H01C 7/00 — Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него

Номер патента: 326643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомный, материал, резистивный

...ль достигается п олиителя мелкодис (аэросил), иолучае 1 редм зоб ения 1, Высокоомиь резистивиьдержащий сажу, смолу и миис 0 цитель, ог,тичатощтся тем, чт и материал, со рдльцый цаполо, с целью полуИзобретение относится к р;диоэсеЕ(троп и КЕ, Е ИМЕИИО К ИРОИ 3 ВОДСТВУ ИСИРОВОЛОЧПЬХ резисторов,При известных способах производства высокоомцых непроволочцых резисторов ца основе лакосажевых композиций сажа вводится непосредственно в связуЕощу о основу, поэтому предельная величица сопротивления огрдцичивается мииимальцым объемом сажи, при котором сохрдияется однородность и воспроизводимость свойств композиций. С целью дальнейшего повышсция сопротивления сажу Вводят в связующую основу в виде предварительно измельченной композиции с лаком и...

Номер патента: 330494

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иванов, Корниенко, Серых, Франк

МПК: H01C 7/00

Метки: 330494

...в предлагаемом резисторе резистивные слои имеют зеркально отображенную конфигурацию, причем нижняя и верхняя части резистивного материала соединены между собой перемычкой, расположенной на торцовой поверхности подложки и используемой в качестве торцового контакта.На чертеже дано предлагаемое устройтоит из электроизоляционнои беих сторон которой печатанесены резистивные слои 2, ьно отображенную конфигуи верхняя части резистивногослоев 2 соединены между собой перемычкой 3, расположенной на торцовой поверхности подложки 1 и используемой в качестве торцового контакта, Выводырезистора 4 расположены по обеим сторонам5 подложки.При указанной конструкции резисторадействие механических усилий на него компенсируется тем, что нижняя и...

Номер патента: 332503

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Козлова, Панкратова, Пружинима

МПК: H01C 7/00

Метки: линейного, материал, объемного, резистора, сильноточного

...тсокого удельнсвязующего сощего веса шнхсвязующем сосвеса связующе для изготовления объемного линейного резистора на осноарборунда и связующего, соарфоровой массы н сажи, отем, что, с целью получения выого сопротивления, количество ставляет 30 - 42 вес.% от обты, причем количество сажи в тавляет 4 - 5 вес. % от общего го. го помол готовитс с присоединением заявки Ю Изобретение относится к технологии изготовления электро- и радиоаппаратуры,Известен материал для изготовления объемного сильноточного линейного резисторана основе зеленого карборунда и связующего, состоящего из фарфоровой массы и сажи.Известный материал имеет малое удельноесопротивление.Целью изобретения является потериала с высоким удельнымнием,Цель достигается тем, что...

Номер патента: 333875

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Авдеева, Байкова, Библио, Жев, Шапиро

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционных, контактов, микрорезисторов, электрических

...типа, так и микрорезисторов,Предмет бретен ия Способ тов комп нанесения готовленн отличающ ння монт на резист нредвари температу ганическо водящую лпевых сх изготовления электрических контакзиционных микрорсзисторов путем их на полупроводящее покрытие, изое на основе органических смол, ийся тем, что, с целью осуществлеажа резисторов пайкой плп сваркой, ивную пленку в местах контактов ельно перед лужением вжигают при ре, не вызывающей деструкцию орго вещества резистивной пленки, пропасту, например на основе глифтаол и мелкодпсперсного серебра. Известные способы изготовлеш 1 я электрических контактов композиционных микрорезисторов не обеспечивают возможности монтажа резисторов пайкой или сваркой.В предлагаемом способе возможность...

Номер патента: 337966

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Зырин, Максименко, Ордена

МПК: H01C 7/00, H05B 3/10

Метки: высокотемпературный, материал, электропроводный

...закись никеля, 10легированная литием, При введении ионов одновалентного лития в кристаллическую решетку закиси никеля происходит изменение валентносги части ионов никеля с + 2 до +3,что вызывается необходимостью сохранения 15электронейтральности крисгаллической решетки. Появившиеся ионы трехвалецтного никеляявляются причиной появления дырочцой проводимости в закиси никеля, причем концентрация носителей заряда оказывается практически равной концентрации введенных ионовлития. Удельное сопротивление такого материала может быть доведено до 0,01 ом см.Однако температура плавления этого материала не превышает 1950 С,Для повышения температурного пописываемого электропроводного матерего состав введена окись магния.Для изготовления...

