика, основание, выполненное из керамики с ТКЛР, близким к нулю ТКЛР резистивной фольги, размещение пакета пластин на основании и прижатие его керамической крышкой, соединенной с основанием, и способ подгонки сопротивления резистора путем...

Номер патента: 1517640

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Жуков, Смолин, Тулина

МПК: H01C 7/00

Метки: пленочный, резистор

ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ее поверхности прямоугольным резистивным элементом и контактные площадки, причем прямоугольный резистивный элемент состоит из сплошного резистивного слоя и резистивных областей, выполненных с различными значениями удельного поверхностного сопротивления и примыкающих к контактным площадкам с стороны резистивного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения допустимой мощности, каждая из резистивных областей, примыкающих к контактной площадке, сформирована в области центральной части контактной площадки, причем величина удельного поверхностного сопротивления каждой из них превышает удельное поверхностное сопротивление сплошного резистивного слоя в 1,4 1,6 раз, при...

Номер патента: 1819036

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Андронова, Братчиков, Вышкина, Морозова, Нечаев, Петрова, Шутова

МПК: C03C 3/064, H01C 7/00

Метки: основе, паст, резисторов, рутения, стеклосвязующее, толстопленочных

...25 и 29 мас,соответственно, обусловливает повышение температуры синтезастекла до значения выше 1500 С, что неже 15 лательно, а также повышает температурувжигания резисторов до 870 ОС, Уменьшение содержания Ю 02 и А 120 з в стекле дониже 20 и 15 мас.соответственно резкоухудшает влагостойкость резисторов20 ЬВ(,- 4 - 5 О, Также значительно ухудшаетсявлагостойкость резисторов при введении всостав стекла 820 з и ВаО более 33 и 18мас, о соответственно. Стекла, содержащие25 менее 10 мас,ф ВаО, имеют низкий КЛТР(менее 45 10 К ), что приводит к снижению термостойкости реэистивных пленокиз-за значительной разности в КЛТР проводящей фазы и стеклосвязующего.30 Уменьшение содержания ВОздо менее25 мас.о приводит к формированию неспеченной,...

Номер патента: 1461278

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бережной, Ганиев, Дворина, Захваткина, Лиходед, Шурова

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, сплав, тонкопленочных

СПЛАВ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий соединение кобальта с кремнием и бор, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного сопротивления, в качестве соединения кобальта с кремнием используют CO2Si при следующем соотношении компонентов, мас.CO2Si 99,0 99,5В 0,5 1,0

Номер патента: 1825204

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алмаева, Галдилов, Горбачев, Колесникова, Рандина, Черных

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...алифатических аминоспиртов в количестве 3-5, от обшей массы исходных реагентов в присутствии три фенилфосфата, взятого в количестве Резистивная паста, содержащая полимерное связующее, сажу, графит, слюду, органический растворитель и полидиметилсилоксановую жидкость, отличающаяся тем, что, с целью снижения величины температурного коэффициента сопротивления, улучшения стабильности сопротивления резистивной пасты, она содержит в качестве полимерного связующего растворителя смесь бензилового спирта и ацетона в соотношении 1: (12,4 - 2,6) соответственно, при этом 5-10;4 от обшей массы реагентов при температуре 165- 175 С в течение 15-30 мин.Полиэфиромалеимидный форполимер имеет следующие свойства:Степень имидизации 91,0-95,0 Время...

Номер патента: 1664062

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Баранова, Злоказов, Кобелев, Нугаева, Перфильев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...ионы серебра концентрируются вблизи отрицательно заряженного электрода, создавая градиент концентраций по образцу. Наличие градиента концентраций положительно заряженных ионов серебра приводит к возникновению диффузионного потока ионов, направленного в противоположную дрейфовому потоку ионов сторону. В стационарном состоянии дрейфовые и диффузионные потоки ионов компенсируют друг друга и через образец течет только электронный ток,Следовательно, электропроводность образца уменьшается от величины ое+о, в момент времени 1 = 10 до величины ое в установившемся поляризованном состоянии. Прикладываемая к образцу разность потенциалов выбирается меньше той величины, при которой начинается электролиз материала, Из приведенных на чертеже...

Номер патента: 1779192

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Баранова, Злоказов, Кобелев, Мельникова, Нугаева, Толкачев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

Резистивный материал, содержащий сульфид серебра, сульфид германия и сульфид элемента V группы, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры рабочего интервала до величины 10 30oС, он содержит в качестве сульфида элемента V группы сульфид мышьяка и отвечает общей формуле(Ag2S)x(GeS)2(1-x)(As2S3)x1,где 0,1 x1 < 0,5.

Номер патента: 1540578

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Елютин, Лазарев, Мараканов, Мушакова, Осипов, Чеботаренко

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350...

