Патенты с меткой «структурой»
Защитный шлем с многослойной структурой
Номер патента: 1355230
Опубликовано: 30.11.1987
Автор: Сорока
МПК: A42B 3/02
Метки: защитный, многослойной, структурой, шлем
...для защиты головы летчика от повреждений.5Цель изобретения - повышение защитных свойств.На чертеже изображен предлагаемый шлем, разрез.Шлем содержит наружную оболочку 1, промежуточную оболочку 2 с клапанами 3. Пространство между этими оболочками заполнено жидкостью 4. Внутренняя оболочка 5 связана с дополнительной оболочкой 6, а пространство 1 между этими оболочками заполнено газом 7, например, воздухом, азотом. При пользовании шлемом в статическом состоянии пространство между промежуточной и дополнительной оболочками заполнено жидкостью 8, Жидкость 4 и 8 из условий рассеивания энергии обладает вязкостю 1 в пределах 9,6 30ю сСт и удельным весом у около 8050 н/м (например, трансформаторное масло с 1 = 30 о, сСт и= 8050...
Квазиинвариантный финитный регулятор с переменной структурой
Номер патента: 1385123
Опубликовано: 30.03.1988
Автор: Рустамов
МПК: G05B 13/02
Метки: квазиинвариантный, переменной, регулятор, структурой, финитный
...д, При этом узел памяти работает как повторитель и входной сигнал ах без изменения проходит на выход элемента 5 памяти. При Ч= - 1 ключ 4 переходит в положение 6 и вход элемента 5 памяти блокируется, При этом узел памяти работает в режиме запоминания и на выходе элемента памяти 5 формируется постоянный сигнал ах 1 соответствующий значению входного сигнала ах в момент размыкания ключа 4. Выход узла 3 памяти через инвертор 6 напрямую соединен соответственно с сигнальными входами б и а коммутатора. При командном сигнале Ч= +1 ключ коммутатора находится в нормально замкнутом положении а, а при Ч= - 1 переходит в положение б. Выходной сигнал с коммутатора подается на второй вход сумматора 8, выход которого является выходом...
Способ биохимического контроля за структурой популяций рыб
Номер патента: 1393375
Опубликовано: 07.05.1988
Автор: Кузьмин
МПК: A01K 61/00
Метки: биохимического, популяций, рыб, структурой
...1 объем1 М малата натрия + 1 объем 0,2 М фосфатного буфера, рН 7,4 + 1 объем0,1 Е-ного раствора нитросинеготетразолия + 1 объем О, 1 Е-ного раствора никотинадениндинуклеотида + 1объем 0,005 М хлористого магния +1 объем хлористого натрия + О, 1мг/мл феназинметасульфата. Выявлениеопроизводится в термостате при 37 Св течение 2 ч.Существенное отличие слизи от об;разцов,которые ранее использовались для анализа, состоит в томчто она неявляется какой-либо тканью, а представляет собой продукт жизнедеятельности организма. Однако слизь обладает характеристиками, позволяющимииспользовать ее для проведения биохимического контроля за структуройпопуляций рыбП р и м е р, Рыбу в районе спинного плавника протирают ватным тампоном, смоченным в,...
Пневматический регулятор с переменной структурой
Номер патента: 1401438
Опубликовано: 07.06.1988
Авторы: Мамедов, Мусаев, Рахберли, Рустамов
МПК: G05B 13/00
Метки: переменной, пневматический, регулятор, структурой
...выход пропорционального блока Р через нормально размыкающий контакт сопла канала 12 и уси 45литель 13 мощности связан с выходнымканалом регулятора Р ,. Выход Рблока логики соединен непосредственнос управляющей камерой реле 14 переключения и через третий дроссель 17 с управляющей камерой клапана 12.Регулятор работает следующим образом.В соответствии с принципиальнойсхемой сигнал на выходе блока логики имеет единичное значение лищь в случае, когда совпадают знаки рассогласования Е = Р - Р и функции переклюо Цченияя = т с 1 ЕдсСоответственно в замкнутой системерегулирования на начальном участке переходного процесса Р = Р и Р=1, т.е. клапан 12 и нижнее сопло реле 14 переключения открыты, так как проводимость открытого сопла...
