Патенты с меткой «высокотемпературных»

Номер патента: 1567948

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Бережецкая, Захаров, Осмоловский, Пасичный, Пилиповский, Фролов

МПК: G01K 17/00, G01N 25/00

Метки: высокотемпературных, газовых, потоков, торможения, энтальпии

...потоком гдзз не происходи 1 11 я Обрязцдх легированной кварцевой ст клокерзмцки срыва пленки с боковой ПО".,1 хцти 1 е наблюдалось до ЗО с нагрева.1 хоэф)1(с 1 (дзификациц мнотоно возрдс гдст 1 рц улицниц энтдльции торможе я и црсделдх цогре(ности эксп"рименцс здви г( л плотности и степени прс)-тц ч 11 рц;сца (ле(ирО.нгк Окиськ) ,сч:1 к1 сук кердми, рас; мдтривде 11 Х 1 ОЦЯХ Цс( РС 1 с ЫОЖЦО С(ИДТЬ НЕПРО- р 111 ). 11 ор.то.ть Образцов кар(,евой сг к,1 к р;(чнкц, цз, Отолеццых из (ликера ЦО:С 11 ОГ Сс 1,.(Д, ЦДХДИЛДСЬ ЦРС,С.(ДХ,х )Сфп(СНц 1ЗЗИфИК(ццц )И ОСОЯН- цох сд (внии ",ц(,(льпии торм ьения не мен 51 гс 5джс если п 1)и этом и мсняются тмцерд,1, (ц)с рхнол и и гецлой поток1;с, з(;(емый .и соб можнО примсця( 1;к, ус.цясцях 1(ягревд,...

Номер патента: 1583708

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Авруцкий, Дон, Лейзерович, Складчиков, Яновский

МПК: F17D 3/00

Метки: автоматизированного, высокотемпературных, диагностирования, паропроводов

...специализированное вычислительное устройство или ЭВМ 9. В составе устройства 9 показаны блок 10 обработки результатов измерений температур металла датчиками 7, блок 11 обработки результатов измерения длин пружин подвесок 5, блок 12 обработки результатов измерения перемещений датчиками 6, блок 13 обработки измерений давления датчиками 8, блок 14 определения перемещений в реперных точках, подключенный к блокам 10 и 13, блок 15 сопоставления расчетных и фактических значенчй перемещений, получаемых на выходах блоков 14 и 12, блок 16 определения скачкообразных изменений расширений на выходах блока 12, блоки определения напряжений 17 в паропроводе и нагрузок 18 со стороны паропровода на цилиндр 3 турбины по величинам на выходах блоков 12, 13...

Номер патента: 1605165

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Беседин, Иевлев, Ильин, Панченко, Чуркин

МПК: G01N 1/22

Метки: высокотемпературных, отбора, подготовки, проб, пылегазовых

...поле температур и концентраций водяных паров происходит перемещение газа в направлении, перпендикулярном направлению движения потока. Образовавшаяся жидкость стекает в химический фильтр 5 и в конденсатоотводчик 4, а часть ее попадает в испярительную камеру 20, испаряется, смешивается а газом и вновь поступает на охлаждение в диффузиофоретическую камеру 6. Очищенный и охлажденный газ, выходящий из диффузиофоретической камеры, имеет невысокую абсолютную влажность, до 50 г/м, но высокую относитель- ную влажность около 100 . Чтобы избежать искажения показаний газоанализатора 11 за счет конденсации влаги на его чувствительных элементах, .газовый поток перед входом в газо- анализатор подогревается, таким образом относительная...

Номер патента: 1622699

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Батов, Корелов, Мирошниченко

МПК: F16K 49/00

Метки: высокотемпературных, кран, сред, шаровой

...работы эа счет снижения контактных напряжений на уплотнительных поверхностях.На чертеже изображен кран, разрез.Шаровой кран содержит охлаждаемые корпус 1. поворотный сферический запорный орган 2 с каналом 3 для прохода рабочей среды, самоустанавливающиеся седла 4 с уплотнительной кольцевой поверхностью в виде сферической упругодеформируемой охлаждаемой металлической стенки 5 и шпиндели 6 для поворота запорного органа 2, Седло 4 и торец упругодеформируемой стенки 5 соединены посредством мембран 7 с корпусом 1, образуя герметичную полость 8, соединенную каналами подвода 9 и отвода 10 охлаждающей среды (например, воды) для охлаждения и управления поджатием седел 4 и стенок 5 к запорному органу 2. В корпусе 1, запорном органе 2 и шпинделях...

