Патенты с меткой «высокотемпературных»

Номер патента: 1762334

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лысенко, Мардилович, Мухуров, Сидоренко

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумных, высокотемпературных, диэлектрических, интегральных, схем

...способные удерживать молекулярный СО 2,При добавках в З -ный раствор Н 2 С 20 менее 0,2 Н 2304 после отжига при Т1100 К диэлектрические детали содержат включения как щавелевой, так и серной кислот, При увеличении концентрации Н 2304 от 0,4% и вплоть до 4 о , можно добиться, что в решетку будут внедряться только ионы серной кислоты, Однако при таком содержании Н 2304 в электролите формируется оксид обладающий, особенно после отжига, очень низкими прочностными характеристиками (в связи с этим такой оксид совершенно не пригоден для изготовления диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС) и содержащий большое количество сорбированной воды. Только добавки Н 2304 в количестве 0,2 - 0,4% позволяют формировать диэлектрические...

Номер патента: 1009160

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Воробьев, Гершт, Добрынин, Занина, Кигель, Савченко

МПК: B04C 5/20, F22B 1/18

Метки: высокотемпературных, газов, запыленных, циклон-охладитель

...14, подводящие трубопроводы 13 и подводящий коллектор 9, В ширмы 11 и 12 вода поступает через вертикальные трубы 6,При нагреве воды вырабатывается пар, который в виде пароводяной смеси отводится через отводящие коллекторы 8 и 16. Выполнение циклона с ширмами 11 и 12, установленными в полости 10 выходного патрубка 5, увеличивает поверхность теплообмена, что повышает эффективность охлаждения газов. Тому же способствует выполнение стенок выходного патрубка 5 газоплотными, что обеспечивает прохождение всего газа через патрубок 5, его экрана - в виде вертикальных труб б и 7 с кольцевыми коллекторами 8 и 9, а ширм 11 и 12 в виде 1-образных труб, подключенных к трубам 6, что позволяет разместить в полости 10 максимальное количество...

Номер патента: 1767541

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Логинов, Шумилин

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературных, полых, сверхпроводящих, типа

...габаритах и сложных формах,Слой полибутилметакрилата может быть нанесен намазкой, пульверизацией или каким-либо другим методом,Второй - защитный слой содержит более 80 об.)ь оксида циркония, Количество оксида циркония определяется следующим. При содержании менее 80% происходит перегрев нижнего слоя до температуры кипения полибутилметакрилата, в результате чего начинается интенсивное газовыделение, приводящее к образованию трещин в покрытии из материала У-Ва-Св-О. Количество оксида циркония на поверхности оправки желательно иметь 100 об.%.как идеальный вариант, что невозможно. Поэтому оптимальным вариантом является содержание оксида циркония в количестве более 80 об.% и, чем больше приближено к 100 об,%, тем лучше. При концентрации в...

Номер патента: 1589690

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...6 высокотемпературной сверхпроводящей керамики УВа 2 Соз 07-х размером частиц 1-5 мкм под1589690 ают со скоростью 50 мкг/мин на испаритель3 вдоль поверхности на расстоянии 1-2 ммперпендикулярно потоку 7 испаряемого вещества, Поток бесконтактно испаренногопорошка в течение 4 мин осаждают на подложку 5, выполненную в виде диска диаметром 15 мм из мо окристалла ЯгТ 10 з,расположенную на расстоянии 3 см от испарителя и нагретую до 300 С. Охлаждение докомнатной температуры подложки с пленкой проводят естественным путем,В результате без дополнительного отжига получают высокотемпературнуюсверхпроводящую пленку УВа 2 Сцз 07-х диаметром 15 мм и толщиной 0,8 мкм. Поверхность пленки является зеркально гладкой ине содержит включений других...

Номер патента: 1781415

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Ершов, Колесникова, Сушкова

МПК: E21B 33/138

Метки: высокотемпературных, материал, тампонажный, условий

...на скважинах с температурой на забое выше 110 С, а также высокие материальныезатраты на изготовление состава из-за наличия синтетического фенола.Целью изобретения является увеличение прочности тампонажного камня и уде- а шевление материала.Тампонажный материал получают путем смешения нефтяного шлама, формалина и концентрированной серной кислоты в цементировочном агрегате до .образования пастообразной массы,Нефтяной шлам является отходом производства, который образуется н; стадии1781415 Нефтяной шлам,содержащий 8-16 нефти,образующийся при первичнойподготовке нефти 84,5-89,0Формалин 8,3-12,6Серная кислота 2,2-3,4 Составит Техред М Корректор Л.Филь ь В. Теклееворгентал эктор Заказ 4262 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета по изобр...