Способ выделения слоя с непрерывной структурой эндотелиальных клеток роговой оболочки человека
Номер патента: 1410974
Опубликовано: 23.07.1988
МПК: A61F 9/00
Метки: выделения, клеток, непрерывной, оболочки, роговой, слоя, структурой, человека, эндотелиальных
...комитета СССР по делам изобретений и открытийо 035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно. полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к медицине, а конкретнее к офтальмологии.Цель изобретения - получение полной топографической картины роговицы при од. новременном повышении точности локализации нетипичных групп клеток.Пример. На энуклеированном донорском глазу производят выкраивание роговичного диска с ободком склеры 1 мм. Удаляют прилипшие кусочки радужки, осторожно промывают в дистиллированной воде, производят префиксацию в жидкости Карнуа в течение 10 мин, Осторожно отсепаровывают десцеметову мембрану на 1/5 длины окружности лимба хирургическим пинцетом с тонкими браншами, затем...
Регулятор с переменной структурой
Номер патента: 1434401
Опубликовано: 30.10.1988
Авторы: Дедухно, Ипполитов, Подорин
МПК: G05B 11/01
Метки: переменной, регулятор, структурой
...к выходу четвертого блока О переключения, на котором будет сихнал Х.Таким образом произойдет быстрое перемещение исполнительного устройства16 в новое положение, которое обеспечит компенсацию поступившего возмущения. При уменьшении рассогласованияпоступит на вход интегрирующего 13 и пропорционального 12 звеБьев 1 выходной сигнал пропорционального звена 12 поступит на вход исполнительного устройства 16, а выходнойсигнал второго блока 8 переключенияне будет поступать на второй информационный вход интегрирующего звена13, В дальнейшем компенсация поступившего возмущения будет осуществляться пропорциональным 12 и интегрирующим 13 звеньями,При поступлении значительного возмущения в канале внешнего командногосигнала сФормируется сигнал Р=...
Способ прокатки листов с гексагональной структурой
Номер патента: 1435335
Опубликовано: 07.11.1988
Авторы: Гамерский, Копань, Навратил, Новиков, Рево
МПК: B21B 3/00
Метки: гексагональной, листов, прокатки, структурой
...и образуя тяким образом спай термапары. Противоположный спаю поперечный край листа и свс: - бодньпл конец эталона подключают к потенциометру (цена деления шкалы 10 В) Можно применить также кампаратар напряжений (цена деления шкалы .0В). Спай термопары охлаждают азогом ллк нагревают н масляной ванне да 100 - 150 оС, Измеряют продольную тармо-ЭДС Е, , затем поворачивают лист на 90 образуют аналогично предыдущему поперечную термапяру, измеряют поперечную Е,. Пракатывают лист н поперечном направлении измеряют после двух- трех проходов новые значения Еи ЕЕ ли Ен та продал;аот поаречную прокатку, .еслк Е, ( Е та переходят к этапу.продольной прокатки,ЗЯ- какчиняют егокогда Е, =Е Чрк этом с эталонам никаких манипуляций не про-. изводят....
Пленочный материал со слоистой структурой
Номер патента: 1436894
Опубликовано: 07.11.1988
Автор: Мортон
МПК: B32B 27/20, H01B 3/30
Метки: материал, пленочный, слоистой, структурой
...фторполимера для получения непрерывного (сплошного) покрытия,Водные дисперсии Готовят следующим образомДисперсия А в .это исходная дисперсия для всех последующих вариантовпокрытия. Дисперсия А составляет20 мас.Х дисперсии сополимера, 7- 1027 мас,Х гексафторпропнлена и 9373 мас.Х тетрафторэтилена в дистиллированной воде,Дисперсия В - это дисперсия содер"жащая дополнительно вещества для повы шения адгезии и равномерного покрытияпленки слоем дисперсии, РасТвор получают иэ 0,8 г поверхностно-активноговещества, в частности поливиннлкарбок-силовой кислоты, в 27 г дистиллирован 20нойводы при регулировании рН на уровне 9 с помощью гидроокиси аммония.Этот раствор смешивают с 214 г дисперсии А. Могут быть использованы и дру гие...
