Патенты с меткой «структурой»

Номер патента: 1084312

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Власов, Изгородин, Коноплев, Копцев, Фролов

МПК: C21D 1/04

Метки: кристаллической, магнитов, направленной, постоянных, сложной, сплавов, структурой, типа, формы, юндк

...прямолинейных заготовок, нагрев, деформацию,шлифование и термическую обработкуна высококоэрцитивное состояние,термомагнитную обработку и многоступенчатый отпуск при температурахпо крайней мере 650-550 С в течение 5-24 ч нагрев заготовок осу)оществляют до 1050-1100 С, в штампедеформацию проводят гибкой ступенчато, со скоростью 6 10 - 10 сс выдержкой между ступенями в течение 5-30 с, при этом на первой ступени скорость деформации составляет(6-12) "10 " с " с относительным сужением при изгибе 3-67, на последующихступенях скорость деформации 10 "10 с" с относительным сужением 5-ЗОХ1последующую термообработку изделийпроводят ступенчато: нагрев до1230-1260 С с выдержкой 20-30 мин,охлаждение до 900-920 С .со скоростью150-250 С/мин, а...

Номер патента: 1084737

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Герц, Лакина, Рапопорт

МПК: G05B 19/02

Метки: переменной, структурой

...второго дешифраФ45 тора 19 имеет связь 60 с первым управляющим входом третьего дешифрато. ра 20, второй вход которого имеет связь 61 с четвертым выходом блока 17 промежуточной памяти с прямым доступом, а выход имеет связь 62 с третьим входом этого же блока памяти, Третий и четвертые выходы второго дешифратора имеют информационные связи 63 и 64 с отображающими элементами, содержащимися, например, 55 на задатчике 5.Выход блока хранения элементарных команд (фиг. 3) имеет. связь 41 с входами пяти фиксаторов 24, 25, 28, 33 и 34 памяти, модуля 7 управления выполнением элементарной команды и с входом таймера 31 и с управляющим входом первого фиксатора 24, выход которого имеет связь 43 с адресной шиной блока 1 оценки. состояния, причем...

Номер патента: 1084831

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Борисюк, Трубаров

МПК: G06G 9/00

Метки: дискретной, изображения, моделирования, структурой

...генератора импульсов развертки подключен к первому входу генератора напряжения развертки, второй вход которого подключен к выходу генератора тактовых импуль О сов, выход генератора напряжения развертки подключен к входу генератора пилообразного напряжения канала горизонтальной развертки и через первый элемент НЕ - к входу первого ге нератора импульсов гашения луча, выход которого соединен с первым входом элемента ИЛИ, второй вход элемента ИЛИ подключен к выходу в орого генератора импульсов гаше ния луча, выход генератора тактовых импульсов через второй элемент НЕ подключен к входу второго генератора импульсов гашения луча и к входу генератора пилообразного напря жения канала вертикальной развертки, выход элемента ИЛИ подключен к...

Номер патента: 1092141

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Вострикова, Ионе, Степанов

МПК: C01B 33/20

Метки: кристаллической, обладающего, пористой, силиката, структурой, цеолитной

...мл водного горячего раствора гидроокиси натрия, содержащего 1,3 г БаОН. К этой смеси добавляют 50 г (307) коллоидной двуокиси кремния, растворенной в моноэтаноламине (22,6 г). Полученную смесь загружают в автоклавы, кристаллизуют при 170 С 48 ч, Полученныйопродукт фильтруют, промывают водой, Осадок обменивают с раствором аммиака в течение 1 ч. Смесь фильтрукт, промывают, осадок сушат при 120 Со в течение 16 ч. Полученный катализатор состава 0,05 Ба ОА 1,0 35 80 таблетируют, загружают в кварцевый реактор.и активируют в токе воздуха при 500 С в течение 16 ч. Через актиовируемый катализатор пропускают газообразный метанол при 380 С и объемной скорости подачи по жидкому метанолу 2 ч , При этом основными продуктами реакции являются...

