Патенты с меткой «типом»

Фантастронный генератор на двух транзисторах с взаимно противоположным типом проводимости

Загрузка...

Номер патента: 475727

Опубликовано: 30.06.1975

Автор: Фролов

МПК: H03K 4/50

Метки: взаимно, генератор, двух, проводимости, противоположным, типом, транзисторах, фантастронный

...па длительность и амплитуду генерируемого напряжения, обусловленных нестабильностью входной характеристики коммутирующего транзистора, значительно уменьшится, а стабильность амплитуды и длительности генерируемого напряжения возрастет.После выхода рабочей точки коммутирующего транзистора на крутой участок его входной характеристики произойдет опрокидывание схемы, коммутирующий транзистор 8 перейдет в насыщенное состояние, а времязадающий конденсатор 1 начнет зарякатися от источника питания через промежуток эмиттер - база интегрирующего транзистора 4, прямое сопротивление диода 6, промежуток эмиттер - коллектор насыщенного коммутирующего транзистора 8 и прямое сопротивление 5 диода 3. Зарядный ток времязадающего конденсатора...

Способ определения гидрофильной поверхности веществ или площадей гидрофильных участков для веществ со смешанным типом поверхности

Загрузка...

Номер патента: 1293571

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Квливидзе, Краснушкин, Язынина

МПК: G01N 15/08

Метки: веществ, гидрофильной, гидрофильных, площадей, поверхности, смешанным, типом, участков

...температурах выше 260 К указанная пропорциональность нарушается за счет плавления воды в капиллярах и на гидрофобной поверхности. Нижний предел температур связан с малой толщиной пленки воды, что приводит к недостаточной точности измерения Ы.,Зависимость между измеряемым количеством незамерзшей воды М.(7.) и величиной гидрофильной поверхности2Я (м /г) образцов выражается формулойЯ = К(Т)11Методика измерения количества незамерзшей воды методом ЯМР описана в литературе и состоит в следующем.Первоначально образцы стественной влажности или увлажненные (в том случае, когда Р/Рэ ( 0,9) подвергались охлаждению в жидком азоте в течение одной минуты, а затем нагревались до одной иэ рабочих температур в интервале 220-260 К. Эта процедура...

Подседельный узел велосипеда с открытым типом рамы

Загрузка...

Номер патента: 1454739

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Кустов, Сербин, Ходырев, Чернышов

МПК: B62K 19/36

Метки: велосипеда, открытым, подседельный, рамы, типом, узел

...В верхней плоскости хомута выполнено отверстие диамет,ром чуть больше диаметра трубы седла. ;В задней (по ходу велосипеда) боковой ,поверхности выполнено для прохода упорного болта отверстие несколько большего диаметра, чем диаметр резьбы болта. Внутрь ,хомута вставляется квадратная, прямоуголь,ная или шестигранная гайка 2, боковыми гранями плотно контактирующая с боковыми внутренними стенками хомутапрепятствующими ее проворачиванию. Снаружи через заднее боковое отверстие в гайку вворачивается болт 3, после чего этот подсобранный узел свободно надевается на подседельную трубу рамы 4, в которой предварительно выполнен У-образный паз 5, образующий лепесток 6, центр которой располагается на уровне осевой линии болта 3. При дальнейшем...

Способ определения времени искусственного осеменения животных с влагалищным типом

Загрузка...

Номер патента: 1711865

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Казеев, Карташова, Старченкова

МПК: A61D 19/02

Метки: влагалищным, времени, животных, искусственного, осеменения, типом

...расчетом, чтобы при прикрытии покровным стеклом границы этих капель соединились, но не слились воедино. Затем препарат помещают под микроскоп и ведут наблюдение за поведением спермиев.Характер взаимосвязи спермии - шеечная слизь оценивают по следующим реакциям;. Уживотного вне состояния половой охоты спермии свободно двигаются в своей среде и совершенно не реагируют на шеечную слизь. При электронной микроскопии1711865 Составитель А. ФилипповаТехред М.Моргентал Корректор И. Эрдейа Редактор.Мгбандура Заказ 483Тираж Подписное ВНИИХИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская йаб 4/5 Проиааодстааиио.иадатапьокид комбинат "Патаит", г. ужгород, уа.Гагарина, 101 такой слизи ячеистая...

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников с электронным типом проводимости

Загрузка...

Номер патента: 2004523

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Шабанов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, проводимости, сверхпроводников, типом, электронным

...отжига образца 860 С выбрана экспериментально, При более низкойтемпературе МНаМОз не улетучивается пол 10 ностью, что приводит к ухудшению качествакерамики и оптимальные значения физикохимических параметров не достигаются,Увеличение температуры влечет за собойпотерю таллия, нарушение стехиометриче 15 ского состава образца; он становится двухфазным, а сверхпроводящие свойства резкоухудшаются,Время отжига 10 мин также подобраноэкспериментально, При уменьшении време 20 ни отжига не достигаются максимальныезначения физико-химических характеристик образца, при увеличении времениони резко ухудшаются. Так экспериментально установлено, что длительный отжигв течение 96 ч при 690 С приводит к резкому ухудшению свойств сверхпроводника(Тс =40...