Способ ультразвукового контроля сварных швов с крупнодендритной структурой
Номер патента: 1446560
Опубликовано: 23.12.1988
МПК: G01N 29/04
Метки: крупнодендритной, сварных, структурой, ультразвукового, швов
...8 контролируемого поперечного сечения шва 6определяют по углам о(, и опризм 2 и3 соответственно и углу аэ паденияУЗ колебаний на поверхность изделия5 и соответствующим образом устанавливают преобразователь. УЗ колебанияотражаются от дефекта 9 и возвращаются к пьезопластине 1. 1 ил . 2дятся в сварной шов б изделия 5. Поуглу наклона Ыпадения УЗ колебанийопределяется плоскость T наклонапреобразователя.По формуле= агссдр(И, -4 ) /з 1 псЯ,где- угол между плоскостью 7 наклона преобразователя иплоскостью 8 контролируемогопоперечного сечения сварногошва 6 изделия 5;1 - угол наклона основной призмы2 преобразователя;1 - угол наклона дополнительнойпризмы 3 преобразователямиЫз- угол падения УЗ колебанийна поверхность изделия 5,определяется уголи...
Система управления с переменной структурой
Номер патента: 1448337
Опубликовано: 30.12.1988
МПК: G05B 13/02
Метки: переменной, структурой
...в системе.Для определения реальнь 1 х параметров 110(Б,) в системе с перемеНной структурой применяются первая и вторая модели объекта, причем первая модель 8 объекта уг 1 равления реализует эталонную реакцию объекта, зависящую от начальных условий в момечт коммутации управляющего воздействия, вторая. модель 16 объекта управления реализует эталонную реакцию объекта на ступенчатое воздействие и представляет собой его эталокную переходную Функцию. Реальная переходнаяФункция объекта управления образуется на выходе первого вычитаю- щего устройства 9 как результат вычитания из общей реакции объекта, той ее части, которая соответствует ненулевым начальным условиям в момент коммутации управляющего воздействия ка выходе...
Устройство с переменной структурой для регулирования температуры и влажности воздуха в теплицах
Номер патента: 1450789
Опубликовано: 15.01.1989
Авторы: Агаджанян, Александрян, Бадалян, Оганесян
МПК: A01G 9/26
Метки: влажности, воздуха, переменной, структурой, температуры, теплицах
...запрета вентиляции при обогреве; логический с клеммы 31, единичное значение которого 3-5 В означает целесообразность вентиляции при обогреве (подает оператор тумблером);логический с компаратора 21, значение,которого равно логическому О при превышении относительной влажности 9 воздуха заданного максимально допустимого значения ; логический с компаратора 22, значение которого равно "1" когда Ц меньше заданного минимально допустимого значения (,Выходной сигнал В блока 23 выбора структуры принимает значение "1" нрих 7 х ,.где х- заданная положительная величина, или "О" при х(х, где х- заданная отрицательная величина,Если в момент включения х(х с хто сигнал В принимает одно из двух значений случайным образом, что не противоречит логике...
Способ изготовления контактного растра с нерегулярной структурой
Номер патента: 1467530
Опубликовано: 23.03.1989
Авторы: Ганиев, Радионов, Сысуев, Шваб, Щеглов
МПК: G03F 5/12
Метки: контактного, нерегулярной, растра, структурой
...путем20 выдерживация в течение 3-4 с придневном свете, затем на эмульсиоцныйслой пленки с помощью распылительнойустановки наносят аэрозоль контрастного проявителя, состав и рецептура25 компонентов которого приведены втабл. 1.Нанесение аэрозоля проявителя производят при диаметре сопла форсункираспылителя 0,12 мм и давлении 0,6 атм30 в течение 30 с. Проявлеще осуществляют до полного истощения проявителя, при времени проявления 3-4 минои 20 С, затем промывают и высушиваютматериал. Число стадий проявленияравно 4, После окончания последнейстадии проявления Фотоматериал Фиксируют в течение 10 мцц в растворестандартного кислого Фиксажа, послечего фотоматериал иромьпвают в течец ние 3-5 мин и высупгивают,Затем производят оценку градационной...
Способ изготовления тепловой трубы с капиллярной структурой
Номер патента: 1470454
Опубликовано: 07.04.1989
Авторы: Бокан, Капцевич, Савич, Шелег, Шумейко
Метки: капиллярной, структурой, тепловой, трубы
...мм, длиной 360 мм и толщиной стенки 1 мм коаксиально вводят трубчатую оправку диаметром 12 мм. В зазор, образованный стенкой тепловой трбы и оправкой, засыпают предварительно подгочтовленную шихту из алюминиевого порошка и порошка наполнителя, в качестве которого используется хлорид натрия (ИаС 1)Шихта приготовленаз 14704544 при объемном соотношении составляю щих, равном 0,6 (на 6 ч. наполнителяиспользовалось 10 ч.металлическогопорошка). Размер частиц порошка порообразователя выбирали равным размеру частиц металлического порошкаполучаемой капиллярной структуры ион соответствовал значению 0,16 -0,2 мм. Формула изобретенияПолость оправки заполняют кварцевым песком с размером частица 0,2 мм.Затем оправку при,наложении колебаний на корпус...