Номер патента: 1094861

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Подлесный, Салахов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменной, информации, магнитного, носителя, полосовой, структурой, считывания

...б, установленные под углом к магнитному носителю 4 с возможностью регистрации проходящего пучка света подуглом дифракции. При этом выход фотоприемника б соединен через усилитель 7 с входом синхронного детекто"ра 8, подключенного к выходу опорногогенератора 9, соединенного с фазовымЭ 1094861 модулятором 3. В качестве последнего н могут быть использованы магнитооптические ячейки Поккельса и Керра или линейная фазовая пластинка с механическим вращением. При использовании 5 н линейной фазовой пластинки частота модуляции в два раза выше частоты вращения.Способ осуществляют следующим образом, 10 фЛинейно поляризованная монохрома- п тическая волна Е от источника 1 с :поляризатором 2 может быть представлена в виде суммы двух световых...

Номер патента: 1103240

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Андреев, Владимиров, Поротов, Транше

МПК: G06F 11/18

Метки: мажоритарно-резервированное, структурой, управляемой

...резервируемыхблоков, вторые входы - с шиной блокировки устройства, и три управляемых мажоритарных элемента, управляющие входы которых соединены с управляющей шиной устройства, а выходыс выходами устройства, содержит элемент НЕ, три вторых элемента И итри элемента ИЛИ, первые входы которых соединены соответственно с выходами первых элементов И, выходы - синформационными нходами управляемыхмажоритарных элементов, вторые входы - с выходами вторых элементов И,первые входы которых соединены сшинами перебора устройства, вторыевходы - с выходом элемента НЕ, входкоторого подключен к шине блокировки устройства.Схема устройства представленана чертеже,Устройство содержит входы 1-3,шину 4 блокировки, шины 5-7 перебора, управляющую шину 8,...

Номер патента: 1114992

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Гороховатский, Жданок, Осокин, Пономарев, Тулуевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, мдп, полупроводниковых, приборов, структурой

...предела температуры поляризации выбирается максимально допустимая рабочая температура изделия, так как при более низких температурах поляризации некоторые механизмы электрической релаксации, присущие данному прибору в рабочем диапазоне температур, не включаются в поляризационный процесс и соответственно не проявляются в токе депо" ляризации. Последнее приводит к тому,1114 3что предлагаемый способ контролядает заниженную оценку зарядовойнестабильности изделий.Верхняя граница температурнойполяризации обусловлена тем, чтопри температуре, больше температурыэвтектики металл - кремний, происходит деградация свойств ИДП-структурыиэ-за образования растворов с повышенной проводимостью,Верхний предел напряжения поляризации выбирается 0,9 Опой где0...

Номер патента: 1120334

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Кизуб, Коновалов, Кутузов

МПК: G06F 11/25

Метки: анализатор, перестраиваемой, сигнатурный, структурой

...анализатора с перестраиваемой структурой; на Фиг. 2 - таблица истинности дешифратора; на Фиг. 3 - таблица переходов регистра сдвига в режиме счетчика.Сигнатурный анализатор с перестраиваемой структурой (фиг. 1) содержит сумматор 1 по модулю два, узлы 2 сдвига, в состав которых входят регистр .3 сдвига, дещифратор 4, узел 5 индика ции, элементы И 6-9, коммутаторы 10 и 11, элемент ИЛИ-НЕ 12, второй ин формационный вход 13 первого коммутатора, информационные входы 14 и 15 второго коммутатора, управляющий вход 40 16 первого коммутатора, выход 17 первого элемента И 6, прямые выходы 18- 20 первого, третьего и четвертого разрядов регистра сдвига, информационный вход 21 анализатора, вход 22 45синхронизации анализатора, вход 23 режима работы...

