H01C 7/00 — Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него

Номер патента: 801115

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Зарипов, Лиманов, Лиманова, Петрова

МПК: H01C 7/00

Метки: емкости, регулированияэлектрической

...а подвижный электропров егулируемой массойразноименными полюагнитов,бражена схема устирования электричес 801115При перемещении контура 1 от силы Р в магнитном поле В в контуре наводится ЭДС2 ВЮ (3) Выражаем ток контура 1 через емкость и ЭДС(4) Действующая на контур сила Р опре,Реляется массой контура в и скоростью перемещения Ч г: , (5)сИПодставляя значения силы Г из выражения (2), скорости Ч из выражения (3) в уравнение (5), получаем(7) Магнитную индукцию В в зазоре можно представить в виде(8) ЗО ДФ ДФЯро )М где ) - ток возбуждающих обмоток;К - число витков обмоток;Яо - площадь сечения воздушногозазора;В - магнитное сопротивление;М - магнитная проницаемость воздуха;О - длина воздушного зазора.Из выражения (7) и (8) видно, что...

Номер патента: 801116

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Безруков, Воробьева, Голоденко, Дубинина, Колдашов, Купина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...окислов и сульфатов, ч: нитрат индия и(МО 3)35,5 НО) 270,4 у пятиокись сурьмы(ЯЬаОв) 3,0; сульфат ниобияА 1 О (ЯО 4 )4 ИЬОл ЯО 4 0,6 НО 4,4,Шихту усредняют в барабане шаровой мельницы в течение 4-х ч, а затем прокаливают при 950 ОС в течение 2-3 ч.П р и м е р 2. Для получения100 г резистивного материала, содержащего, вес.Ъ: окись индия 97,5; пятиокись сурьмы 2,0 пятиокись ниобия25 0,5 ,приготавливают смесь исходных801116 Резистивный Удельное сопротивление Температурный коэффициентматериал, резисторов, кОм/см сопротивления, 10 4 1/цСУ в области 20 - 125 оС-5 с 7 693 3,4,9 " 6,3 Формула изобретения Составитель В.ЛенскаяРедактор Л,Пчелинская Техред Е.Гаврилешко Корректор О.Билак Заказ 10443/71 Тираж 795 ПодписноеВНИИПИ Государственного...

Номер патента: 809409

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Вацяк, Лопухин, Семенова, Шелест, Шеханов

МПК: H01C 7/00

Метки: пленочный, резистор

...на ней пленочных элементов, Внутрення контактная площадка 2, выполненная в виде круга и расположенная в центре концентрически расположенных кольцевых контактных площадок 3, изготовлена из проводящего материала и осуществляют коммутацию пленочного резистора с другими элементами схемы. Резистивный элемент 4 круглой формы расположен между ними, а именно между внутренней 2 и внешней 3 контактными площадками, его размеры и вид ма териала определяют сопротивление пленочного резистора. Проводящая, пленочная спираль 5 выполнена из проводящего материала, соединяет соседние контактные площадки и пред О назначена для дискретной подгонки пленочного резистора, Сквозные отверстия 6 в резистивном элементе, расположенные под проводящей...

Номер патента: 809410

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Корзо, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонко-пленочных

...вес.в: Каждую смесь сплавляют отдельно в электрической печи, углерод в виде мелкодисперсной сажи вводят в расплав после плавления хрома и кремния,Иэ каждой смеси резистивного материала отливают мишень диаметром 130 мм, толщиной 12 мм. После остывания мишень подвергают механической обработке для снятия верхнего слоя на глубину О, 5-1 мм, ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона при рабочем давлении 3,410 Па иэ нее получают резистивные пленки с поверхнзостнык сопротивлением 0,5.1 кОм/ммЭксплуатационные испытания резистс-ров на основе сплава хром-углерод- кремний в температурном интервале до 400 С и в вакууме 10Па в течение 1000 ч показывают, что изменения номинальных значений сопротивлений составляют не более 7,8.Установлено,...

Номер патента: 834777

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Базуев, Макарова, Швейкин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...рт.ст. при201200 С до полного прекращения выделения окиси углерода, а затем в вакууме 10 - 10 мм рт.ст, при 1400 Св течение 25 ч, Продукт перетирают,из него готовят образцы в виде параллелепипеда размером Зх 525 мми подвергают дополнительному отжигупри 1450 С в течение 12 ч. Получают:материал состава Сер 0, содержащийостальное Т 1,20. Величина удельногосопротивления р при 290 К составляет. 1-10 Э Ом см.П р и м е р 2. 7,2 г СеО, 3,4 гТО и 0 5 г ацетиленовой и обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Се ТОз, содержащий 69,4 Се 20 З, 0,1 ТО, остальное ТОЗ, с величиной удельного со.противления у при 290 К равной9 10 Ом см. 40При ме р 3. 5,93 г РгОз,4,11 г ТО и 0,03 г ацетиленовойсажи обрабатывают, как в примере 1.Получают...