Номер патента: 339966

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Волькенау, Грудинина

МПК: H01C 7/00

Метки: 339966

...осу их до спек окислению овления мешива ида крем ого стек аолучен,ществляя ания в снелииеиных ют 80 - 84% ния и 20 - 5 ла с наполной массытермичесредах, преер, в водо Цель изобретения - исключение процесса разложения карбида кремния.Цель достигается тем, что термическую обработку резисторов производят при темпера туре 1450 - 1600 С.Сущность способа изготовления нелинейных резисторов заключается в следующем.При смешении 80 - 84% электротехтгического карбида кремния и 20 - 16% связующего 20 из иоидкого стекла с наполнителем образуется масса, из которой прессуются резисторы. Далее осуществляется термическая обработка указанных резисторов при температуре 1450 - 1600 С. При термообработке резисторов 25 происходит плавление связки и...

Номер патента: 340216

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Инкорпорейтед, Иностранец, Иностранна, Соединенные

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...давления инертного газа и уменьшение в результате этого вакуума внутри камеры 1 приводит,к увеличению скоростис которой распыленный металл удаляется с катода и, соответственно, к увеличению скорости осакдения пленки, максимум давления обычно определяется заданными пределамл подаваемой электроэнергии, поскольку увеличение давления приводит также к увеличению электрического тока между анодом н катодом. Практически верхний предел давления составляет 150 лк рт. ст. при напряжении в процессе распыления порядка 5000 в. Предел максимального давления должен быть таким, при котором раопыленце легко регулируется, не отклоняясь от допустимых номинальных норм. Минимальное давление определяется наименьшей скоростью осаждения,...

Номер патента: 341094

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гребенкина, Ордена, Перевезенцев, Самсонов, Сорокин, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: низкоомный, резистор

...изменесение величины сопрютивления в процентах за, 100 час увлажнения прп относительной влажности 95 - 98 /а и темпера о пуре 40 С достигает 7%), имеют значительную,величину ТКС (до - 15 10 -град - ).Цель изобретенопя - ,повьипвние териостой,кости и влаго 1 стойкости резнстора и расширение днаназона сопротивлений.15Это достигается тем, что в качестве оонтхвы резистора использован борид,кобадьта, исходные компонентьп которого взяты в следующихсоопношениях, вес. %Кобальт 91,1 - 91,6 20 Бор 8,4 - 8,9Резистор, изготовлен в габаритах СПО - 0,5 вт методом горячего прессования при 900 С в слабо восстановительной ореде, Связующим веществом служит вьпсокобарие вое силикатно-боро-бариевое стекло состаяв стекл а, вес. а/а . 5102 (4 - 20), В 20...

Номер патента: 355672

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Иванчик, Карелина, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...материал на о углерода, окислов металлов, боридов иа также на основе проводящих органич материалов.Универсальностью свойств, которые удовлетворяли бы все требования к резисторам, ни одно из этих соединений не обладает, в связи 10 с чем необходим поиск материалов и композиций с улучшенными по сравнению с известными электрическими и физико-химическими характеристиками.Цель изобретения - повышение стабильно сти резисторов. Достигается она тем, что в резистивный материал, содержащий смесь окислов цинка, кремния и хлористый марганец, вводят окись бериллия, причем исходные компоненты взяты в следующих соотношениях 20 (вес, %):Окись бериллия 29 - 36Окись цинка 30 - 35Окись кремния 29,9 - 37,5 Хлористый марганец 0,1 - 2,5 25 Компоненты...

Номер патента: 356700

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Жуков, Карпыч, Климов

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...подгонку резистора.Цель изобретения - уменьшение разброса температурного коэффициента сопротивления в рабочем диапазоне температур. Это достигается тем, что подгоночный участок зашун тирован напыленным на ту же подложку низкоомным слоем, имеющим по всей длине электрический контакт с подгоночным участком.На чертеже изображен предлагаемый тонкопленочный резистор.Увеличение сопротивления подгоночного участка резистора происходит за счет умень. шения длинны шунта и,соответствующего наращивания длины 1 рабочей зоны подгоночного участка. Ширина Ь удаляемой зоны при подгонке постоянна и минимальна, поскольку требуется лишь разорвать зистивной,пленки с пленкой шунта. ны А в рабочей части подгоночного остается постоянной и минимальной бой...