Номер патента: 1402166

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Баренбойм, Калугин, Клековкина, Кухарь, Мараканов, Филиппов, Шекалова

МПК: C22C 19/00, H01C 7/00

Метки: выводами, меди, никеля, основе, прецизионных, резисторов, сплав

1. Сплав на основе никеля для изготовления прецизионных резисторов с выводами из меди, содержащий хром, ванадий, молибден, вольфрам, галлий, германий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью уменьшения термоэлектродвижущей силы и повышения стабильности, компоненты взяты в следующих соотношениях, мас.%:Хром - 8 - 9Ванадий - 6,5 - 7,5Молибден - 5,5 - 8,0Вольфрам - 5,2 - 6,0Галлий - 4,3 - 4,9Германий - 2,1 - 2,7Алюминий - 0,1 - 0,3Никель - Остальноепри этом суммарное количественное содержание галлия и германия в сплаве составляет 7 мас.%.2. Сплав по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит рений в количестве 0,5 - 1,5...

Номер патента: 1123422

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Дмитриенко, Соловьева, Франк

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, фольговый

Фольговый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с расположенным на ней резистивным фольговым элементом на основе никеля, отличающийся тем, что, с целью увеличения температурного коэффициента сопротивления и обеспечения линейной температурной зависимости электрического сопротивления, фольга резистивного элемента выполнена из никеля, причем разность температурных коэффициентов линейного расширения фольги из никеля и диэлектрической подложки составляет (70 - 90) 10-7 град -1.

Номер патента: 1075851

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Горелов, Губанов, Карауш, Пугачев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

Резистивный материал, содержащий технический углерод, молотый силикат натрия, окись кальция, кварцевый песок, доменный шлак и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления и увеличения прочности на сжатие, он дополнительно содержит отсев известняка CaCO3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:Технический углерод - 0,001 - 15,0Молотый силикат натрия - 0,001 - 21,0Окись кальция - 0,001 - 15,0Кварцевый песок - 0,001 - 75,0Доменный шлак - 0,001 - 75,0Отсев известняка CaCO3 - 0,001 - 25,0Вода - Остальное

Номер патента: 1058456

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Вяткина, Евтушенко, Петровых, Шеховцова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

Резистивный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе оксида серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельного поверхностного сопротивления в низкоомную область и снижения величины ТКС, в качестве неорганического связующего он содержит марганецсодержащее стекло при следующем количественном соотношении исходных компонентов, мас.%:Оксид серебра - 18 - 26Палладий - 18 - 28Марганецсодержащее стекло - 24 - 39Органическая связка - 22 - 25

Номер патента: 1457680

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Недорезов, Подшибякин

МПК: H01C 7/00

Метки: резистора, толстопленочного

Способ изготовления толстопленочного резистора, включающий смешивание проводящей фазы на основе оксида рутения и диэлектрической фазы, состоящей из смеси двух стекол с добавками оксида марганца и оксида меди, нанесение полученной композиции на подложку с последующим ее вжиганием, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности значений ТКС в интервале температур от -60 до +125oС и в диапазоне удельного поверхностного сопротивления от 102 до 105 Oм/ , в качестве смеси в составе диэлектрической фазы используют смесь двух свинцово-силикатных стекол, а добавки оксида меди и оксида марганца...

Номер патента: 240820

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Заборская, Зуева, Кайнов, Курилло, Стакло, Терехов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, металлопленочных, резисторов, токопроводящий

Токопроводящий материал для металлопленочных резисторов, содержащий полупроводниковую, например кремниевую, основу и токопроводящие компоненты, например никель и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления материала, он содержит 75 - 80% кремния, 15 - 17% никеля, 1,5 - 4% вольфрама и 2,5 - 3% титана.

Номер патента: 1681679

Опубликовано: 20.03.2001

Авторы: Базуев, Кирсанов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

Резистивный материал на основе оксида лантана и диоксида титана, отличающийся тем, что, с целью увеличения электропроводности и расширения интервала рабочих температур, он дополнительно содержит оксид щелочноземельного металла или смесь оксидов щелочноземельных металлов и титан при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид лантана - 17,21 - 48,67Оксид щелочноземельного металла или смесь оксидов щелочноземельных металлов - 8,38 - 48,60Титан - 5,69 - 7,15Диоксид титана - Остальное

Номер патента: 1281058

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Жебин, Зеленин

МПК: C22C 1/02, C22C 3/00, H01C 7/00 ...

Метки: пленок, резистивных, сплав

1. Сплав для резистивных пленок, содержащий кремний, железо, хром и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью снижения разброса удельного сопротивления и уменьшения температурного коэффициента сопротивления резистивных пленок, он содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: Кремний32,3-33,0 Железо35,7-37,2 Хром13,0-13,7 ВольфрамОстальное 2. Способ получения сплава, включающий плавление компонентов в...