Номер патента: 1787046

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Горлов, Крейнина, Мухина, Харичко

МПК: B01J 8/06

Метки: высокотемпературных, печь, проведения, процессов, трубчатая

...в средней части камеры радиации; на фиг, 2 - схема и форма расположения штуцеров в реакторе, на фиг, 3 - разрез А-А на фиг, 2; на фиг. 4 - разрез Б-Бна фиг. 3.Трубчатая печь включает (фиг. 1) камеру 1 радиации с одним рядом вертикальных труб 2, заполненных катализатором, Входной 3 и выходной 4 коллекторы расположены вне камеры радиации. Ввод паросырьевой смеси осуществляется через газоподводящие трубки 5 в среднюю часть реакционной трубы. Выход пирогаза производится через верхний и нижний 4 продуктовые коллекторы, Продукты сгорания выходят через газоход 6, расположенный в средней части камеры радиации, Камера5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 конвекции 7 расположена в верхней части печи по ходу продуктов сгорания. Газоподводящие трубки 5...

Номер патента: 1788919

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Алексеев, Бокшицкий, Ильинская, Левинзон, Новоселова, Поднебеснов

МПК: B21C 23/22, B32B 15/02

Метки: биметаллическая, высокотемпературных, проволока, тензорезисторов, элементов

...металлов и сплавов (правило Муи), Приемлемыми материалами по величине указанного параметра являются сплавы системы никель - медь, Однако они имеют преимущество перед сплавами системы никель - хром только до 400 С и не могут считаться перспективными из-за низкой жаростойкости.Оценивая недостаточные служебные характеристики существующих монометаллических материалов, в качестве объектов исследования были выбраны композиционные материалы в виде биметаллической проволоки на основе систем никель - хром/никель-медь. При этом учитывался положительный и отрицательный характер температурной зависимости,На фиг. 1 изображено относительное изменение электросопротивления сплавов- составляющих композиционных материалов при нагреве в интервале 20 -...

Номер патента: 1791447

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Рудой

МПК: B01D 53/34, C10K 3/00

Метки: высокотемпературных, газов, модификации, состава, технических

...печей или конвертеров от токсичных компонентов с одновременной технологической утилизацией их тепла,Далее сущность изобретения поясняется примерами осуществления способа на экспериментальном стенде, схема которого показана на чертеже. П р и м е р 1; Стенд имеет последовательно подключенные один кдругому газогенератор 1, имитирующий сталеплавильный агрегат по составу технических газов, регулируемый проточный электронагреватель 2, на выходе которого можно поддерживать температуру газов, характерную для разных периодов работы сталеплавильных агрегатов, и футерованный изнутри огнеупорным материалом ци"линдрический вертикальный газовый конвертер 3, оборудованный щтуцерами 4для отбора проб газа,Газогенератор 1 имеет в донной...

Номер патента: 1798614

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Мазепа, Судаков

МПК: G01B 5/30

Метки: высокотемпературных, испытаниях, крепления, образце, экстензометра

...для измерения деформаций образца при высоких температурах.Целью изобретения является повышение надежности крепления за счет регули.рования усилия поджима ножек экстензометра к образцу.Осуществление способа иллюстрируется чертежом,К образцу 1 прижимают экстензометр 2 путем охвата его ножек 3 петлями 4, соединяют петли с упругим элементом 5 типа цилиндрической пружины, закрепленной через механизм регулирования 6 усилия прижима ножек к образцу типа болта-гайки и механизм измерения усилия в виде динамометра 7 к неподвижной опоре 8. Закрепление возможно в условиях испытаний образца в печи 9. Динамометром регулируют натяжение упругой связи. При растяжении или сжатии образца вдоль оси(57) Изобретение относится к области испытания материалов...

