Накопитель для запоминающего устройства

Союз Соаетсннд Соцналнстнчесннк РеснубпнкОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ оо 830574 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51)М. Хл з 6 11 С 11/22 с присоединением заявки йо Государственный комитет СССР по дедам изобретений н открытий.6(088.8) В. А. Завадский, Ю. П. Заика и . Г(72) Авторы изобретения СаЬофалов"О г,ческЫ; инстнтутзсощцлистическойочи. Киевский ордена Ленина политех им. 50-летия Великой Октябрьскреволюции(54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА,за Изобретение относится к запоми" нающим устройствам.Известен накопитель, содержащий пластину из сегнетоэлектрического материала, на противоположные стороны которой нанесена система электродов. Такой накопитель выполняется в виде интегральной микросхемы, обеспечивающей многократное воспроизведение записанной информации без ее разрушения 1 .Однако этот накопитель не обеспечивает высокой плотности упаковки инФормации из-за неполного использо-. вания объема сегнетоэлектрической пластины. Наиболее близким техническим реше. нием к изобретению является накопи-. тель, содержащий сегнетопьезоэлек О трическую пластину, на одной стороне которой расположены электрод возбуждения и электрод записи, а на другой- электрод возбуждения, выходные электроды, разрядные электроды, подключенные к выходным электродам и от стоящие друг от друга на расстоянии, равном длине механической волны, распространяющейся в объеме сегне-. тоэлектрической пластины 21. Однако этот накопитель обеспечивает невысокую плотность размещения информации нз-за того, что, исходя из требования надежного выделения информационных сигналов, расстояние между выходными электродами должно быть не менее длины механической в лны, распространяющейся в объеме пластины при считывании информации. Это снижает инФормационную емкость накопителя.Цель изобретения - увеличениЕ информационной емкости накопителя.Поставленная цель достигается тем, что в накопитель для запоминающего устройства, содержащий сегнетопьезоэлектрическую пластину, на одной стороне которой расположены первый электрод возбуждения и параллельно ему группы разрядных элентродов, отстоящих от первого электрода возбуждения и друг от друга в пределах каждой группы на расстоянии длины механической волны, распространяющейся э сегнетопьезоэлектрической пластине, и подключенных к выходным электродам, расположенным перпендикулярно разрядным электродам групп, на другой стороне сегнетопьезоэлектрической пластины напротив первого электродавозбуждения располохен второй влек трод возбуждения и параллельно ему располокены электроды записи по числу разрядных электродов в каждой группе, нанесенные напротив разрядных электродов, введены третий и 5 четвертый электроды возбухдения, дополнительные электроды записи и выходные электроды и дополнительные группы разрядных электродов, причем третий электрод возбуждения расположен на одной стороне сегнетопьезоэлектрической пластины перпендикулярно первому электроду возбуждения, а параллельно третьему электроду возбуждения в промежутках между разрядныМ Г ми электродами групп располохены.Э дополнительные электроды записи, отстоящие друг,от друга на расстоянии длины механической волны, распространя.ощейсы н сегнетопьезоэпектрической пластине, на другой сторо не пластины напротив третьего электрода ьозбуждения расположен четвертый электро-. возбухдения и параллельно юлу напротив дополнительных электродов записи расположены дополнительные группы разрядных электродов, подключенных к дополнителъныл выходным электродам, расположенным перпендикуляр 11 О разрядным электро дам дополнительных групп.На чертеже показана конструкция накопителя для заполинающего устройства.Основой конструкции накопителя является сегнетопьезоэлектрическая пластина 1. Ба одну сторону пласти.ны 1 нанесен первый электрод 2 возбуждения и параллельно ему первыегрупп (на чертеже М,2) разрядных электродов 3, отстоящих от электросда 2 возбуждения и друг от друга в 40 пределах каждой группы на расстоянии длины механической волны. Разрядные электроды 3 в пределах каждой группы подключены к соответствующим выходным электродам 4. На дрУгую стсрону пластины 1 против первого электрода 2 возбукдения нанесен второй электрод 5 возбуждения и параллельно ему против разрядн х электродов 3 электроды б записи. На одну сторону пластины 1 перпендикулярно первому электроду 2 возбуждения нанесен третий электрод 7 возбухдения и параллельно ему нанесены дополнительные электроды 8 записи, отстоящие друг от друга на расстоянии, равном длине механической волны. На другую сторону пластины 1 против третьего электрода 7 возбуждения нанесен четвертый электрод 9 возбуждения и параллельно ему дополнительные к групп 60 (на чертехе =2) разрядных электродов 10, Разрядные электроды 10 в пределах каждой группы подключены к соответствующим дополнительным выходным. электродам 11. Длина разряд- у ных электродов 3 и 10 значительно превышает их ширину. Поляризация