Номер патента: 1626137

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Кириченко, Харьковский, Черпак

МПК: G01N 22/00

Метки: высокотемпературных, полях, сверхпроводников, свойств, электромагнитных

...резонатора 1 определяются выражениемп=Сп/1 О,где С - скорость света в свободном пространстве;О - замедление волны в резонаторе;- длина пути волны между отражателями, на которой укладывается и длин волн,Изменение Ь и 8 при изменении температуры или замене образцов характеризуют изменение соответственно мнимой идействительной части импеданса исследуемой части поверхности образца. При этомучитывается, что в длинувходит глубинаскин-слоя д образца. Определяем изменение глубины скин-слоя ЬдЬд=К ЬФ/Е 1 т 2,.где К-Со/О - постоянный коэффициент дляданного и, соответствующего 11 и 12 при ихмалом различии Ь 1= 12-11, что соответствует реальным Ьд,По непосредственно измеряемым резонансным частотам 11 и 12 определяется изменение глубины скин-слоя....

Номер патента: 1636643

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Бианчин, Бойерман, Гелер, Гроссе, Клаусницер, Ридель, Франке, Шингниц

МПК: F23M 11/04

Метки: высокотемпературных, оптических, передачи, перископ, пространства, реакторов, реакционного, сигналов

...в сторону сужения насадка 6 незамкнутымиветвями разной длины, наклоненнымипод углом, превышающим угол конусности насадка 67 з;п. ф-лы, 6 ил, 5163664 больше угла сужения внешней поверх ности насадка 6, а суммарная площадь проходного сечения щелей 8 в последнем превышает соответствующую площадь его центрального отверстия 7Сквозные щели 8 насадка 6 выполнены тангенциальными, Кроме того, сквоз ные щели 8 расположены по насадку 6 вращательно-симметрично и выполнены криволинейными в виде части эллипса с направленными в сторону сужения насадка 6 незамкнутыми ветвями 10 и 11 разной длины, наклоненными под углом, превышакщим угол конусности насадка 6Насадок 6 в зоне переднего торцо вого среза выполнен с наружным цилиндрическим...

Номер патента: 1637849

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Волобуев, Гончаренко, Гризодубов, Денисенко, Маслов, Свертилов

МПК: B01D 53/18

Метки: высокотемпературных, газов, комплексной

...работает следуюшим образом,Технологические газы печи 1 с температурой 900 С направляются в термоблочный рекуператор 4, отдают часть тепла воздуху, подаваемому на горелки 2 печи 1. Воздух в рекуператоре 4 нагревается до 180 - 200"С, а технологические газы охлаждаются до 650 - 430 С и поступа;от в скруббер-реактор 5 полного испарения, Газы контактируют в скруббере-реакторе 5 с мепкораспыленными каплями содового раствора, который готовится в емкости 12 и через фильтр 13 насосом 14 подается на форсунки 16, Кроме того, в скруббер-реактор 5 пневмотранспортом из бункера 7 подаются с помошью вентилятора 15, струйного насоса б часть пыли и порошкообразной содьь Во время прохождения технологических газов в скуббере .происходит испарение...

Номер патента: 1655961

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Иванов, Рыжих, Тавадов, Тактаров

МПК: C07C 15/14, C07C 7/10

Метки: бензола, выделения, высокотемпературных, кубовых, органических, остатков, пара-терфенила, пиролиза, теплоносителей

...что соответствует чистоте 99,9%, Зкстракцию проводят при 30 С и отношении бензол - остаток, равном 1:1, Смещение бензольных экстрактов остатка экстракции отгона с остатком зкстракции кубового продукта дает 77,9 г ВОТ состава, мас.0 : о-Тф 12,2; м-ТФ 62 8; и-Тф 8,4; Кф 16,6,П р и м е р 5, Обработку сырья проводят, как пример 4, но экстракцию осуществляют при 15 С и отношении бензол - ТФ, равном 4;1, Получают 83 г ВОТ состава, мас. ,: о-ТФ 15,0; м-Тф 54,7; и-ТФ 7,6; КФ 22,7, Экстракцию остатка для выделения и-ТФ проводят при 30 С и отношении остаток экстракции -0бензол, равном 1:3, получают 41,4 г и-Тф с температурой плавления 204 - 207 С, что соответствует чистоте 99,90 . 105,6 г ВОТ состава, мас.70: о-Тф 9,9; м-Тф 65,9; и-Тф 7,8; Кф...