Способ выращивания кристаллов с периодической структурой
Номер патента: 1474184
Опубликовано: 23.04.1989
МПК: C30B 15/20, C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов, периодической, структурой
...с периодической структурой. Способ реализуетсяпутем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплаваультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлениюкристаллизации, при этом поверхностирастущего кристалла и источникаультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волныобеспечивают движение поверхностирастущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил. ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом, что они создают ультразвуковойрезонатор, причем одной из стенокрезонатора служит поверхность растущего кристалла, По мере ростакристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь,приводит...
Способ получения ферритов со структурой шпинели
Номер патента: 1493618
Опубликовано: 15.07.1989
МПК: C01G 49/08
Метки: структурой, ферритов, шпинели
...С полученный продукт имеет удельную поверхность в 4 раза больше, чем продукт, полученный вне магнитного поПример. К Ге(МОз)э приливают ра М 1(МО ) и нагр 60 С, Прибавляют 9 аммония до полного тов Ге (111) и М 1 паривают на водян до получения твер которую подвергаю работке при 450 С напряженностью 13 4,68 г МдГеО со ли. Удельная пове образца 20 мл 2 М раствора10 мл 2 М раствоевают раствор до,91 г оксалатаосаждения оксала(11). Раствор выой бане при 90 Сдой смеси солей,т термической обв магнитном поле00 Э 8 ч. Получаютструктурой шпинерхность данногоа 100,0 м/г,3618 работки, можно получать продукттребуемой дисперсности. Формула изобретения5 Способ получения ферритов соструктурой шпинели, включающий обработку водных растворов аэотнокислых...
Пневматический регулятор с переменной структурой
Номер патента: 1499317
Опубликовано: 07.08.1989
Авторы: Мусаев, Рустамов, Сафаров, Уткина
МПК: G05B 11/44
Метки: переменной, пневматический, регулятор, структурой
...У 29ое научно-прои ние "Нефтегаз д Д.Мусаев,ров и др. Элементыоматики. М.: Выс, рис. 11-1 2, Пневматический егральныи регуляруктурой. - Сб. М.: Наука, 1972,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГНИТ СССР РСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ"Пневмоавтоматика"с. 122, .рис. 2,(54) ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ РЕГУЛЯТОР СПЕРЕМЕННОЙ СТРУКТУРОЙ(57) Изобретение относится к техническим средствам автоматизации, аименно к пневматическим регулято-рам, и может быть использовано в системах автоматического регулированияразличных технологических процессов.в химии, нефтехимии и нефтегазодобы-."че, Цель изобретения - упрощение конструкции. В пневматическом регуляторе вход узла выбора максимума 1 Осоединен с выходом сумматора 1 и выходным каналом регулятора....
Способ определения толщины поверхностного слоя с отличной от объема структурой
Номер патента: 1504607
Опубликовано: 30.08.1989
Авторы: Алехин, Выбойщик, Зайцев, Кришталь, Мерсон
МПК: G01N 29/04
Метки: объема, отличной, поверхностного, слоя, структурой, толщины
...си калы АЭ. Припеки сигналов АЭ послойную полировку прекращаю-. Образец бе изменения структуры нагружают и опр=деляют напряжение, соответствующе возникновению устойчивого аку тико-змиссиоккого излучения, ; . За."ем с образца, имеющего поверхностный слой неизвестной толщины с отличной ст объема структурой, удаляют (например, электрополировкой) поверхностный слой толщиной Ь нагружают этот образец (с учетом изменения сечения после полировки) до напряжеия Б., и во время нагружекия регистрируют сигналы АЭ. Если при этом нагружекии сигналы АЭ не зарегистрированы, то образец разгружают, удаляют с его дополнительно слой толщиной Ь и вторичко наггружают до напряжения 0 , . ДаннуюСоставитель К, Хилков Техред М.Дидык Корректор Т.Малец...