Номер патента: 834778

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Котов, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...таких пленок могут быть получены ЗО только при отжиге их при температуре834778 свыше 450 ОС, .т.е. в области температур, где всегда наблюдается образоваание дефектных пятен, приводящих к ухудшению стабильности резисторов.Цель изобретения - повышение термостойкости.5Для достижения указанной цели в известном резистивном материале для изготовления тонкопленочных резисто. - ров, содержащем хром, железо, алюминий, двуокись кремния и алунд, исходные компоненты взяты в следующем соотношении, вес.Ъ:ХромЖелезоАлюминийДвуокись кремнияАлунд 10-80 3-20 Хром Железо Алюми- Двуокись АЛунд у , Ом/О ТКС, 10 1/ С ний кремния Смеси 10 - 100 1 75 2 30 3 10 2 3-30 10 8 200-500 +10 - 100 15 12 3000-10000+10 - 100 10 Формула изобретения 10-80 3-20...

Номер патента: 834779

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Березин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...ионнойронной составля- составляющейСцБ А 95 ющей 6 е,. Ом" см о, Ои см Номеробраз ца 75 25 4,6 3,5 4,6 35 65 50 0,8 4,6 50 4,6 1,05 35 4,3 4,6 25 В таблице .приведены составы полученных .образцов и данные измерений электронной и ионной составляющих проводимости при 400 С.Соотношение металл-сера в растворе методом кулонометрического титрования в гальванической цепи А 9/А 9 (Сц+.А 9)д 5) Р устанавливается с высокой точностью стехиометрическим.Измерение электропроводности осуществляют, прижимными вольфрамовыми зондами компенсационным методом с помощью полуавтоматического потенциометра.Как видно из.таблицы, увеличение или уменьшение содержания сульфида серебра приводит к существенному росту электронной. составляющей.Кривые зависимости...

Номер патента: 834780

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Арсеньева, Аулова, Домочацкая, Рогова, Тужикова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в качестве сажи использованасажа с масляным числом 160- "180 мл/100 г и рН 6-9 при следующемсоотношении компонентов, вес.Ъ: 20834780 Сажа .с маслянымчислом 160,180 мл/100 г ирН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленоксифениленметилен 8,4 0,3 ,16 Остальное формула изобретения Сажа с маслянымчислом 160180 мл/100 г ирН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленоксифениленметилен З,б 0,1 8,4 25 Остальное Сажа с масляным числом 160- 180 мл/100 г и рН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленок- сифениленметилен 3,6-22 Ос 12-Огб 8,4-20Остальное 35 40 Составитель В,ЛенскаяТехред Ж.Кастелевич Корректор М,КостаФ Редактор Н.Бушаева Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,...

Номер патента: 841067

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Лютикова, Мирецкая, Седова, Солдатова, Шибалова

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...циклического ацетата или гексометоксиметилмеламина.Приготовление резистивных композиций предлагаемого состава с минимальным, средним и максимальным содержанием исходных компонентов (вес,Ъ ) и их характеристики представ" 5 лены в примерах 1-3П р и и е р 1. Терефталевая смола Тф21; ускор. ель полимеризации 2,1 (циклический ацетат или гексо= метоксиметилмеламин ); реэистивнйй по- (О рошок, в который входит сажа каналь-ная аКтивная марки ДГ17; органический растворитель (циклогексанон) 59,9.В этом случае величина сопротивле-, 15 ния 8=104 Ом на квадрат; влагоустойчивость Ьй/й в условиях тропичеаКой влажности за 21 сут 5%.Л р и м е р 2. Терефталевая смола Тф23; ускоритель полимериэации 20 2,3; резистивный порошок, в который входит сажа...