Номер патента: 1656433

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Ахматова, Барченков, Колоднер, Кузнецов, Молотов, Мохов

МПК: G01N 25/62

Метки: влажности, высокотемпературных, газов, психрометрический

...для конденсации влаги, содержащее устройство 3 для отвода тепла, и соединенный с ним конденсирующий элемент 4 из материала с высокой теплопроводностью, снабженный внутренней полостью 5, угол наклона поверхности которого больше угла скатывания капель влаги. Конденсирующий элемент 4 снабжен внутренней полостью 5, В стенках полости 5 выполнены отверстия 6, направленные в полость 5 под углом, большим угла скатывания капель влаги, Внутренняя полость 5 снабжена сливным отверстием 7 в нижней части конденсирующего элемента 4, которое находится над влажным термометром 2. Внутренняя полость 5 конденсирующего элемента 4 отделена от устройства 3 для отвода тепла 3 теплопроводной перегородкой 8.Преобразователь работает следующим образом.При...

Номер патента: 1657989

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Гуськов

МПК: G01L 19/00, G01L 19/04

Метки: высокотемпературных, давления, насадок, полного, потоков

...полости корпуса 4. У герметизированного конца корпуса 4 размещен вваренный в его стенку штуцер6, служащий для подсоединения в процессе измерений внутренней полостикорпуса 4 к источнику газа высокого. давления (на чертеже не показан),На приемную трубку 2 нанизаны шаровые элементы 7 с отверстием, выполненные иэ материала с меньшей, чему материала приемной трубки 2 и фланца 3, температурой плавления, например из алюминия. Лиаметр элементов 7,а также размеры и форма отверстийвыбирают таким образом, чтобывыбирают такими, чтобы элементы 7,свободно могли перемещаться вдольприемной трубки 2 внутри корпуса 4,не заклиниваясь на изгибе трубки икорпуса, Так, отверстия в элементахцелесообразно выполнять расширяющимися (см. чертеж). 11 ля...

Номер патента: 1658057

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Лобанов, Цыганков, Чабан

МПК: G01N 27/00

Метки: высокотемпературных, параметров, сред

...и алюмцната цинка. Способпозволяет одновременно получатьинформацию об изменении температуры и о достижении аварийной температуры объекта, т,е. непрерывный контроль температуры сочетается с дублированньм сигналои на строго определенную аварийную температуру 640 -650 С. 1 ил. На чертеже представлены температурньге зависимости комгозццци 2 пО:А 1 01 ц соединения ЕпА 1 04 2,4Совпадение температурных зависимостей при температурах 640-650 Собуславливается началом твердофазного взацглодействия между оксиддмицинка и алюминия с образованиемфазы 2 пА 104,.а наличие участка сближеция связано с появлением и ростомколичества, фазы ЕпЛ 104 в межкристаллических контактах поликрцсталлов,1658057 рОна Составитель И.СоколоТехред...

Номер патента: 1659771

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Бонн, Доброчивер, Ледяев, Осипов, Романов

МПК: G01N 1/24

Метки: высокотемпературных, газов, запыленных, отбора, проб

...жидкую серу до уровнягидроэатвора 6. Входную трубку 2 вводят в газовый поток, гээ, проходя по трубке, поступает в расплав жидкой серы, в которой происходит конденсация паров элементарной серы и осаждается пыль. Далее газ движется между входной трубкой 2 и перегородкой 4 поднимается вверх, снова опускается по кольцевому пространству между перегородками 4 и поступает в расплав серы. Установка цилиндрических перегородок позволяет пропускать отобранный газ несколько раз через расплав жидкой серь 1, что позволяет исключить проскок серы и пыли в пробу газа, поступающую на анализ,Пройдя последнюю перегородку, гаэ проходит между нагревателями 5, где происходит окончательная его очистка зэ счет конденсации серы и осаждение пыли на широкой...