Устройство для получения отливок с хордопараллельной структурой
Номер патента: 1516224
Опубликовано: 23.10.1989
Авторы: Иванов, Киреев, Новогренко, Семов, Фролов
МПК: B22D 27/04
Метки: отливок, структурой, хордопараллельной
...этом предложенные пределы размеров конструктивны элементов устрой тва40 45 Формула изобретения 50 55 5 10 15 20 25 30 35 обеспечивают получение качественной хордопараллельной структуры в отливках при минимальном расходе рабочего сплава на эд полнение вспомогательных полостей. При ширине В нижней вспомогательной полости меньшей, чем 0,6 Р не достигается требуемый уровень магнитных свойств отливок из.за образования в них узкой зоны совершенной хордопараллельной кристаллической структуры, а при ширине большей, чем 0,8 Р, обеспечивается в отливках совершенная хордопараллельная кристаллическая структура и соответственно требуемый уровень магнитных свойств, но увеличивается расход рабочего сплава на заполнение вспомогательной...
Способ получения отливки постоянного магнита с направленной кристаллической структурой
Номер патента: 1528616
Опубликовано: 15.12.1989
Автор: Бекмурзов
МПК: B22D 27/04
Метки: кристаллической, магнита, направленной, отливки, постоянного, структурой
...прибыльную часть плавом товленным на основе возврата п оизализация способа при производстливок постоянных магнитов иза ЮНДКТ 5 БА и 25 БА дает высокономический эффект. тливтую420 С е о пла формула и з о н и тоя заливают Форму чистым расплавом доуровня сетчатой перегородки, Используя второй ковш, заливают вспомогательным расплавом прибыльную полостьПри наличии сетчатой перегородки ипри такой последовательности заливкилитейной формы, отливки Формируются исталотобретение водству, а ок постоян ль изобрет оизводство щность спо олость лит водства.П р и м е р.ду полостями, фоки и прибыль, усперегородку, наги устанавливаютновременно с нагчистый и вспомог литейную формумирующими телоанавливают сетчевают форму ло 1е на холодильниевом Формы...
Система управления с переменной структурой
Номер патента: 1532896
Опубликовано: 30.12.1989
МПК: G05B 13/00
Метки: переменной, структурой
...первый иэ которых 44 подключен к выкоду сумматора 48 и выход которого является выходом второго регулятора 8,Система управления с переменной структурой работает следующим образом.В системе создано три контура.Контур основной обратной связи, состоящий из первого сумматора 2, объекта 1 управления, идентификатора(8) 35 гДе С, =-(-1) бинох(г) миальные коэффициенты.Причем видно, что для Й = С первая разность Г - г .1 = ОУ Л с=Ог, 40 - 1, для Г = С, + С 1 Г, (г -Е)- (1- Г) = О, вторая разность ЙЛ 1 =ЬГ, = О, г = 2 и тд. Следонателс но, значение г(величина г на К-М шаге) можно автоматически выбирать, исходя из удовлетворения следующим условиям ф допЙ сМ .1 -.,.,1 а доп,(9) Д ,=1 й Г - дг 1, 1 ( Л Если теперь левь 1 е части приведенных ныражений...
Способ определения расхода газожидкостных потоков со снарядной структурой
Номер патента: 1534323
Опубликовано: 07.01.1990
Авторы: Аксельрод, Гольдберг, Казаков, Кратиров
МПК: G01F 1/74
Метки: газожидкостных, потоков, расхода, снарядной, структурой
...чередование жидкостных пробок и газовых снарядов, причем такая структура устойчива в широком диапазоне изменения пара.З 0 метров потока.Установлено, цто средняя длина жидкостной пробки не зависит от режимных параметров течения и в диапазоне из" менения истинного объемного газосодержания от 0,1 до 075 доли определяется лишь диаметром трубопровода. При этом установлено, цто с точностью до статического разброса справедливо соотно- шение На чертеже представлено устройство,иллюстрирующее предлагаемый способ.Устройство, содержит первичныйпреобразователь плотности газожидкостной смеси 1 например радиоизотопный,включающий в себя блок 2 источникаизлучения и блок 3 детектирования,расположенные с противоположных сторон трубопровода ч. Выход...