Номер патента: 1809019

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кириченко, Клопотовская, Коробкин, Лукина, Малютин, Моргунов, Фесенко, Щукин

МПК: E21B 43/27

Метки: высокотемпературных, карбонатных, коллекторов, состав

...соблюдалось условие стехиометрического избытка массы мрамора надреакционным составом. После затухания5 реакции оставшуюся часть образца промывали дистиллированной водой, просушива 0ли при 100 С до постоянной массы иопределяли потерю массы. По разности потери массы образца мрамора, отнесенной к10 объему использованного реакционного состава определяли удельную растворяющуюспособность реакционного состава в гл.Корроэионную активность заявляемыхсоставов оценивали на плоских образцах15 стали, изготовленных из натурных трубгруппы прочности Р, гравиметриче-,ским методом при температуре 96+ 2 С за3 ч их экспонирования в соответствии с ГОСТ9,502-82 с последующей оценкой по СТ20 СЭВ 4815 - 84.Результаты выполненной экспериментальной проверки...

Номер патента: 1651704

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котелянский, Кравченко, Лузанов, Соболев

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

...высокотемператур, ного отжига пленка может быть охлаждена до более низкой температуры (от 500 С до комнатной) в инертной атмосфере, затем вновь нагрета до 830- 950 С и охлаждена уже в кислородсодержащей атмосфере.20П р и м е р 1. На подложку НГО/ /7 Оз (фианит) с ориентацией (111) с помощью магнетрона напыляют пленку УВаСцОтолщиной 0,8 мм. Структуру пленка - подложка нагревают винертной атмосФере до 950 Г, выдерживают при этой температуре 5 мин, заменяют азот на кислород и охлаждают структуру со сГсоростью 200 О/ч, Плен" ка имеет четко выраженную текстуру ЭО с осью перпендикулярно подложке (сильные отражения типа ООЕ), температуру перехода в сверхпроводящее состояние83 К и величину Л при 77 К 5 "х 10 з А/см. 35П р и м е р 2, На...

Номер патента: 1817841

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Сафронов

МПК: G01L 19/00

Метки: высокотемпературных, газа, давления, потоков

...воды, расходомер 7 дляизмерения расхода воды иотсечной клапан8 для пуска и остановки подачи воды.Устройство работает следующим образомПредварительно проводится тарировкапотерь давления воды на участке от точки Бсоединения трубки 3 и трассы 4 до входногоотверстия насадка А. Для этого.при известном давлении Ро открывают отсечной клапан 8 и, изменяя степень открытйя вентиля6, измеряют расходомером 7 расход воды Ой манометром 2 давление Рм в точке б,Поскольку Ь Р = Рм - Ро, то в результатетарировки получают зависимость Ь Р от 6.Измерение полного давления в потокевысокотемпературного газа производят следующим образом.Открывают отсечной кран 8 и вентилем6 задают расход воды, достаточный для предотвращения закипанйя воды в насадке...

Номер патента: 1819358

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Баранов, Достанко, Погребняков, Укадер

МПК: H01L 39/22

Метки: высокотемпературных, микромостиков, сверхпроводников, формирования

...ВТСП-пленка, 3 - фоторезист, 4 - ионы Н, 5 - область слабой связи.Предлагаемый способ формирования пленочного микромостика иэ высокотемпературного сверхпроводника реализован следующим образом.Пленки УВаСиО наносились ионно-лучевым распылением композитной керамической мишени стехиометрического состава на установке вакуумного напыления УВН на подложки из М 90, ЯгТ 10 з, УБЕ и имели характеристики с Тс = 90-92 К, Тс = 1-2 К, После формирования с помощью фотолитографии дорожки шириной 10 - 50 мкм с контактами для проведения измерений четырехэондовым методом на поверхность структуры наносился слой фоторезиста и вскрывались окна под контактные площадки, Ширинка дорожки определялась, исходя из условия стабильности пленки и ее свойств при...

Номер патента: 1826021

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ведь, Казаков, Ливсон, Сатарин, Скрипка, Фаворская

МПК: G01N 3/18

Метки: высокотемпературных, изгиб, испытаний, образцов, хрупких

...устройство включает также стакан 8 с пальцем 9, на который свободно навешен пуансон 4, При этом пуансон 4 снабжен промежуточной призмой 10, расположенной параллельно пальцу 9. Ребро при вершине промежуточной призмы 10 обращено к пальцу 9 и при нагружении образца 5 примыкает к торцу стакана 8, Под углом 90 к промежуточной призме 10 на пуансоне 4 установлена нагружающая призма 11, оппозитно размещенная относительно промежуточной призмы 10, т,е, таким образом, что ребро при вершине нагружающей призмы 11 при испытаниях взаимодействует с образцом 5. В связи с проведением испытаний при высоких температурах основные элементы, входящие в состав нагружающего устройства, а именно пуансон 4, призматические ножи 6, валки 7, стакан 8, палец 9 и...