сегнетоэлектрического материала между электродами возбуждения 2,5 и 7,9 образуется приложением электрического напри;кения к указанным электоодам и в процессе эксплуатации не изменяется,Информация в накопитель может заноситься как при изготовлении, так и при эксплуатации. для этого достаточно приложить электрическое напряжение между соответствующим выходным электродом и электродом записи (например, между одним из выходных электродов 4 и одним из электродов 6 записи). В результате в зоне перекрытия выбранного разрядного электрода 3 и электрода б записи устанавливается постоянное значение поляризации, причем величина и направление вектора поляризации однозначно определяется полярностью и величиной приложенного напряхения записи. Направление поляризации в зонах перекрытия электродов 3,6 и 10,8 может быть различным и характеризует хранимый инфор" мационный массив. При подаче импульса электрического напряжения на электроды 2 и 5 возбукдения происходит считывание информации, записанной в зонах перекрытия разрядных электродов 3 первых групп разрядных электродов и электродов б записи. В результате обратного пьезоэфФекта в зоне перекрытия электродов 2 и 5 возбуждения возникает волна механической деформации, Фронт которой параллелен электродам 2 и 5. По достижении волной разрядных электродов З,в силу прямого пьезоэффекта в выходных пьезопреобразователях, образованных в зонах перекрытия электродов 3 и электродов б записи, поочередно наводятся электрические сигналы, полярность которых определяется записанной информацией. Размещение разрядных электродов 3 на расстоянии, равном длине механической волны, исключает наложение сигналов в выходных электродах 4 при считывании информа" ции. Аналогично при подаче импульса электрического напряжения на электроды 7 и 9 возбуждения происходит считывание информации, записанной в зонах перекрытия различных электродов 10 и электродов 8 записи.Ориентирование выходных пьезопреобразователей по.двум ортогональным координатам позволяет производить независимое считывание по каждой из координат и вдвое увеличивает информационную емкость накопителя. Ввиду того, что длины разрядных электродов больше их ширины, выходные сигналы от механической волны, считывающей инфорлацию по одной пространственной координате, фронт которой параллелендлинной стороне разрядного электро.да, больше, чем сигнал помехи от волны, опрашивающей выходные пьезопре" образователи, расположенные по ортогональной координате.ЭфФективноСть предлагаемого накопителя для запоминающего устройства проявляется при проектировании матричных запоминаищих устройств, в которых благодаря размещению запоминанщих элементов по двум пространственным координатам возможно не только вдвое увеличить информационную емкость устройств по сравнению с известными при прежних габаритах, но и вдвое сократить количество сервисного оборудования (усилители считывания и Формирователи записи),Формула изобретения20Накопитель для запоминающего устройства, содержащий сегнетопьезоэлектрическуь пластину, на одной стороне которой расположены первыйэлектрод возбуждения и параллельно 25ему группы разрядных электродов,отстоящих от первого элекТрода возбуждения и друг от друга в пределах,каждой группы на расстоянии длины механической волны, распространяющейсяв сегнетопьезоэлектрической пластине, и подключенных к выходным электродам, расположенным перпендикулярноразрядным электродам групп, на другой стороне сегнетопьезоэлектрическойпластины напротив первого электрода возбуждения расположен второйэлектрод возбуждения и параллельно ему расположены электроды записи почислу разрядных электродов в каждойгруппе, нанесенные напротив разрядных электродов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью увеличенияинформационной емкости накопителя,он содержит третий и четвертый элек-,троды возбуждения, дополнительныеэлектроды записи и выходные электроды и дополнительные группы разрядных электродов, причем третий электрод возбуждения расположен на одной стороне сегнетопьезоэлектричес" .кой пластины перпендикулярно первому электроду возбуждения, а параллельно третьему электроду возбуждения впромежутках между разрядными электродами групп расположены дополнительные электроды записи, отстоящиедруг от друга на расстоянии длины механической волны, распространяющейся в сегнетопьезоэлектрической пластине, на другой стороне пластины напротив третьего электрода возбуждения расположен четвертый электродвозбуждения и параллельно ему напротив дополнительных электродов записи расположены дополнительные группыразрядных электродов, подключенных кдополнительным выходным электродам,расположенным перпендикулярно разрядным электродам дополнительныхгрупп,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1.Авторское свидетельство СССРУ 55 б 497, кл. С .11 С 11/22, 1975.2. Авторское свидетельство СССРпо заявке Р 2579347/18-24,кл, О 11 С.11/22. 1978 (прототип).830574 ф .1 Э Составитель В. РудаковМ. Циткина Техред М. Рейвес Редакт Швыдкая рек