Номер патента: 1122422

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Голобокова, Еловских, Левин, Лосева, Пантер

МПК: B22F 3/14, H01F 1/34

Метки: марганец-цинкового, структурой, ферритового, шпинели

...путем фильтрации под давлением в магнитном поле заготовку ь"кт в горизонтальной плоскости.Способ осуществляют следующим образом.Берут навески исходных компонентов шихты. Гамма-модификацию Ре О или магнетит с частицами игольчатой формы и гамма-модификацию МпООН с частицами пластинчатой формы, полученных быстрым окислением осажденного гидрата заки си марганца Мп(ОН), смешивают с частицами ХпО, %0 и других необходимых компонентов сферической формы в шаровой мельнице в течение 16 ч в жидкой среде. В качестве жидкости для диспергации могут быть использованы вода, ацетон, этиловый и изобутиловый спирт и др. Полученная суспензия фильтруется и формуется в магнитном поле напряженностью 3000 Э под давлением 300 кг/см, при этом направление...

Номер патента: 1133028

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Громов, Дербасов, Дыскин

МПК: B22D 27/04

Метки: литых, магнитов, направленной, постоянных, структурой

...1655-1800 С нарушаютсянеобходимые условия формирования направленных кристаллов в отливках крупногарарит.ных магнитов (образуются зоны равноосныхдендритов), что снижает качество отливок.аПри температуре формы более 1450 С изаливке сплава при 1655-1800 С происходитоугар легирующих элементов, развитие ликвационных процессов, а в некоторых случаяхи разрушение формы, что приводит к сниже.нию магнитных свойств и увеличению брака.Способ осуществляют следующим образом.Литейную форму нагревают в пределах тем.оиератур 1355-1450 С; устанавливают ее намедный водоохлаждаемый холодильник, разогревают сплав до температуры заливки 1655 -3800 С и заливают сплав в форму. Далееопроизводят охлаждение залитого сплава.Литейная форма для получения магнитов(см....

Номер патента: 1142812

Опубликовано: 28.02.1985

Автор: Рустамов

МПК: G05B 13/02

Метки: переменной, регулятор, структурой

...блока формирования сигналапереключения и блоков формирования линии переключения, выходы первого и второго блоков формированиялинии переключения соединены соот.ветственно с первым и вторым входами первого блока формирования сигнала переключения, выход которого соединен с третьим входом второго блокаформирования линии переключения ивходом второго реле, выход которогосоединен с вторым входом второгодвухканального коммутатора, к третьему входу которого подключен источник нулевого сигнала, выход второгоблока формирования сигнала переключения через первое реле соединен стретьим входом первог о двухканального коммутатора.На фиг.1 и 2 представлены фазовый портрет и переходной процесссистемы управления с регуляторомс переменной структурой...

Номер патента: 1161063

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Авдонин, Бабкин, Байсиев, Владимирская, Воскобойников, Кулешов, Попов, Хомяков, Шилов, Шпакова

МПК: A23G 3/00

Метки: конфетных, корпусов, мелкопористой, структурой

...величины и как следствие недостаточности количества удаляемой в видекристаллов льда части влаги.П р и м ер 2. Путем смешиванияобразовывают смесь пюре-сахар с влаж.ностью 703. На одну загрузку 200 кгберут пюре абрикосовое 154,8 кг(в сухих веществах 15,6 кг) и сахара-песка 45, кг (в сухих веществах44,4 кг). Затеи обеспечивают растворение сахара в водной части пюре,производимого одновременно со стерн"лизацией и десульфитацией, для чегосмесь пюре-сахар выдерживают с переЮмешиванием прн 85 С в вакуум-котле.в течение 20 мнн,После растворения сахара в воднойчасти пюре, стерилизации десульфитации разливают пюре с сахаромв ячейки формы, имеющие вид и размеры корпуса конфет.Затем вместе с формами пюре с саахаром охлаждают до -40 С 3 ч, выдерживают...