Номер патента: 1082097

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Гершт, Добрынин, Занина, Кигель, Мазаник

МПК: F22B 1/18

Метки: высокотемпературных, газов, запыленных, охладитель, циклон

...трубами 21;.соединенными-. пар; который в виде пароводяной смеси от-. проставками 22, например, из металличв водится через отводящие коллекторы 8 и 16.ского листа с образованием гаэоплотного Охлажденныев циклоне газы покидаютэкрана, Проставки 22 защищены от тейло- его через выходной патрубок Ь. а отсепаривых ударов ребрами 23 (Фиг.5), К трубам 21 рованная пыль в горячем состоянии (приподсоединены -образные трубы 24 тепло- . температуре 450 ОС) под действием сиобменнйх ширм различного радиального 10 лытяжестиицентробежныхсилпросыпаетраэмера, установленных с чередованием. сявбункер 2 О,гдеинтенсивноохлаждаетсяТрубы 24 ширм симметрично разведены с за счет контактас конвективными радиацирасчетным. шагом, обеспечивающим...

Номер патента: 2002582

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Боровинская, Гарибян, Лорьян, Мержанов, Торосян

МПК: B22F 3/12

Метки: высокотемпературных, дисилицида, молибдена, нагревателей

...ч, нагрев стержней в окислительной среде,Сущность способа заключается в следующем. Порошок дисилицида молибдена с размерами частиц 5 10 мкм, полученный любым иэ известных способов, но преимущественно методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), помещают в барабан с мешалкой, к нему добавляют смесь монтморилонита (пластификатора) в количестве 5-7% от массы дисилицида молибдена с водой и, в некоторых случаях 5-7% этилового спирта или борной кислоты. Полученную смесь (пульпу) сушат в фильтр-прессе до влажности 12- 18% в течение 6-8 ч, Затем влажную массу эагрукают в бункер шприц-пресса и формуют стержни заданных размеров. Сформованные стеркни укладыва,от в графитовые лодочки и нагревают для спекания в водородной...

Номер патента: 2003066

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Годлевский, Градов, Ивашин, Кондрусев, Сулинов

МПК: G01M 15/00, G01R 29/12

Метки: высокотемпературных, газовых, параметров, струй

...1 и 2 и представляющий собой переменное элект рическое сопротивление, соединен параллельно с известным сопротивлением 13 (на фиг.2 это сопротивление В 2/220 К). Электрический сигнал при наличии высокотемпературной газовой струи поступает в 40 усилитель 11 и далев регистрируется прибором 12.Схема усилителя приведена на фиг.2.(56) Солохин Э.П. Испытания авиационных воздушно-реактивных двигателей. М.: Ма шиностроение, 1975, с.300-302.Патент США В 432507, кл. 6 01 В 5/28,О 01 й 29/12, 1982. Формула изобретения 50УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ГАЗОВЫХ СТРУЙ, содержащее электроды, установленные на выходе из сопла 55 источника газовой струи, и измерительную цепь, отличающееся тем, что, с целью...

Номер патента: 1547241

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Волков, Кривошеин, Мощалков, Пелевин, Третьяков, Шабатин

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, керамических, сверхпроводников