Номер патента: 1675410

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Карепов, Крашенинников, Кулаков, Николаев, Рязанов, Сидоров

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...до комнатной температуры, Температурный интервал перехода об165410 Формула изобретения Способ обработки монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов путем их выдержки при повышенной температуре в атмосфере, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, выдержку осуществляют при 250 - 380 С в кислородно-озонной смеси, содержащей в 5 об.Я озона, в течение 1 - 2 ч. Таблица 1 оТемпература отжига, С Температуратермообработки,С,(время 1,5 ч) 230 250 280 300 330 350 380 400 Температурный интервал перехода дТ, КУВаСц 3 О,Т КВ. Бг СаСц О 94-93 94-85 94-93 94-93 94-75 94-90 94-92 94-93 80-22 80-75 80-76 80-76 80-77 80-65 80-77 80-77 Т а б л и ц а 2 Время термообработки,...

Номер патента: 1679327

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Кузьмин, Панков, Черепенников

МПК: G01N 25/00

Метки: высокотемпературных, органических, стойкости, теплоносителей, термической

...Составитель С.ХарламовРедактор Н.Лазаренко Техред М,Моргентал Корректор Т.Малец. Заказ 3207 Тираж 369 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиями при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производстненно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 1 в молекуле; Ъ - заряд ядра 1-го элемента;С - сумма электронных слоев в молекулежидкости, С = ХпС; С - сумма электронныхслоев в атоме 1-го элемента, М-молекулярная масса ВОТ, кг/моль; В - коэффициент,определяемый молекулярным строением жидкости, имеющий значение: В,89 для жидкостей, имеющих К 1100"=506,127 для жидкостей, у которых К 1 100=1,41,6097,Пример осуществления способа для дифеноксидикреэоксисилана (ДФДКС), Температура плавления...

Номер патента: 1692661

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Бакланов, Баранов, Гоголидзе, Кутепов, Сухонос, Чичаев

МПК: B04C 5/24

Метки: высокотемпературных, жидкостей, осветления

...В камере 1 расположена внутренняя спираль 8, а в верхней и нижней частях камеры 2 размещены фланцы 9, предназначенные для вертикального соединения нескольких установок в единую секцию.Установка для осветления высокотемпературных жидкостей работает следующим образом,Подвергаемая осветлению высокотемпературная жидкость подается под давлением через тангенциально установленный патрубок 3 в камеру 1, Благодаря наличию в камере 1 спирали 8, а также тангенциальной установке патрубка 3 исходная жидкость, поднимаясь по камере 1, стабилизируется, что позволяет увеличить коэффициент теплоотдачи, Кроме того, происходит выравнивание давления по сечению аппарата, благодаря чему исходная жидкость равномерно распределяется череэ тангенциальные...

Номер патента: 1702269

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Веневцев, Калева, Колганова, Политова, Томашпольский

МПК: G01N 23/227, H01L 39/00

Метки: высокотемпературных, качества, сверхпроводящих

...эоны) проявляется при содержании кислорода, близком к стехиометрии, При потере кислорода происходит изменение в электронной структуре сверхпроводника. заклнчающееся, в частности, в непрерывном ум: ньшении концентрации свободных носителей .- зоне проодмоси с ростом дефицита кислорода. В этом случае независимо от донорн ого или акцепторного типа проводимости число эмиттированных вторичных электронов будет возрастать за счет уменьшения электрон-электронного взаимодейств я, Таким образом, уровень вторичной электронной эмиссии в ВТСП-материалах является функцией степени кислородного дефицита, цто позволяет провести измерения относительного содержания кислорода, Для абсолютных измерений следует применять эталоны.Определим возможность...

Номер патента: 1614694

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Буданов, Гребцова, Гуров, Домашнева, Куркин, Торбова, Троицкий

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературных, оксидных, сверхпроводящих, соединений

...0 Облегчает последующю гомОгениэа 5 ю материала и позволяет сократить35 вр мя. термообработки при 9 ООС до, 2-3 ц, получая при этом однОФаэиый св рхпроводящий материал строго задай- ного состава с высокой Однородностью Щ рапределення компонентов и соответстенно с более узким переходом в сврхпроводящее состояние, Значение параметра С, определяющего количест" в Нитрата аммония, ограничено с одИО 5 стороны условием полного раство" рефия оксидов и карбонатов металловр с другой. Стороны - условием предот врфщйния сильнОГО газовыделения с вьюросом смеси из объема реагирования50прв 1 разпожепии Несвязанного избытка : нитРата а 15 мониЯЯрПримеры конкретной реализации спо со 1 а, П р н и е.р 1; Состав исходной сме55 " Сн ОКСИДОВ И...