Номер патента: 841068

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Безруков, Голоденко, Дубинина, Львов, Самсонов, Филин, Чалавиев

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...композицию, г:Палладий металлический (Рд) 0,999Окись серебра(А 920)Гексатанталат.меди (Сц,Та 0 15 НО) 0,25Стекло марки 279/2 2,90,Композицию перемешивают шпателемв Фарфбровой чашке, просеивают 5 раэчерез сито, помещают в агатовую ступ ку, вводят 1,1 г органической связки и перемешивают 45 минП р и м е р 3. Реэистивная пастаоостава, вес.Ъ:Палладий металлический (Рд) 1486Окись серебра(Д 90) 12,66Гексатантала никеля (й(,4 Та 09 18 НО) 10 Стекло марки 279/2 62,48Органическая связка марки СО 1 24Для получения 6,2 г резистивнойпасты составляют порошковую композицию, г:Палладий метаюлический (Рд) 0,743Окись серебра(А 920) 0,633Гексатаиталат никеля (М 4 Та 60 18 НО) 0,5Стекло маркй 279/2 3,125Композицию перемешивают, просеива.ют 5 раэ через...

Номер патента: 866582

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Закиров, Петров, Строков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...г о 120 50-70 30 бИз ретение позволяет пол вный материал с улучш техническими свойства ь резистифи зикобенно п осо о адгезии с основои и вости, что дает возмож овать резистивный мате водоость стоич споль 3 0 за 3,0-10,0 ьд е гид ная 1,0-5,0 0,003-0,00Про сце ос Ацетонфо мола ами Падкии натрДис тилли ров анная ода 5-0,8 1,0-1 3-1,кои, МСопротиление,Темпера Остальное 110 1 10 10 Источни ки информации,ание при экспсвидетельствоН О С 7/ОО.свидетельствоС 7/00,ерти СССР 9 71 СССР принятые во вни1. Авторскоеу .376815, кл. 22. Авторское турныиэффици е сопротивления,1/град У 574045, кл. 2 Н 010,040 +0,040 +0,040 прототип),ВНИИПИ Заказ 8084//2 Тираж 787 Подписное ППП "Патент",г.ужгород,ул.Проектная,4 мый в воде н любых соотношениях,...

Номер патента: 871228

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Задорожная, Задорожный

МПК: H01C 7/00

Метки: непроволочных, резисторов

...ЭДГОСТ 10587-72 и наполнитель кварц молотый пыпевидный ГОСТ 9077-59, марки КП, в качестве токопроводящего элемента - порошок никелевый посеребренный ТУ 48-07.-104-71, в качестве плвстификатора-полиэфир220 ТУ МХПКУ-57, В качестве отвердителя - мвлеиновый ангидрид ГОСТ 5854-54,Для изготовления 1000 г резисторного материала дпя резисторов номиналом 10 КОм количество входящих в него компонентов составляет (г):Порошок никелевыйпосеребренный 250Кварц молотыйпылевидныйСмола эпоксиднаяПолиэфир220 50Малеиновый ангидрид 43Обезжиренный и просушенный порошок никелевый посеребренный смешивают с эпоксидной смолой в мешалке для пригс- товления контактолов УБЗЧ 2810-00 в течение 20-30 мин при скорости вращения мешалки 115-160 Об/мин, Полученную смесь...

Номер патента: 879657

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Левкин, Макевнина, Проценко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...вес,йтПалладий 17,87-18,61Серебро 42;33-44,06Окись серебра 14,27-18,85Окись индия 7,06-7, 34Окись висмута 1,77-1,84Стеклосвязка 14,70-13,30.Для получения реэистивного материала были приготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.йтЗаказ 9731/23 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 415Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная 4 Каждую смесь приготовляли путемнеремешивания указанных компонентов,усреднения пятикратным просевом через капроновое сито с ячейками 65 мкмдобавления органической связки1,22 вес.Ж от веса порошковой композиции), состоящей из ланолина, вазелинового масла и циклогексанола, взятых в отношении 15:3:1, и...

Номер патента: 879658

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Капитонов, Коконбаев, Петров, Ташкулов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...количественном содержании компонентов, мас.ХМетилцеллюлоза 4,0-12,0 Хлорпреновый каучук 1,0-3,0.Диспергатор 0,1-1,0 Прокаленная тонкодисперсная сажа 3,0-5,0Вода Остальное Ниже приведены.конкретные примеры приготовления резистивных материалов предлагаемого состава с различным содержанием исходных компонентов с минимальным, средним и максимальным содержанием исходных компонентов.Приготавливали раствор метилцеллюлозы в воде, который после фильтрачастями вводили тонкодисперсную прокаленную сажу при работающей мешалке и перемешивали до достижения однородной массы.Полученную массу наносили на предварительно подготовленные керамические стержни (заготовки) соответствующих резисторам типа КЭВ для изучения электКоличество компонентов, .мас.%...