...апд и 1,"5(гаг - Обозначениятока и сопротивления В папса 8 чном л пса"дальном направлениях соответственна.ПОрошак сверхпООВ(ДЯЦего составаУВагС(3 О 7-х, пгредставл 8 Кы; пластикчзтыми монокристаллами (0,6 + 0,2;.км,;.",;,;,78 ЗИРУОт МВТОДОМ ГВЬЕОДО(раЗНО"; Реа(ЦИИ 3СМЕСИ и КОДНЫХ ОКСИ Ов ,. Пасла(ЧЗИ;размадам гОлу енноо спе.а, М"-.,и.Г,.пОесс-формы 1, вьпол-Внн и;. Не., н,. наго материала (титан) -с: , ":;,;:-.,- В:,.:. иастат с жидким азатом, В ка;па,- - : ,дтОднородное пастОяннае ."айаг.: д,Оа (; ",епри помощл аксидно-бари-":Вь пас-, сянн,х,магнитов) напряжеОсть;:;. ат . ла 1 О к.". (Вразличных апь;тах;. Г араша св-;.ОхпоВ;."ЩВГО состава 4 засыпают в ,а;Оицу сав.-.мерно па Глошади дна, и, Оп:.;,аясь на дО матрицы, сн образует слой....

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...

Номер патента: 2004523

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Шабанов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, проводимости, сверхпроводников, типом, электронным

...отжига образца 860 С выбрана экспериментально, При более низкойтемпературе МНаМОз не улетучивается пол 10 ностью, что приводит к ухудшению качествакерамики и оптимальные значения физикохимических параметров не достигаются,Увеличение температуры влечет за собойпотерю таллия, нарушение стехиометриче 15 ского состава образца; он становится двухфазным, а сверхпроводящие свойства резкоухудшаются,Время отжига 10 мин также подобраноэкспериментально, При уменьшении време 20 ни отжига не достигаются максимальныезначения физико-химических характеристик образца, при увеличении времениони резко ухудшаются. Так экспериментально установлено, что длительный отжигв течение 96 ч при 690 С приводит к резкому ухудшению свойств сверхпроводника(Тс =40...

Номер патента: 2005113

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Чернов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, оксида, основе, сверхпроводников, таллия

...залючается в следующем.Оксид металла вводится в предшест венник одновременно с Т 20 з. ННЙОз и ВаГг. Введение нитрата аммония ликвидирует дефицит кислорода в образце, а введение фторида бария обеспечивает оптимальные условия кристаллизации об разца и определяет морфологию частиц; рующую добавку: в одном случае 0,2 М 2 г 02, в другом - 0,2 М НЮ 2, смесь перемешивают, прессуют таблетки и отжигают в течение 7 - 10 мин при 860 - 872 "С,На чертеже приведена температурная зависимость магнитной восприимчивости образцов полученной керамики Т 12 гз Как видно из чертежа, при модифицировании только оксидами металлов (без добавления ВаР 2) наблюдается очень малая концентрация сверхпроводящей фазы и значительное уширение сверхпроводникового...

Номер патента: 1723847

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бабийчук, Космына, Некрасов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ на основе сложных оксидов, включающий расплавление исходных компонентов в тигле, выдержку, кристаллизацию путем медленного охлаждения, отделение кристаллов и последующее быстрое охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, их выхода и удобства извлечения, расплавление и кристаллизацию проводят в двойном тигле, внутренний из которых имеет отверстие в дне, отделение кристаллов ведут путем подъема внутреннего тигля со скоростью не более 3 мм/ч, после чего проводят быстрое охлаждение со скоростью не более 60oС/ч.

Номер патента: 1658656

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Рубан, Свиридович, Точицкий

МПК: C23C 14/28

Метки: высокотемпературных, металлооксидных, пленок, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ, включающий испарение мишени из наносимого материала в атмосфере кислорода импульсным лазерным излучением, осаждение его на нагретую подложку и охлаждение подложки в два этапа в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и повышения технологичности процесса, испарение материала осуществляют при плотности мощности лазерного излучения 107 - 108 Вт/см2, частоте следования импульсов не более 15 Гц и давлении кислорода (0,13-13)Па, температуру подложки в процессе осаждения поддерживают в диапазоне (853-1023)К, охлаждение подложки на первом этапе проводят со скоростью не более 35 К/мин до температуры...

Номер патента: 1349382

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Дьяченко, Мазалов, Паутов, Покровский, Снетков, Тепленчук, Федоров, Чехович

МПК: F04D 7/06

Метки: вертикальный, высокотемпературных, жидкостей, насос, перекачивания, центробежный

1. ВЕРТИКАЛЬНЫЙ ЦЕНТРОБЕЖНЫЙ НАСОС ДЛЯ ПЕРЕКАЧИВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ЖИДКОСТЕЙ по авт. св. N 1291722, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности при перекачивании газосодержащих жидкостей путем предотвращения попадания пузырьков газа в пару трения подшипника, он дополнительно содержит кольцевые перегородки различного диаметра, концентрично размещенные в полости термобарьера, одна из которых, большего диаметра, закреплена на периферии импеллера, а другая, меньшего диаметра, - на поверхности термобарьера.2. Насос по п.1, отличающийся тем, что он снабжен дополнительной перегородкой, установленной на крышке корпуса и охватывающей перегородку, закрепленную на импеллере, при этом дополнительная перегородка расположена с...