Номер патента: 358726

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Метелкин, Патентно, Перевезенцев, Просвирника, Сорокин, Шмеле, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...м мат ского соединен ция, а составл следующих соо хинке изготов з предложенного печить ТКС от тервале темпераиент увлажнения ктросгарецця до ОРЫ ВЫПОЛНЕННЫЕ 1 ча позволяют обе о 8 10 вград вв и- ;+155 С, коэффицкоэффициент эле относится к теалей.зигтивцые,матеря щей композицтана) и металл 1ью расширенияг;олений в прссриале в качесгя использованапоцие компоцсГЦОПЕНИ 51 Х (ВЕС,иалы на осноии, состоящей 1 ЕСКОГО СОЕДИноминальных длагаемом ретве металличеОкцс.ь алсомицты взяты в %): изобретен,1 атериал ца оциц, состоящеаллическогочто, с цельюцй сопротивчго соедицецпя Й со снов 9 - 9 окись алю:1 игия цый материал порезисторов в стоцых значений и ремцых Оминальных Остировку поминаженцый резистцв1 асширигь инас(оомных пом;налв сторону цизкооц...

Номер патента: 387439

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Волкова, Иванова, Котов, Максимцова

МПК: H01C 7/00

Метки: 387439

...МАТЕРИАЛ области электроти резистострое. м 3:2, а ком соотношении, 27-30, обож - остальное,циркония в соотношении с хром поненты взяты в следующем вес. %; хром 18 - 20, цирконий женный керамический материал я - увеличить удельное5 ком мм(м до 50 ком0 - 100) 10-1)С в состериала введен порошок Изобретение относится ктехники, в частности, к облания.Известен резистивный матМ 352319, лредставляющийрошка хрома и обожженногматериала, обеспеЧивающибильных резисторов приф 10-1) С с хорошей воспрмалой зависимостью ТКС отмаобработки. Однако удельн1 тленок при указанном ТКС10 ком мм/м.Цель изобретенисопротивление отмм/М при ТКС-(1тав резистивного ма ериал по авт. св, собой смесь поо керамического и получение ста- ТКС-Е: (10 -...

Номер патента: 370278

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C23C 14/06, C23C 14/58, H01C 7/00, H01L 31/18 ...

Метки: слоев, фоточувствительпых

...теллурнда кадмия, полученных по даетному способу, обладают фоточувствптельностью в 10 - 100 раз превышающей чувствительность известных слоев, при темновом сопротивлении 10 - 10 то олт. Время фото ответа у получаемых фоторезисторов приосвещенности 200 лн составляет от единиц до десятков миллисекунд. позволяет повысилоев теллурида ка Данный способ отличается от известного тем, что осаждепие теллурида кадмия осуществляют с одновременным легированием наносимого покрытия иодистым кадмием из паровой фазы, а затем проводят термообработку покрытия в насыщенных пазах кадмия при 350 - 450 С,Способ состоит в том, что фоточувствительные слои получают осаждением в вакууме теллурида кадмия на поверхность нагретой подложки с одновременным...

Номер патента: 376815

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Волобой, Грицев, Козлова, Филатов, Шиленко, Юдкин

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, резистор

...изводится прессован формы и размеров. редмет изобретени Композиционный резистор, содер полнитель, например сажу и органи зующее, отличающийся тем, что, с вышения его теплостойкости, в кач нического связующего использован леновый эфир. жащии наеское свяцелью постве орга- полифенис присоединением заявкиИзобретение относится к технологии производства элементов радиоаппаратуры и может быть использовано в различных радиотехнических устройствах.Известны композиционные резисторы, со держащие наполнитель, например сажу и органическое связующее. Известные композиционные резисторы не теплостойкие.Цель изобретения - повысить теплостой. кость композиционных резисторов. Это дости гается тем, что в качестве органического связующего используют...

Номер патента: 382151

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...использован для изготовления к так и пленочньх резисторов. десятков меую зависив 0,5 с/о и маможет быть к объемных,едмет изобрет О Резастивный материал, напри товления объемных резисторов электрических неорганических отличаюи 1 ийся тем, что, с цель температурной завсимости па5 ширения диапазона и уменьш номиналов, он содержит 10 - 9 тропроводящего неорганическо го - дисилицида молибдена и диэлектрического неорганическо0 ля - электрокорунда, например Изобретение относится к области электротехники,Известен резистивный материал, например, для изготовления объемистых резисторов на основе диэлектрических неорганических соединений. Недостатками такого материала являотся температурная зависимость параметров резисторов, а также сложность...