Номер патента: 1168952

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Кострыкин, Новиков, Танцюра

МПК: G06F 11/26

Метки: аппаратуры, блочной, дискретной, структурой

...информационными выходами группы генератора случайных чисел и информационными входами группы коммутатора, первая и вторая группы входов-выходов которого соединены соответственно с группами входов-выходов контролируемого блока и эталонных блоков замены группы, тактовый вход коммутатора соединен с выходом шестого элемента И блока управления и входом обращения блока памяти, выход генератора импульсов блока управления соединен с вторым входом шестого элемента И блока управления, четвертый информационный вход блока индикации соединен с выходом ошибки блока ввода информации, выходы элементов И группы и группа выходов второго дешифратора соединены соответственно с первой и второй группами информационных входов блока индикации, адресный...

Номер патента: 1171754

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Гаджиев, Мамедов, Мусаев, Рустамов

МПК: G05B 13/00

Метки: переменной, структурой

...основании поступающей с элемента 1 сравнения информации хх и с дифференциатора 9 - х 2 50 формируется сигнал переключения РБх 1, который подается на вход реле 11, выходной сигнал Ч = здп Р. Последний подается на управляющий вход коммутатора 3, который управ-, 55 ляется следующим образом.При Ч = 1 (Бх 7 0) ключи 4 и 5 находятся в, нормально разомкнутом положении , при,Ч = -1 (Бх( 0) - внормально замкнутом положении ы,До включения системы ключи 4 и 5находятся в нормально замкнутомположении ы . При этом на выходеэлемента 6 памяти имеется нулевойсигнал. Если при пуске системыначальное состояние (х) находит 1 оф ося в области С = С Ч С где3Ч =-1 (Бх(0), то ключи продолжаютоставаться в положении а и через инвертор 7 на вход объекта 8...

Номер патента: 1188645

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Гребенник, Лантух

МПК: G01N 29/04

Метки: крупнозернистой, структурой, ультразвукового, эхо-контроля

...швом.Способ контроля осуществляют следующим образом.Исходя из толщины изделия опреде.35 ляют время слежения и соответственно последнему устанавливают длительность и относительно зондирующего импульса задержку по времени строб- импульса в дефектоскопе 2. Излучая ультразвуковые колебания, сканируют преобразователем 1 относительно сварного шва по поверхности изделия 9 и принимают эхо-сигналы ультразвуковых колебаний тем же преобразователем 1. При этом на выходе пикового детектора 3 интегрируются сигналы на каждом такте следования зондирующих импульсов в пределах времени слежения и фиксирования на регистрирующем устройстве 4. На каждом такте от переднего фронта строб-импульсов дефектоскопа 2 триггер 6 переводится в одно иэ устойчивых...

Номер патента: 1201327

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Браташевский, Коваленко, Краснопольский, Легейда

МПК: C21D 1/78

Метки: видманштеттовой, доэвтектоидных, сталей, структурой, термической

...более низких температур не гарантирует устранениевидманштеттовой структуры.Верхний предел температуры нагрева Ас выбран потому, что нагрев до более высоких температурвновь приводит к образованию видманштеттовой структуры,Изобретение иллюстрируется следующими примерами.Образцы размером 10 хЗОх 150 ммиз стали 20 и 35 с видманштеттовой структурой одинакового балла 3подвергали термической обработке,которая заключалась в нагреве доАс и выше и охлаждение на воздухе, Образцы каждой стали нагревали со скоростями 2;25;50;100;200;225; 300 град/мин до температурАс,; Ас 1 + 20; Ас 1 +30; Ас +50;Ас ; 900; 940; 1000 С, далее образцы, нагретые со скоростью 2 град//мин, подвергали выдержке 1 ч и затем охлаждали (прототип),а все остальные образцы...