Номер патента: 886064

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Климанова, Кошкина, Просвирнина, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...Для получения реэистнвнои композиции го товят три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: сажу 12,0.; 15,0; 22,0; графит 0,1; 4,1; 7,0, слюду молотую 9,0; 5,0;0,1, дибутилфталат 15,0; 26,0; 30,9, крезольноформальдегидную смолу 63,9; 49,9; 40,0.Каждую смесь готовят следующим образом,В приготовленную смесь сажи, графита и слюды молотой добавляют этиловый спирт, тщательно перемешиваютсмесь в течение, 2- 3 ч на быстроходных смесителях, фильтруют и подвергают диспергированню на валковой краскотерке с добавлением дибутилфталата,Характеристики полученных резистнвныхпаст и резисторов на нх основе представленыв табл. 1 и 2 соответственно.Коэффициент Коэффициент термоувлажнения старения эа 1000 ч, за 100 ч, %-3,1 + 7 200 - ....

Номер патента: 886065

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Климанова, Кошкина, Просвирнина, Рублевская, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...количественном соотношениикомпонентов, вес.%:Сажа 3 - 25Трафит . 0,1 - 22Слюда молотая. 0,1 - 10Бензиловый Для получения резистивной пасты готовяттри смеси компонентов, содержащие каждая, 1вес.%: сажа 3; 15; 25, графит 0,1; 12; 22, слюда молотая 10; 5; 0,1, бензиловый спирт 6,9; 15; 22,9 и полнфениленоксифениленме.тилен 80; 53; 30. 20 Каждую смесь готовят следующим образом. Сажу, графит, слюду молотую и полифе. ниленоксифениленметилен тщательно перемешивают 2 - 4 ч на быстроходных смесителях,по% % Уров ен шумов вращения) мВ+1,3 + +3,1 123,6 2,8 3,1 0,1 - 10 6,9 - 22,9Остальное. Слюда молотаяБензиловый спиртПолимерное .связующее 45 ВНИИПИ Заказ 10567/81 Тираж 787 Подписное Филиал 11 ПП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4...

Номер патента: 886066

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Асламазова, Виноградова, Грибова, Елисеева, Климанова, Коршак, Кошкина, Морозов, Морозова, Просвирнина, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...получения резистивной пасты готовят девять смесей компонентов, содержащие каждая, вес,%: сажа 5,0; 25,0; 35,0, графит 0,1;5,0; 10,0, слюда молотая 8,0; 4,0; 0,1, полифениленоксифениленметилен 81,9; 63,5;53,9 и отличающиеся друг от друга содержавием полифосфината металла, введенного в смесь последовательно, вес.%: полидигептил.886066 Таблица 1 Смесь Вязкость, Сопротивление, Ом Выход изделийс в номинал,-122+170 9 2800 152 фосфинат цинка 5,0; 2,5; 1,0 полидифенилфосфинат марганца 5,0; 2,5; 1,0, польщифенилфосфинат хрома 5,0; 2,5; 1,0,Каждую смесь готовят следующим образом,Готовят смесь сажи, графита, слюды.молотойполифосфинатов указанных металлов иполифениленоксифениленметилена, тщательноперемешивают ее 2-4 ч на быстроходных...

Номер патента: 890449

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Абдурахманов, Магрупов, Хамраев, Юсупов

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...С для удаления адсорбированных газов, влаги иувеличения реакционной способности,развития микропористости частиц, загемматериал обрабатывают 101-ным раствором сополимера акрилонитрила с метилакрилатом и итаконовой кислотой в диметилформалиде. После удаления из полученной системы растворителя при 120180 С с последующей термообработкой.м10 - 10 0,08-0,06 60 Как видно из таблицы, использование каолина или двуокиси титана, частицы которого покрыты пленкой из термообработанного сополимера, дает воз. можность получить разистивную композицию, обладающую сопротивлением в9широком диапазоне 10-10 Ом. при следующем количественном соотношении компонентов, вес,3:36 Наполнитель 28,0-35,0Сополимер акрилонитрила с метилакрилатом и итаконовой кислотой...