Номер патента: 415734

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Бондаренко, Воробей, Лабунов, Максидонов, Минский, Соловьев, Структура

МПК: H01C 7/00, H01C 7/18, H01G 4/10 ...

Метки: 415734

...связи.Известна КС-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким...

Номер патента: 423178

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Агарков, Алиева, Гусев, Зеленина, Карпеченко, Колдашов, Красов, Крылова, Ланцевицка, Пушкина

МПК: H01C 7/00

Метки: 423178

...течениеВлажность 1/,. При едлагаемэффициез него тржке ихительнойевышает Преимушество прсостоит в том, что ксти изготовленныхрезисторов при выдесуток в среде с отнопри 45 С не пр 0 - 55. 98% Изобретение относится к техтовления радиодеталей.Известен материал для толстопленочных резисторов, содержащий в качестве резистивного компонента окись таллия, стекло и органическое связующее.Цель изобретения - повышение влагостойкости резисторов и стабилизация их температурного коэффициента сопротивления. Достигается она тем, что в предлагаемом материале в качестве стекла использовано таллийсодержащее стекло при следующем соотношении исходных компонентов (вес. %):Окись таллия 5 - 65Двуокись кремния 1 - 10Окись алюминия 1 - 10 Органическая связка 20 -...

Номер патента: 433545

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Пузьфийский, Савинков, Сер, Яковлев

МПК: H01C 7/00

Метки: выключателя, высокого, дугогасительного, контактов, резистор, устройства, шунтирования

...устройство), При этом размеры резервуара в значитель-; ной мере или исключительно определяются изоляционными расстояниями от резистора до стенок резервуара или расположенных вlнем тех нли иных частей вьпслючателя 1.Эти расстояния получаются минимальными, если обеспечивается равномерное электрическое . поле между резистором и стенками резервуара (ипи указанными частями вьцицоча,теля). В то же время конструкция резисто- ра такова, что имеются острые кромки, вы- ступы, углы и т, дустранение которых возможно путем заметного усложнения кон меров,Бель изобретения - повышениести и упрощение конструкции резиЭто достигается тем, что резиэлемент и вспомогательные консэлементы резистора помещены вкрайней мере наружная поверхностго выполнена...

Номер патента: 434484

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Блудов, Гин

МПК: H01B 1/02, H01C 7/00

Метки: материал, токопроводящий

...С, и пригоден для использования в качестве контактов со слоя ми высокого удельного сопротивления на основе Сг Т 1 - ЯО тонкопленочных резисторов, повышая их стабильность и надежность. электтов сх и ма снове Пр едм е 5 Токопроводящпй контактов тонкопл жащий медь, хром ся тем, что, с цеизобретен Изобретение относится к ронной технике, изготовлению элемен ем и резисторов.Известен токопроводящи" териал для контактов резисторов на о меди: 94% Сц 50/ К 1, 0,5% Мп.Зтот материал имеет низкое удельное сопротивление и применим при низких температурах до 300 в 3 С.Однако он обладает низкой прочностью и тер мостойкостью.Для получения стабильного надежного контакта между двумя пленками резистивной, на основе Сг - Т 1 - ЯО, и контактной, контактная...

Номер патента: 439851

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Грачев, Ермолаева, Красов, Лагутин, Лебедева, Петрова, Пушкина, Таипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в спирте (например, 1-ундециловом или 1-капроновом или их эквивалентах).Резистивный материал, в состав которого входит свинцовоборосиликатное стекло, имеет следующие недостатки: резисторы одного геометрического размера, изготовленные из такого материала, после высокотемпературного обжига дают разброс значений сопротивлений порядка -1-20%, а температурный коэффициент сопротивления составляет значительную величину - (+4) - ( - 6);( 10 - 4 град -(в зависимости от соотношения компонентов в применяемом материале). Эти недостатки обусловлены отсутствием у свинцовоборосиликатного стекла определенной температуры р азмягчения.С целью улучшения воспроизводимости номиналов резисторов, снижения их температурного коэффициента сопротивления...

Номер патента: 470868

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Горячев, Руд, Самсонов, Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...С. Токопроводящая фаза не разлагает 20 ся в процессе изготовления резисторов иустойчива в окислительных средах до 800 С. 3,2 - 19,549,8 - 66.,6 30,2 - 30,( ной борид получают метокого восстановления смеси элементарным бором. При т с 20%-ным избытком к арии Предмет и етения Указанный дводом боротермичеЬтпОз и ВаСОз сэтом ВаСОз беру Резистивнфазой на ос 0 щелочноземе Изобретение относится к области радиотехнического материаловедения и может быть использовано в производстве толстопленочных и объемных постоянных и переменных резисторов.Известен резистивный материал с токопроводящей фазой на основе двойного борида самария и щелочноземельного металла, например кальция.Однако известный резистивный материал на основе боридов самария и кальция...