Номер патента: 1715712

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Долгих, Поповкин, Стефанович, Холодковская

МПК: C01G 29/00, H01L 37/00

Метки: висмута-теллура, высокотемпературных, качестве, оксобромиды, пироэлектриков

...печь отключают ичерез 8 ч (время остывания) достают из нееампулу, в которой заметны пары брома. По 5 спетого, как ампулу вскрывают, избыточныйбром улетучивается.Получение оксобромида висмута-теллура формулы В 14 Тег 09 Вгг. Смешивают 3,05 гВ 10 Вг, полученного на стадии выше, 1,60 г10 ТеОг и 2,33 г В 1 гОз марки о.с.ч., перетираютв агатовой ступке и загружают в кварцевуюампулу, которую вакуумируют и отпаиваютв соответствии с вышеописанной методикой. Эвакуированную ампулу помещают в15 вертикальную трубчатую печь и нагреваютпри 650 +20 С в течение 3 недель. СкоростьувелиЧения температуры в данном случаероли не играет. По окончании отжига ампулуизвлекают из печи через 8 ч после ее отклю 20 чения. Получают целевой продукт с количественным...

Номер патента: 1730576

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Дубровина, Каменцев, Лугинин, Позднякова

МПК: G01N 27/26, G01N 31/16

Метки: активного, высокотемпературных, кислорода, материалах, медьсодержащих, сверхпроводящих

...неудобства в работе. Способ осуществляют следующим образом.В ячейку установки для потенциометрического титрования, снабженную герметичной крышкой с вставленными в нее индикаторным платиновым и вспомогательным хлорсеребряным электродами, газовводной и газоотводной трубками и кончиком бюретки, помещают 20 мл 4 М (1;2) соляной кислоты, стержень магнитной мешалки и, закрыв ячейку крышкой, пропускают в течение 10 мин ток углекислого газа для вытеснения воздуха из ячейки, а также растворенного кислорода из раствора соляной кислоты. Не прерывая ток углекислого газа, в ячейку вводят пипеткой (или из бюретки) точно отмеренный объем 0,1 И раствора хлорида титана (11) в 4 М соляной кислоте, например, 20 - 25 мл. Вслед за этим в раствор вносят...

Номер патента: 727071

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Гильдерман, Земцов, Неуймин, Пальгуев

МПК: H01M 2/20

Метки: высокотемпературных, материал, соединения, топливных, электрического, элементов

...этот материал, дешевый и стабильный, имеет малую электропро" 2(4) (57) МАТЕРИАЛ Д)1 Я ЭЛЕКТРИЧЕСК СОЕДИНЕНИЯ БЫСОКОТЕМГ 1 ЕРАТУРНЫХ ТО ЛИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, состоящий из ок лов, включающих окись хрома, о т ч а ю щ и й с я тем, что, с целью вышения электропроводности, в кач ве окислов взяты окись редкоземел го элемента и окись кальция при с ющем соотношении компонентов, масокись хрома 20-50 окись редкоземель, ного элемента 20"50окись кальция 4"30. водность при высоких температурах в окислительных и особенно в восстанови" тельных атмосферах.Цель изобретения - повысить электропроводность материала.Для этого предлагаемый материал дополнительно к окиси хрома содержит окись редкоземельного элемента и окись кальция при следующем соотноше" нии...

Номер патента: 1733515

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...сверхпроводников в системе В 1 Зг-Са-Сц-О с одинаковой температуройперехода в сверхпроводящее состояние.Использование скоростей свыше 5 мм/чухудшает условия гомогениэации расплава.С момента изменения напряжения наиндукторе (т 4) скорость перемещения тигля устанавливают 0,01 - 0,8 мм/ч и поддерживают до полной кристаллизациирасплава, после чего увеличивают скорость.перемещения тигля до 10 мм/ч, реализуетсяотжиг полученного материала (область Ч).Уменьшение скорости перемещениятигля меньше 0,01 мм/ч не улучшаетсвойств полученных монокристаллов повоспроизводимости температуры переходав сверхпроводящее состояние Тс измененной при сопротивлении, близком к нулю, носущественно снижает Тс этих кристаллов.Увеличение скорости перемещения тигля...