Способ морфометрического анализа объектов с дисперсной структурой
Номер патента: 1539601
Опубликовано: 30.01.1990
Авторы: Бакеев, Волынский, Грибков, Гусынина, Жукоцкий, Коган, Козлова, Оленин, Снегирева, Цивинская, Ярышева
МПК: G01N 15/02
Метки: анализа, дисперсной, морфометрического, объектов, структурой
...за.ски изображе- ф, ныл исполь1539601 ставитель РЛванов едактор А.Маковская Техред Л.Олийнык Корректор М,Куч Заказ 211 Тираж 504 Под ВНИИПИ Государственного комитета по изобретения113035, Москва, Ж, Раушская сн и открытиям приб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",л, Гагарина, 10 ор Пробу жидкости или газа, содержащую исследуемые объекты с дисперснойструктурой, пропускают через полупроницаемую мембрану, на поверхности5которой выполнены прямолинейные каналы 1 с пористой структурой 2 внутриканалов. Далее мембрану с осажденнымичастицами освещают потоком света иформируют микроскопическое изображение ее поверхности,Изображения могут исследоватьсявизуально или с помощью микрофотографий, При автоматическом...
Устройство для контроля дискретной аппаратуры с блочной структурой
Номер патента: 1539783
Опубликовано: 30.01.1990
Авторы: Антонов, Голубцов, Пархоменко, Харламов
МПК: G06F 11/26
Метки: аппаратуры, блочной, дискретной, структурой
...тестовых операций в накопитель 4,тестовбудет завершена при поступлении отблока 3 ввода в блок 1 сигнала "Ко 115нец ввода , по которому триггер 46(фиг. 4) устанавливается в единичноесостояние, закрывая тем самым элементИ 42 и открывая элемент И 45, т.еснимая сигнал признака записи от 10элемента 42 на шине и устанавливаясигнал признака чтения от элемента 50,При этом устройство автоматическипереходит в режим контроля ДА 5. В 15этом режиме устройство считывает тестовую информацию из накопителя 4 тес. тов при ее признаках "00", "01" и"11" по стробирующим импульсам от генератора 48 тактовых импульсов и прикоде "10" по импульсам, формируемымформирователем 53Работа устройства в режиме контроля ДА 5 осуществляется следующим образом....
Устройство для определения приоритета объектов в системах с изменяющейся структурой
Номер патента: 1571608
Опубликовано: 15.06.1990
Авторы: Бороденко, Буханцов, Жорник, Нагорнов, Трубицын
МПК: G06F 13/30, G06F 9/50
Метки: изменяющейся, объектов, приоритета, системах, структурой
..."1". Поэтому на выходе элемента НЕ 16 появляется напряжение логического нуля, которое запрещает дальнейшее прохождение та 1 стовых импульсов через элемент И 17.Одновременно напряжение логической "1" с выхода дешифратора 14 первого блока 1 подается на вход и открывает элемент И 17 второго блока 1, Тактовые импульсы начинают поступать на вычитающий вход реверсивного счетчика 21 второго блока 1 и первые входы элементов И 25, соответствующие вторым разрядам всех регистров 22 (второму столбцу матрицы смежности). На вторые входы подключены элементы И выходов соответствующих вторых разрядов регистров 22 сдвига. Напряжение логической " 1" с трех разрядов, в которых записана единица, открывает соответствующие элементы И 25 и импульсы с...
Способ выплавки сплавов для магнитов с ориентированной кристаллической структурой
Номер патента: 1576587
Опубликовано: 07.07.1990
Авторы: Белышев, Кукушкин, Лапшин, Рудницкий, Сидоров
МПК: C22C 1/02
Метки: выплавки, кристаллической, магнитов, ориентированной, сплавов, структурой
...и серы " химическим. Шихта состоит из слитков сплава известного химичес,кого состава и свежих шихтовых материалов в соотношении 90:10. Слиткизагружают в индукционную печь, расплавляют и перегревают до 1770 С +о+10 С, после чего выдерживают в течение 2 мин. Затем температуру расплавапонижают до 1640-1660"С, добавляютсвежие шихтовые материалы и, послевыдержки при этой температуре в течение 6 мин производят заливку огнеупорных форм, нагретых до 1300 С иустановленных на водоохлаждаемый хо"лодильник. После окончания кристаллизации и охлаждения отливки выбираютиз форм, затачивают и подвергают механической и термомагнитной обработке.В табл.1 приведен химический состав и свойства магнитов, полученныхпо предлагаемому и известному...