Номер патента: 471613

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Коновалова, Руд, Самсонов, Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...фазу резным коэфвале от10 - 4 гра6000) мк ратуринтер - 2,6)(245 -тинного материала с темпеициентом сопротивления в7 до +200 С, равным (1,5-с диапазоном номиналовм см. радиотехнике, атериал на основе еталлов.иал характеризуетном номиналов со х из него резистоИзобретение относится к Известен резистивный м боридов редкоземельных мОднако известный матер ся недостаточным диапазо противления изготовляемь явля сопро резист допол и след нтов, в Резистивный материал с токопровфазой на основе борида редкоземельнталла, например борида самария, о тлщ и й с я тем, что, с целью расширениязона номиналов сопротивлений изготовиз него резисторов, он дополнительножит борид кальция при следующем сооции исходных компонентов, вес. %:Самарий 1,0 - 69,6Кальций...

Номер патента: 481945

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Бочкарев, Бочкарева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...на диэлектрическ наносят испар е е осн ением в плаания. сел ния более высокоомньалой э.д,с. шумов увние окислов лантаноцдрезисторов с малойние этих окислов ум ля попуч резисторовс мвают содержа Для получения шумов содержа ли ш ов,э.д.с,ень шлю н те ни яержаший мьэяты ш Реэистивный материал, соталлосилицидный сплав и ок да, отличаю щи йс я ел пантинятем, что, с резисторе,89. полу"тивле- мом э,д.с. шумов ненты взять. указанные компколичественномМета ллосилиОкисел панта следуюлн. к 1ес о;1 1-802 0-89,оотношении цидный сноида дно ов 2 Изобретение относится к радиоте1Известен резистивный материал,жаший металлосилицидный сплав и олантаноида,Однако резисторы, изготовленныеизвестного материала, обладают больэ.д.с. шумов,Целью изобретения...

Номер патента: 484573

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Андрейченко, Власенко, Врублевский, Горелов, Григорашвили, Добжинский, Жаворонков, Зорин, Манчук, Репях

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...другим композиционным электропроводным материалам, которые могут быть использованы в энергетическом, гражданском и промышленном строительстве, например, ь 1 я 1 зготовлеп;:я Обьемп 1:1 х резисторов, пагрсвате,.ыь х элементов заземлптелей.Известен резпстпвный материал, содержа 1 цпй портлапдцсмепт, кварцевый песок, мелкодпснерсный порошок углерода и воду. Однако этот материал имеет низкие значения теплосризических характеристик, что снижает допустимые удельные энергии рассеяния.Цель изобретения - улучшение теплофизпческпх характеристик и повышеше величины энергии рассеяния. Для этого в состав резистпвного материала дополп:тельно введен пери 1,лаз прп следуОгнем 1 О 1 чсствснном соотог ношешш исходных компонентов. вес. 1 о.Портландцемент...

Номер патента: 490189

Опубликовано: 30.10.1975

Автор: Алексеев

МПК: H01C 7/00

Метки: активного, мера, сопротивления, четырехзажимного

...ло точек присоединения поте ццальцых проводников соответственно к противоположным поверхностям диска,На чертеже представлена в разрезе описываемая мера сопротивления.5 Она состоит пз двух коаксиально располо.женных токопроводящих цилиндров: внутрен.него 1 и наружного 2. С одного конца обацилинлра замкнуты накоротко диском 3,являющимся резцстивным элементом меры.О К наружной поверхности диска прцсоелцнецпотенциальный проводник 4, а к внутренней -- через отверстие 5 - потенццальньшпроводник 6.Полное сопротивление четырехзажцм ноймеры, определяемое как отношение напряжения (у между потенциальными проволццкавцк току 1, прохолящему через меру, булст равно четырехзажпмному омцческому сопрот)шлспшо ме)ы т)рц выполнении "словия:) вс= ) ав-....