Номер патента: 1733948

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Беседин, Иевлев, Ильин, Панченко, Соболев

МПК: G01N 1/22

Метки: высокотемпературных, отбора, подготовки, проб, пылегазовых

...эа счет непрерывного регулируемого байпасирования.При изменении давления в пылеосадительной камере 2 и гаэозаборной трубке 3 происходит изменение расхода газовой пробы, изменение положения поплавка 19 ротаметра 14 и изменение положения сердечника дифференциально-трансформаторного датчика 20, связанного штоком с поплавком 19. При этом нарушается баланс сигналов датчика 20 и эадатчика 21 расхода.Устройство 22 сравнения и регулирования10 20 25 30 40 лиза. 45 50 55 определяет величину сигнала рассогласования, обрабатывает его и подает на магнитный усилитель 23, Затем усиленный сигнал поступает на исполнительный механизм 24. Воздействие исполнительного механизма 24 передается регулировочному вентилю 13, который изменяет в соответствии с...

Номер патента: 1735912

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Кобзенко, Корнюшин, Мельников, Морозовский, Немошкаленко, Никитин, Павлюк, Пшенцова, Шпак

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературных, керамических, металлооксидных

...поток атомов кислорода в заготовку при охлаждении 20 (1), определяемый по формуле также стремится к нулю (где О - коэффициент диффузии кислородных вакансий; Кр - равновесная концентрация кислородных вакансий при температуре Т; Ом - энергия миграции вакансий; О - энергия образования кислородных вакансий; к - постоянная Больцмана), При увеличении скорости охбТлаждения увеличивается и температур-бтбТный градиент, соответственно формулебу(1) увеличивается и поток атомов кислорода 1. Однако из-за конечности коэффициента теплопроводности, начиная с некоторой скорости Чт процесс становится "квазиадиабатическим", т,е, охлаждение становится настолько быстрым, что за время охлаждения практически нет отвода тепла с заготовки и создается...

Номер патента: 1737283

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Бобицкий, Готра, Демкович, Ляшенко, Морев, Семерак, Тоган

МПК: G01K 7/02

Метки: высокотемпературных, проволочных, стабилизации, термопреобразователей

...излучения для Фиксированного знацения плотности энергии Е=700 Цж/см,2на фиг. 4 представлена зависимость, скорости рекристаллизации вольфрама от плотности энергии лазерного излучения для фиксированной длительности импульса1 мс.ЛУстройство (см. Фиг. 1) содержит обрабатываемую проволоку 1, оптицес кий квантовый генератор (лазер) 2, механизм 3 поддува инертного газа и механизм ч для обеспечения поступа 37283 4тельно-вращательного движения проволокиКак видно из фиг. 1, происходитрезкий нагрев поверхностных слоеввольфрама при больших скоростях нагрева и больших градиентах температурыдо половины длительности импульса,во второй половине происходит уменьшение скорости нагрева и перераспре-.деление температуры по глубине.Как видно из...

Номер патента: 1742659

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Киселев, Сачко, Скоков, Тишко, Хорольский, Чернухина

МПК: G01L 19/04, G01L 19/06

Метки: высокотемпературных, давления, датчик, сред

...при разрыве не ниже 10 МПа,На фиг,1 показан датчик, общий вид; нафиг.2 - мембрана до установки в датчик.Датчик для определения давления высокотемпературных сред содержит штуцер25 1, в котором установлен чувствительныйэлемент 2 (например, тензорезисторныйдатчик давления типа ВТ в 2 по ТУ ВТ2.832,017), уплотненный фторопластовойпрокладкой 3. Мембрана 4 (фиг.2) из эла 30 стичного материала, в которой выполненаполость в форме части сферы радиусом В,равным 1,2 - 1,6 диаметра рабочей частимембраны Ом, ограниченной внутреннимдиаметром втулки б, имеет толщину и в ее35 центре, равную 0,6 - 0,8 ее толщины периферийной части Н. Мембрана 4 установлена вштуцере 5 и закреплена с помощью втулкиб и гайки 7, Штуцер 5 снабжен по наружномудиаметру...