Номер патента: 1478885

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Говядинов, Григоришин, Дубровенская, Полевская

МПК: H01J 5/00

Метки: вакуумных, высокотемпературных, интегральных, паяный, схем, узел

ПАЯНЫЙ УЗЕЛ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ВАКУУМНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащий диэлектрические подложки, расположенные параллельно одна другой с соосными отверстиями, тонкопленочные контактные площадки, выполненные вокруг отверстий с обеих сторон каждой подложки, ограничивающие покрытия, выполненные на контактных площадках, и металлический штыревой вывод, запаянный в отверстия подложек, отличающийся тем, что с целью повышения надежности, ограничивающее покрытие выполнено толщиной не менее 0,3 мкм из металлов элементов 5,6 периодов V, VI и VII групп с незаполненной d-оболочкой, на которые нанесено дополнительное покрытие из материала, образующего с материалом припоя твердый раствор, причем площадь дополнительного покрытия выбрана меньшей площади...

Номер патента: 1660557

Опубликовано: 30.12.1994

Автор: Соловьев

МПК: H02K 44/02

Метки: высокотемпературных, мгд, обмоток, устройств

...удаляют. Такая катушка можетбыть выполнена либо в виде кольца цилиндрических насосов, либо плоской с выступами для плосколинейных МГД-устройств(перемешивателей, дозаторов и др.),Катушку скрепляют бандажной лентой иподвергают предварительной термообработке при температуре 400 - 420 С в течение1-1,5 ч. Такая термообработка позволяетосуществить выгорание компонентов органики из электроизоляционного слоя провода, в результате чего образуется пористая 30структура на нем. После этого катушки обмотки охлаждают до температур 25 - 35 С и 35 связующего и окончательную термообработку при температуре 600-610 С с выдержкой при ней в течение 5-6 ч, отличающий- ся тем, что, с целью увеличения срока службы при одновременндм повышении 40 надежности,...

Номер патента: 1800858

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Шибанова, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12 ...

Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих

...Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется...

Номер патента: 1824024

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Бланк, Сумароков, Ткаченко, Шевцов

МПК: C04B 35/50, H01L 39/24

Метки: cu3o7-x, высокотемпературных, оксидных, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОКСИДНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ R BA2Cu3O7-x, где R металл, выбранный из группы Y, La, Nd, Eu, Gd, при котором смешивают порошки оксидов металлов, входящих в состав соединения, взятых в стехиометрическом соотношении, и полученную смесь термообрабатывают в кислородсодержащей атмосфере с последующим охлаждением и размолом полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности критического тока и уменьшения ширины сверхпроводящего перехода изготавливаемых из него изделий, полученный после размола продукт обрабатывают водным или органическим раствором кислоты общей формулы...

Номер патента: 1823732

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Скутин, Сычев, Тихомиров, Югай

МПК: H01L 39/24

Метки: y-ba-cu-o, высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, травления

...на фиг.3 - зависимость среднего числа молекул Н 20 в кластере воды от давленияар воды Рно; на фиг.4 - завсоссреднего числа молекул воды и в кластереНС пН 20; на фиг,5 - зависимость скороститравления от парциального давления кластеров воды РнотоРеакционная камера 1 представляет собой вакуумированный насосом 2 сосуд, в15 которем помещается стравливаемая пленка У-Ва-Си-О 3, напыленная на подложкуиэ ЯгТОз или сапфир, Реакционная камера1 изготавливается иэ материала химическинейтрального к хлористому водороду (молибденовое стекло, кварц, полимер и др,).В начале эксперимента в предварительно откаченную камеру 1 напускают парыводы из емкости 4 до получения давленияРн,о =7 - 11 Торр, что при температуре 17 Ссоставляет (0,5-0,7)Рнонасы,ц....