Номер патента: 491161

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Болгарина, Фищева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в качестве проводящей фазы соединение рутения, стекло, например свинцовоборосиликатпое, и органическое связующее,Из этого материала, высокое содержание в котором окислов рутения и окислов ннобия делает его дорогим и дефицитным, получаются резисторы с большим температурным коэффициентом (до - 800 10 -"-/ С).В предлагаемом резистивном материале с целью расширения диапазона удельных сопротивлений и снижения ТКС в качестве соединения рутения использован его гидрооксихлорид при следующем количественном соотношении исходных компонентов (вес, %): Гидрооксихлорид рутенияСвинцовоборосиликатноестекло 57,7 - 74,7Органическая связка 20,1 - 26,05 Входящсе в пасту стекло состоит из следующих компонентов (вес. %): Стекло 54,69 - 61,90 вес....

Номер патента: 491162

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Красов, Могилева, Пушкина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...(вес.Окись свинцаОкись висмутаОкись кремнияОкись алюминияОкись магнияРезисторы на основе эго материала имеот уд, птивлснне квадрата р6=2. - Т,С вкв кв125 С составляет (1 - 6)от 60 ло 20 С- - (0,3 -р позипт Оньн матс пользован лля расширения номенкларнлных интегральных микросхем.П р и м е р 1. Резнстивная пастаОксь индия 4,55Окись серебра 9,0Палл алий 11 Л 5Стекл освязка 75Составленную композицию усрелнкратым просевом через капроновоячейками 65 тк,т.При приготовлении пасты примеганическую связку на основе ланолноошковой композиции), сиз ланолина, вазелинового масла исанола в весовых соотношениях 15:ветственно.Композиционный материал перемсвязкой в винтовой мешалке с о(до 40 С) .Резисторы пз этой пасты имели у491162 Предмет...

Номер патента: 495714

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Безруков, Болгарина, Шибалова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...примерами получения рсзистивного материала с указанием крашпх значений для максимума, минимума и среднего диапазоны величин сопротивления резисторов при толщине слоя 25- - 30 мкм.Для Л=-2- - 5 Момквадрат двуокись олова, легированная пятпокисью сурьмы и пяти- окисью тантала 50 - 58 все. Оо, стекло 30 - 32,5 вес. ,о, органическое связующее 16,5 - 18 вес. ",Ь при температуре оожига 800 С.Для Я = 00 - 100 Момквадрат дв окись олова, легированная пятиокисью сурьмы и пяти- окисью ниобия 33 35 вес. о, стекло 46 - 00 вес.,д, органи сскос св 5 зюцсс 16,7 - 19,3 вес. Оо при температуре обжига 750 С.Для 0=500 Мом - 1 Гом,квадрат двуОкись ОГова, легированна 5 Пя Гиокпсь 10 сурэмы; п 5 т 101 псь 0 ниоби 51 11 - -13 все. :о, стекло 70...

Номер патента: 500546

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Варфоломеев, Колдашов, Красов, Крылова, Миронова, Пуронене

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...из окиси олова и пятсурьмы, тщательно перемешиваютстеклом для усреднения состава.О этого добавляется органическое свна основе ланолина, вазелиновогоциклогексанола, взятых в весовыхшениях 15:3:1, и смесь перемешивручную или на винтовом смесителпература обжига 800 С, удельное то тем, чт следуюшие а териал со(в вес, % жи компоненть вместе соПослеязуюшее Окись олова-7 асла и соотноаетсяТем 2 ятиокись сурьмь Стеклосвяз Органическ-6 оверхно 5 е носится к получению резитолстопленочных резистоязку и органическоеэтот материал устойч и и имеет небольшо противлений. изобретения - расши иова, 3. М, Пу.ронене,Миронова500546 Окись оловаПятиокись сурьмыСтеклосвязка 5,71034,1 2-2 0 1 0-60 15-20 Пятиокись сурьмыСтеклосвязка Органическое связующее Соста...

Номер патента: 501423

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Дунаев, Марков, Таипов, Химченко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...схемы (тип подложки, материал изолирующего слоя, рабочая температура) в составе резистивного материала могут быть использованы свинцовоцпнкоборатное или свинцовобороснлнкатное секла.Вв-дение никеля и использование в качестве проводящей составляющей никель-палладиавой системы в виде твердого раствора позволяет получить следующие характеристики резистивных элементов: воспроизводимость номиналов не хуже +10%, температурный коэффициент сопротивлений - ( - 50 - -+150) 10 - 1/град. Введение никеля в проводящую составляющую позволяет исключить миграционные эффекты, что повышает воспроизводимость номиналов резистивных элементов, Никель-палладиевая система упорядочивает процесс спскапня, уменьшает температурный коэффициент сопротивлений...