Номер патента: 890450

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Гладышевский, Карымов, Левин, Луцив, Минеев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...исходных составгяющих (Та 5 Мо 5Т 5 ),взятые в необходимых пропорциях,подвергаот мокрому смешиванию в средеэтилового спирта (200 мл на 1 кг по 1 врошка) в течение 6 ч, Затем полученную смесь сушат в термошкафу при60-80 С и подвергают просеиваниючерез сито с сеткой У 0063 для разрушения конгломератов, 15Готовую смесь прессуют под давлением 3 т/и с помощью гидравлическо 2го пресса Пв брикеты ф 20 мм иподвергают высокотемпературой вакуумной обработке в вакуумной печи 26СГН 2,3/15-,2 при остаточном .давлении3-7 10 Па и температуре 1300-1400Спеченные брикеты извлекают из вакуумной печи, пробят в механическойступке СМВЛ и отбирают пробу для рентгеновского фазового анализа, которыйпроводят на дифрактомере ДРОН. Затем на рольганговой мельнице с...

Номер патента: 894800

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бабенко, Бригинец, Заяц, Ильин, Литвишко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, токопроводящий

...марки С - 1 с размером частиц4:6 мкм диспергируют на воздухоструйных мельницах с плоской помольной камерой МВСП - 25894800 т- Минимальное содер.жанне связующего и раство- рителя 1Максимальное содержание свя. эующего и раство. ритедя Минимальное содержаниеграфита Состав, У 29 14 17 17 14 50 37 50 37 28 20 27 27 20 30 20 20 60 14 20 25 25 14 34 18 37 37 18 18 17 30 60 20 20 60 20 14 25 25 34 18 37 37 18 18 17 18 15 60 30 15 60 Перхлорвиниловаясмола 14 30 20 30 38 16 16 Циклогексанон Тетралин12 10 15 10 при давлении воздуха 8 атм., расходе его7 м/ч и подаче графита 10 - 20 кг/ч. Графитподвергают 3 кратному размолу до получениясреднего размера частиц 1-3 мкм. После перемешивания порошка графита с...

Номер патента: 894801

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...10,5Хром 14-17Ванадий 5 - 7Титан 2 - 3Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материалаготовят три смеси компонентов, содержащиекаждая (вес.%) кремния 37,5;39,1 и 40,5;0железа 11; 12,2 и 13, алюминия 8,5; 9,5и 10,5; хрома 14; 15,4; и 17, ванадия 5;6,2 и 7, титана 2, 2,6 и 3 и вольфрама -остальное,Каждая смесь компонентов в виде гранулзагружается в кварцевый тигель, который помещается в открытый высокочастотный индуктор, и подготовленная шихта плавится в течение 85 мин, Полученные слитки измельчаютна щековой дробилке и механической ступкедо порошка с размером зерна менее 125 мкм,Порошок испаряется в вакууме с вольфрамового испарителя в течение 30 сек, кондея.сируется на поверхности подложек, которые89480 следующем соотношении...

Номер патента: 894802

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Аникин, Ведь, Григорьев, Гусев, Симбирский

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...(вес.ч) порошка платиньпорошка палладия 7,5; 20 и 25,кремния 25, 15 и 7,5, окиси ал5,5 и 3, окиси бора 5; 1,5 и 1рия 5; 1,5 и 1,5, окиси кальции органического связующего -Наиболеявляется репорошокалюминия, о иэким тех еским решением истивнь иал, содержащиикремиия, окисьь бария, окисьэующее 21. те платины, двуокись кись бора, оки иальцня и Недо ста органическое свяок реэистивног ериала состо фициенте соЦель иэобого коэфф тивления тения . - снижеента сопротивле е темп относительно высоком температурном коэф 7,5 - 257,5 - 257,5 - 253 - 101,5 - 51,5 - 51,5 - 530 - 40материала прв, содержащее75;20 и 25двуокиси .юминия 10;Каждую смесь получают перемешнваниемкомпонентов и наносят на подложку методомконтактной печати с последующей...

Номер патента: 894803

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...с ГОСТ 7113 - 77 имеют аВ:а) в области положител+ 1200 10 6 К .Недостатком известногонизкий выход годных издвенной адгезии металлизирорамической подложке, вслеверхности керамики на техн оявляются царзпины, риски ль изобретения - повышениЗаказ 11501/83 Тираж 787 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Ванадий 4,5-7,5Титан 2,5-3,5Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материала го. товят шихту иэ компонентов следующего состава, %:Кремний 54Хром 12,8Алюминий 9,7Вольфрам 14,9Ванадий 5,8Титан 2,8Плавка проводится в открытом индукторе высокочастотной установки в кварцевом тигле. Полученный слиток...