Номер патента: 1749055

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Ивлев, Чечель

МПК: B30B 15/34

Метки: высокотемпературных, сверхпроводников

...ского тока и критической температуры ющей температуре синтеза керамики, и сверхпроводимости.последующей выдержки при этой темпера- П р и и е р. Смесь порошков ВаРр 7,00 г,У 20 з 2,46 г, СцО 4,74 г) брикетируют и помеНачертежепоказаноустройстводляре- щают в матрицу, Собирают устройство, исализации способа. 10 пользуя в качестве рабочего тела медь. иСпособ осуществляют следующим об- помещают его в печь. Медленно в течение6 ч повышают температуру до 1000 С,Мелкодисперсный порошок изготавли- при этом давление на образец составляет вают по обычной методике из компонентов 27 МПа, Затем в течение 1 ч снижают темпесверхпроводящей керамики (например, 15ратуру до комнатной, Полученный керамиВаГъУгОз, СиО).Затемпорошок 1 насыпа- . ческий...

Номер патента: 1751868

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Ким, Рожевецкий

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: высокотемпературных, термостатирования, электрорадиоэлементов

...хладагента, необходимое для охлаждения термостатируемого элементадо его рабочей температуры - стационарный режим работы устройства. Максимальные по амплитуде колебания хладагента в корпусе образуются при положении радиатора на высоте 1/4 длины корпуса от основания, Таким образом, термочувствительные элементы изменяют свои линейные размеры в соответствии с температурой термостатируемого элемента и соответственно перемещают его относительно 1/4 длины корпуса, что соответственно приводит к увеличению или уменьшению амплитуды колебания хладагента в корпусе устройства, т,е. к уменьшению или увеличению дозы хладагента на термостатируемый элемент. Частота колебаний хладагента в полости корпуса устройства равна или кратна собственной...

Номер патента: 1751296

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Долганская, Крутикова, Новохатская, Рудомино, Рябова, Шарипов

МПК: E21B 33/138

Метки: высокотемпературных, крепления, скважин, состав, тампонажный

...с добавками амифолаобъясняется значительным его влиянием накинетику фазообразования в цементномкамне,Физико-химические исследования(диффе рен циал ьно-термический анализ,рентгенофазовый анализ, электронная мик-роскопия) образцов.,:,Приготовление тампонакного раствораосуществляют затворением вяжущего водным раствором аминофола, Из полученногораствора в соответствии с ГОСТ готовят.образцы-балочки 2 х 2 х 10 см, Образцы твердели в агрессивной среде - 5%-номраствореМ 9504:М 9 С 12 - 9:1 в течение одного года,Образцы испытывают в соответствии сГОСТ на прочность через 2, 30, 90, 180, 270,360 Сут твердения, О сохранении антикоррозионных свойств судили по величинепрочностй тэмпонажного камня,Сравнительная характеристика тампонажных составов...

Номер патента: 1755884

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Андреев, Закиров

МПК: B01D 46/00, B01D 46/02

Метки: высокотемпературных, газов, фильтр

...герметизации установлен сильфон 17, В стакане 14 установлен источник механических колебаний 18, Выходной патрубок 3 посредством трубопровода 22 соединен с теплообменнымэлементом в виде змеевика 19, расположенным в пылесборнике 4 и соединенным с вибросушилкой 8 через вентилятор 20,Фильтр тонкой очистки может быть выполнен в виде одного или нескольких рукавов,Фильтр работает следующим образом, Очищаемый газ от котлоэгрегата, нагретый до 350-400 С, поступает во входной патрубок 2, в котором газ разгоняется до скорости, превышающей в 2-2,5 раза первоначальную, При этом наиболее крупные . частицы отбрасываются в пылесборник 4.Из патрубка 2 через продольную щель газ ъбступает в пространство между корпусом 1 и фильтром грубой очистки 5, где...

Номер патента: 1762175

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Кращенко, Марченко

МПК: G01N 3/18

Метки: высокотемпературных, испытаний, нагреве, образец, прочность, током, электрическим

...выполненных с осевымипрорезями с образованием двух параллельных ветвей в каждой захватной части, согласно изобретению одна из захватныхчастей с переходным участком и рабочий5 10 15 20 30 35 40 45 50 55 участок расположены в прорези другой захватной части, переходной участок которойрасположен в прорези первой, а ветви этихчастей во взаимно перпендикулярных плоскостях,Описанный образец предназначен,прежде всего, для оценки влияния на прочность ряда факторов, присущих исходнойструктуре большинства композиционныхтеплозащитных материалов; различная укладка армирующих волокон, вариация ди-а метров волокон, неравномерноераспределение связующего и волокон, наличие пор в матрице.Предложенная конструкция образцапозволяет повысить интенсивность...