Многофункциональное устройство обработки с перестраиваемой структурой
Номер патента: 1578707
Опубликовано: 15.07.1990
Авторы: Алексеева, Груданов, Дудюк, Невзоров, Савицкий, Самкова, Сидоренко
МПК: G06F 7/00
Метки: многофункциональное, перестраиваемой, структурой
...функционируют.В регистровом режиме первый инфор-мационный вход (с) устройства используется для подачи сигнала тактирова 5ния триггера 106, а второй информационный вход (2) устройства для подачисигнала управления входом-,выходом устройства (в комбинационном режиме зтивходы устройства используются в качестве информационных). Кроме того,сигнал с выхода элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕИЛИ 105 поступает на вход триггера106, Сигнал с прямого выхода триггера106 поступает на вход мультиплексора108, а затем - на вход ключа 115.В зависимости от значения управляющего сигнала ключа 115 сигнал со входаэтого ключа либо передается на выходы 20блока ввода-вывода и устройства, либонет. Сигнал с прямого выхода триггера106 поступает также на вход демультиплексора 109...
Способ гидротермального выращивания кристаллов со структурой типа ктр
Номер патента: 1583477
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина
МПК: C30B 29/14, C30B 7/10
Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа
...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...
Устройство для культивирования микроорганизмов с нитчато губчатой структурой
Номер патента: 1585325
Опубликовано: 15.08.1990
Авторы: Беспалова, Казаков, Тихонов, Юнкерова
МПК: C12M 1/24
Метки: губчатой, культивирования, микроорганизмов, нитчато, структурой
...и держателя 1, жестко связанного с контейнером 6. Подвеска 5 имеет фиксатор 8для ограничения положения контейнера 4 по высоте колбы 1. Устройствопозволяет обеспечить оптимальные условия культивирования при использовании носителей различных типов.1 ил. чески в колбу 1 с питательной средой, засеянной микроорганизмом продуцента.Азрацию и массообмен засеянной среды осуществляют путем культивирования продуцента в колбе на вращающихся качалках при оптимальной для используемого продуцента температуре, При этом культура закрепляется на пористом носителе 3, помещенном в контейнере 4. Смещение контейнера 4 относительно оси колбы и его свободное Вращение вокруг собственной оси вблизи стенок колбы 1 обеспечивает для продуцента, адсорбированного на...
Устройство для получения отливок с хордопараллельной структурой
Номер патента: 1272575
Опубликовано: 15.10.1990
Автор: Семов
МПК: B22D 27/04
Метки: отливок, структурой, хордопараллельной
...отливок.Цель изобретения - повышение выхода годного и снижение трудоемкости механической обработки отливок.:На чертеже схематически изображено устройство, общий вид в разрезе.Устройство включает в себя холодильник-поддон 1 с фигурными выступами 2 и огнеупорную оболочковую литей" ную форму 3 с рабочими цилиндричес" кими полостями, каждая из которых расположена продольной осью параллельно ппоскости 5 и верхними лит" никовыми каналами 6, соединенными с прибыльной полостью 7, ограниченной сверху крьппкой 8, служащей для сни" ження тепловых потерь. Каждый из фигурных выступов 2 примыкает по обра" дующей снизу к цилиндрическим рабо". чим полостям.Выступы в вертикальных разрезах по длине рабочей полости могут иметь трапециевидную,...
Способ контроля геометрических параметров элементов изделий с периодической структурой
Номер патента: 1605139
Опубликовано: 07.11.1990
Автор: Христич
МПК: G01B 9/00
Метки: геометрических, параметров, периодической, структурой, элементов
...близким илиравным 90 О, проволоки0,03 мм,проводят напыление, например, углерода при остаточном давлении не выше4 .10 ГПа, убирают трафарет.На поверхности МКП останутся двепересекающиеся полосы без покрытия,С помощью микроскопа необходимо выбрать один канал, находящийся в центре перекрытия полос, и определитьего контрольные параметры с учетомвсех погрешностей. Нижний пределширины полос, свободных от поглощающего покрытия, объясняется необходимостью иметь в центре перекрестияне менее одного полного контролируемого микроэлемента при случайном расположении теневого трафарета, еслимикроэлементом считать отдельнуюструктурную единицу; либо канал(сердцевину), либо перемычку (оболочку), Верхний предел - не болеедвух полных микроэлементов,...