Патенты с меткой «высокотемпературных»

Номер патента: 1829818

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Григорашвили, Сотников, Фомин

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...узла на расстояние свыше 8 200 пленка обладает плохими свойствам, ввиду малой толщины и снижения эффективности использования распылительного материала, а также нестабильности работы распылительного устройства.На чертеже показано устройство для осуществления способа получения ВТСП- пленок; 1 - подложки; 2 - нагреватель; 3 - мишень; 4, - область разряда; 5 - вакуумная камера.П р и м е р 1, В качестве распылительного узла используют систему встречно размещенных магнетронов. Подложки Ег 02 или ЗгТОз диаметром до 30 мм в количестве 10 шт, нагревают до 700 С и зажигают разряд. Выходные отверстия системы напуска аргона и кислорода, нагреватель 2 подложки и входное отверстие вакуумной откачной системы, размещают на оси симметрии...

Номер патента: 1662229

Опубликовано: 27.11.1995

Автор: Хотеев

МПК: G01N 21/55

Метки: высокотемпературных, зеркального, измерений, коэффициента, отражения, спектрального

...усилителем переменного тока приемно-измерительного блока установки. В качестве эталона может быть выбрано зеркало из платины или другого материала с известными характеристиками отражения, выдерживающего температурунагрева в ходе эксперимента. Эталон и образцы должны быть одинаковой толщины, Устанавливают их по разметке на поверхности столика, как показано на фиг.З,Нижние поверхности прозрачных образцов и эталона шлифуют во изображение направленного отражения от них, а верхние - полируют, При измерении коэффициентов отражения расплавов каждый образец помещают в свою керамическую кювету, состоящую из основания и бортиков, соединенных между собой жаропрочной обмазкой, наносимой с наружной стороны кюветы. Это позволяет выполнять...

Номер патента: 1822560

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Мартынова, Никулина, Полянская, Семенов

МПК: C07F 3/00, H01B 12/00

Метки: бария, высокотемпературных, дикетоната, комплексы, пленок, полиэфирами, сверхпроводников, циклическими

Комплексы -дикетоната бария с циклическими полиэфирами общей формулыгде R1 R2 CF3, n 4; R1 R2 CF3, n 3;R1 (CH3)3C-, R2=CF3, n 4,для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников.

Номер патента: 1783940

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Булышев, Иванов, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, покрытий, сверхпроводящих

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на подложках из поликристаллической окиси алюминия, включающий приготовление суспензии из YBa2Cu3O7, формирование покрытия и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров, перед формированием покрытия формируют промежуточный слой путем нанесения суспензии на подложку и термообработки при 1100 - 1200oС в течение 5 - 20 мин с последующей закалкой при комнатной температуре.

Номер патента: 1799523

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бахвалова, Волков, Данилов, Иванова, Ковалев, Овчинников, Фокина

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, сверхпроводников

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников, включающий измельчение исходных солей и/или оксидов, гомогенизацию, отжиг, охлаждение, измельчение спека, введение оксида таллия (III), прессование таблеток и заключительный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры, содержания сверхпроводящей фазы в образце и исключения потерь таллия, одновременно с оксидом таллия в шихту вводят 1,0 - 2,0 моль нитрата калия в расчете на один моль исходного вещества, при этом заключительный отжиг проводят при температуре 850 - 870oС в течение 5 - 10 мин.

Номер патента: 1163691

Опубликовано: 27.08.1999

Автор: Всесоюзный

МПК: F16K 15/04

Метки: высокотемпературных, клапан, обратный, сред

Обратный клапан для высокотемпературных сред, содержащий корпус, в котором размещены шаровой запорный орган и коническое седло с вертикальной осью с выполненными на уплотнительной поверхности кольцевыми проточками, имеющими конический профиль и образующими, по меньшей мере, один уплотнительный выступ с острой вершиной, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности клапана, проточка заполнена легкоплавким металлом, температура плавления которого ниже температуры рабочей среды, причем нижняя поверхность проточки выполнена с возможностью ее смачивания расплавом, а часть верхней поверхности, примыкающая к вершине уплотнительного выступа, и запорный орган - с возможностью ее...

Номер патента: 1760926

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аникина, Земцов

МПК: H01M 2/20

Метки: высокотемпературных, материал, соединения, электрического, электрохимических, элементов

1. Материал для электрического соединения высокотемпературных электрохимических элементов, включающий оксид хрома, оксиды редкоземельных элементов и кальция, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводимости при высоких температурах в окислительно-восстановительной среде, он дополнительно содержит оксид щелочного металла при следующем соотношении компонентов, мол.%:Оксид редкоземельного элемента - 30 - 46Оксид кальция - 4 - 20Оксид щелочного металла - 2 - 10Оксид хрома - Остальное2. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида щелочного металла используют оксид лития3. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида...

Номер патента: 1752155

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Иванов, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, иттрий-бариевых, сверхпроводников

Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в облучении сверхпроводника потоком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения значений плотности критического тока и температуры перехода в сверхпроводящее состояние, облучением потоком электронов нагревают сверхпроводник до 400-620oC и выдерживают его при этой температуре в течение 40-60 мин, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в сверхпроводнике, d - толщина сверхпроводника.

Номер патента: 1632313

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Матвеев, Матвеева, Черных

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в нанесении на кристаллическую подложку пленки высокотемпературного сверхпроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения структурных свойств, в качестве материала кристаллической подложки используют сплав висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат. %:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 1363989

Опубликовано: 20.12.2001

Авторы: Неваева, Соколов, Тебелев

МПК: G01N 30/34

Метки: высокотемпературных, окислительного, органических, превращения, продуктов, радиационно-термического, теплоносителей

Способ определения продуктов радиационно-термического и окислительного превращения высокотемпературных органических теплоносителей путем пропускания анализируемой пробы через колонку с силикагелем, элюированием органическими растворителями с последующим детектированием разделенных компонентов на выходе из колонки, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности способа, элюирование осуществляют последовательно гексаном, смесью н-гексана и хлороформа при объемном соотношении 9:1, смесью хлороформа и гексана при объемном соотношении 3:7, хлороформом, смесью хлороформа и изопропанола при объемном соотношении 9,8:0,2, изопропанолом при объемном соотношении между элюентами, равном...

Номер патента: 1436750

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Близнюк, Гуровский, Киянский, Лыхин

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературных, нанесения, покрытий, провода, сверхпроводящие, электроизоляционных

Способ нанесения высокотемпературных электроизоляционных покрытий на сверхпроводящие провода, при котором провод погружают в электролит, содержащий силикат и гидросиликат щелочного металла, создают на проводе положительный потенциал 100-1000 В и выдерживают до образования покрытия требуемой толщины, отличающийся тем, что, с целью интенсификации технологического процесса и расширения области его применения путем нанесения покрытия на сверхпроводящие провода с матрицей из меди или ее сплавов, используют электролит, дополнительно содержащий наполнитель из окиси алюминия или окиси кремния или их смеси в количестве 2-40 об.%, в виде порошка с размером частиц 0,1-10 мкм, а положительный потенциал...

Номер патента: 1284433

Опубликовано: 10.02.2006

Авторы: Алексеева, Сивенков, Скопич, Чугунов

МПК: H01L 21/78

Метки: высокотемпературных, тензорезисторов, формирования

Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.