Номер патента: 894804

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Астров, Горькова, Карпеченков, Слушков, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...2 30Хром ОстальноеВведение в известный реэистивный материал двуокиси марганца позволяет снизить ТКС получаемых резистивных пленок, расширить диапазон их удельных сопротивлений, сохранить во всем диапазоне высокую стабильность их свойств во времени при температуре окружающей среды до + 200 С.894804 Таблица 1 Окись марганца Мп 01 КремнийСмеси Хром ВольфрамСг В 12 15 10 63 94 30 10 45 10 83 Таблица 2 Сплав Удельное сопротивление, Ом/г 1 ТКС, 101/ С 5 - 5000,8 - 150 50 - 5000 150 - -100 300 -- 15 150 - -150 0)8 - 250 150 -- 50 ВНИИПИ Заказ 1150 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Кроме того, введение МОО, способствует стеклообразованию, что позволяет получать более прочные мишени для ионно-плазменного юпы пения,В...

Номер патента: 898517

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Пушкина, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов

...параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влаж. ности (98%) не более й 1% и ТКС не более 100 101/С.П р и м е р. Порощкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки, Таблетки по мешают в корундовый тигель и проводят син.8517 4нической связкой, наносят на подложки изкерамики "22 ХС" и вжигают в конвейернойпечи при 800 - 850 С, Приготовляют четыре со.става предлагаемого материала для резисторов.Соотношения исходных компонентов материалаи электрофизические характеристики получен.ных резисторов приведены в таблице. опротивление, Ом/кв ТКС, 1/ С 10 6 Стабиль. при 25-125 С ность, %+2,8 Известный 24 71 5 в 5 Из таблицы следует, что...

Номер патента: 900320

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Демидов, Маринчик, Михо

МПК: H01C 7/00

Метки: варисторов

...полимер зации Г 23.Недостатком варисторомых этим способом, являестабильность электрическ сного Знаме иим. И.И. Мечникова - "формула изобретения Составитель М. Мессерер Редактор В. Иванова Техред А. Бабинец Корректор М. ПожоЗаказ 12191/68 Тираж 757 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 900 да кремния в растворе одной из солей этих элементов или путем нанесения ионов этих элементов при электростатическом распылении их солей. Ионы щелочных металлов подавляют каталитическую активность пленки окиси кремния на поверхньсти карбида кремния, что повышает стабильность электрических параметров...

Номер патента: 902082

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Ленных, Макордей

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...получения реэнстивного материала го. товят две смеси компонентов, каждая из которых содержит водные растворы азотнокислых солей никеля и кобальта, г: М(ЙОз)г 264,7 и 291,1 и Со(ИОз)г 5295 и 5031 Соотношение по металлу никеля к кобальту составляет 1:2 как стехиометрическое для наиболее полного превращения и образования кобальтита никеля со структурой шпииели.Каждую смесь готовят следующим образом.Готовят смесь 10%-ных водных растворов азотнокислых солей кобальта и никеля, нз нее 10%-ным раствором аммиака (рН) при 80 С осаждают при деремешивании смесь гидроокисей кобальта и никеля. Подученный оса. док отгоняют на лабораторной центрифуге ЛПУ - 1, в течение нескольких дней высушив сушидьном шкафу при 100 - 120 С,растирают и отжигают при...

Номер патента: 911629

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и...

Номер патента: 911630

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Карабанов, Рябов, Соломенников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...от состава исходной смеси.Прн изменении содержания двуокиси кремния в реэистивном материале 20-80 ТКС имеет положительную величину.В зависимости от состава величина ТКС измеряется в широких пределах. Для состава, содержащего 15 СгО г ве" личина ТКС равна 10 1/оС, а для состава с 30 СгоОк - 55 1/оС. При содержании СгОг более 90 величина ТКС становится отрицательной.Температурная зависимость сопротивления аналогична температурной зависимости сопротивления позисторов. Удельное сопротивление резистивнога материала в области низких температур составляет 10-10 ь Ом см,что позволяет изготовлять микрорезнсторы для микроэлектронных схем.Ниже приведены конкретные примеры изготовления реэистивных материалов ;предлагаемого состава с различньм. т...

Номер патента: 924765

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомных, материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...тем, 10 что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись 15 кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ф:Хром 12- 10Железо 1-10Алюминий 10-20 20Окись кадмия 2-15Смесь окисловкремния и алю"миния ОстальноеВводимая в предлагаемый резистив ный материал окись кадмия смещает Средние зна чения велиДиапазонполученных значений ТКС101/Со Алюминий Окиськадмия чин поверхностного сопротивлениярезистивныхпленок окисловкремнияи алюминия-10- +30 16 17 50 Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем...