Способ отработки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 119 1)5 6 11 С 17/О И ЗОБ аучно-производственсная Заря"еккер, А,А.Заколдаев,миника, Сер, 8,логия и стз Управлендартирограмми рован Изобретение тельной технике и но для програм полупроводников наю.цих устройст мых логических мЦель изобрете ни отбраковки. миклизаподложку 1, конл 3 полупроводлупровбдника и СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Ленинградское нное объединение "Кр(56) Электронная техние качеством, метроция, вып.8(78), 1979,Инструкция поРЮО,308,024 ИЗ. относится к вычисли- может быть использовамирования микросхем ых постоянных запомив (ПЗУ) и программируеатриц (ПЛМ),ния - сокращение времеНа фиг,1 представлена структура росхемы; на фиг.2 - усройство для реа ции способа отбраковки.Микросхема содержиттактные выводы 2, кристалника, активный слой 4 покрышку 5 корпуса.Устройство для отбраковки микросхем содержит основание 6 камеры 7 с теплоотводом 8, контактное устройство 9, микросхему 10, кабель 11, измеритель 12 электрических 1695385 А 1(54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МИКРОСХЕМ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем постоянных запоминающих устройств и программируемых логических матриц, Цель изобретения - сокращение времени отбраковки. Поставленная цель достигается за счет того, что между верхней и нижней поверхностями микросхемы создают градиент температурного поля, при котором на входы микросхемы подают информационные сигналы. Длительность воздействия градиента температурного поля не превышает 3 - 5 мин, 2 ил. параметров, нагревател 1 13,разъем 14 и устройство 15 управления.Способ отбраковки заключается в том, что микросхему размещают в камере 7 и производят нагрев верхней поверхности кристалла 3 (фиг,1). В результате этого в кристалле 3 возникает градиент температуры.Под действием градиента температуры в кристалле. 3 (фиг,1) возникает поле термомеханических напряжений.В поле термомеханических напряжений деградационные процессы развиваются более интенсивно: происходит локальное перераспределение ионов примеси, образуются группы вакансий, что приводит к появлению микропор, развиваются локальные термомеханические взаимодействия, Кроме того, изменяется ширина запрещенной зоны кремния, сме1695385 Ф,1-Фие. г Составитель С.КоролевРедактор А.Лежнина Техред М,Моргентал Корректор О,Кравцо оеытиям при ГКНТ СССР аз 416 ВНИИ 1 ираж Подпи нного комитета по изобретениям и о 3035, Москва, Ж, Раушская наб 4 осударс Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. агарина, 101 щается уровень Ферми, в деформированных микрообъемах полупроводника происходит перераспределение электронов между уровнями, что изменяет концентрацию носителей заряда в зоне, В этих условиях более интенсивно происходят деградационные процессы, изменяющие расчетные параметры структуры микроприборов схемы, и, следовательно, выявляются скрытые дефекты потенциально ненадежных микросхем 10,После создания градиента температурного поля между верхней и нижней поверхностями кристалла 3 на адресные входымикросхемы 10 подают информационныесигналы и производят отбраковку микросхем10 по электрическим параметрам выходныхсигналов. Длительность воздействия градиента температурного поля не превышает3 - 5 мин,Устройство, реализующее предлагаемый способ отбраковки, работает следующим образом,Микросхему 10 фиг.2) устанавливают вконтактное устройство 9 камеры 7, Затем с помощью устройства 15 управления включают соединенный через разьем 14 поверхностный нагреватель 13, Для длительногоподдержания градиента температур контак 5 тное устройство 9 с размещенной в нем микросхемой 10 устанавливают на теплоотвод8, После создания градиента температурного поля производят контроль параметроввыходных сигналов на соответствие нормам10 и требованиям ГУ измерителем 12 электрических параметров, подключенным к контактному устройству 9 кабелем 11.Формула изобретенияСпособ отбраковки микросхем про 15 граммируемых постоянных запоминающихустройств, заключающийся в том, что микросхему помещают в термокамеру, подаютинформационные сигналы на входы микросхемы, определяют годность микросхемы20 пс сигналам на ее выходах, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью сокращениявремени отбраковки, между верхней инижней поверхностями микросхемы создают градиент температурного поля,25 при котором на входы микросхемы подаютинформационные сигналы,