Номер патента: 1216457

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Агафонов, Григорьев, Данилов, Кириллов, Петров, Поташкин, Шекун

МПК: F15B 9/02

Метки: переменной, привод, структурой, электрогидравлический

...чертеже изображена схема электрогидравлического привода с переменной структурой.Привод содержит приводной электродвигатель 1, гидропередачу (не обо"значена) с регулируемым насосом 2 игидромотором 3, связанным силовымигидролиниями 4 и 5 и с насосом 6 подпитки,установленным на одном валу 7 снасосом 2 и подключенным через клапаны8 и 9 кгидролиниям 4 и 5 и редуктор 10 сшестернями 11-14. Шестерня 11 закре.плена на валу 15 электродвигателя 1,шестерня 12 - на валу 7, шестерня13 - на валу 16 гидромотора 3,шестерня 14 - на валу 17 рабочегооргана 18.Для попеременного соединенияшестерни 11 с шестерней 17 и шестерней 12, а также шестерни 17 сшестерней 13 служит переключающееустройство (не изображено).С гидролиниями 4 и 5 соединенывходы...

Номер патента: 1226208

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг

МПК: G01N 23/20

Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа

...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...

Номер патента: 1238029

Опубликовано: 15.06.1986

Автор: Букша

МПК: G05B 13/02

Метки: переменной, структурой

...вход коммутирующего элемента 3, Сигнал 0 с выхода блока 1 сравнения поступает на информационный вход коммутатора 12 и в нем на информационный вход коммутирующего элемента Э.На выходе коммутирующего элемента 3 формируется сигнал вида 3 О, если О, 1 Этот сигнал поступает на вход суммирующего элемента 4, на выходе которого формируется сигнал 0 0 +О, который поступает на первый вход сумматора 5.На второй,и третий входы сумматора 5 поступают сигналы 0 и 0 с выкодов блока 1 сравнения и блока 11 изменения структуры. На выходе сумматора 5 формируется сигналС учетом вида коммутирующей функ-. ции коммутирующего элемента 3 можно выделить три режима работы системы,1-й режим выполняется при условииОЮ,. В этом случае выходной сигналкоммутирующего...

Номер патента: 1247878

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Гнедовский, Подзолов, Самарский, Тимонькин, Ткаченко, Харченко, Хлебников

МПК: G06F 11/08

Метки: вычислительного, комплекса, структурой

...14 при возникновении отказов в работе выбранной структуры вычислительного комплекса, четвертый элемент И 20 - для Формирования сигнала разрешения передачи кода структуры вычислительного комплекса с выхода блока 1 управления поиском неисправного блока, пятый элемент И 21 - для щ формирования сигнала установки в нуль второго триггера 14 управления, шестой элемент И 28 - для формирования сигналов (импульсов) счета для работы счетчика 8 шагов, седьмой эле- мент И 23 - для формирования импульсов синхронизации блока 1 управления поиском неисправного блока, восьмой элемент И 24 - для формирования сигнала разрешения передачи кода струк туры вычислительного комплекса в блок 2 управления связями с выхода счетчика 7 структур, девятый элемент И 25...

Номер патента: 1251002

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Найден, Рябцев

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, гексагональной, магнитной, полей, поликристаллических, структурой, ферритов

...НПовышение степени текстуры образцаприводит к обострению пика на кривой д м/,1 в окрестности особойтачки при направлении импульсногомагнитного поля перпендикулярноплоскости текстуры (кривая 2). Приодинаковом доверительном интервалепри измерении Р М /д погрешностьопределения Н на текстурированном415 материале уменьшается до 10-127при степени текстуры 1, - "0,75.На Фиг. 2 приведены зависимостид М д 7 и Н(11 для поликристаллического гексаферрита с анизотропией 20 рипа "легкая ось", при этом кривая- для нетекстурированнаго образца,кривая 2 - для текстурированногообразца с 1,= 0,65 при направлении внешнего поля перпендикулярноплоскости текстуры, кривая 3 - временная развертка поля. Криваяполучена известным способом; погрешность измерения...

Номер патента: 1285429

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Абдуллаев, Джафаров, Файязов

МПК: G05B 11/50

Метки: адаптивный, переменной, пневматический, регулятор, структурой

...в зависимости отинерционности объекта управления;время интегрирования, соответствующее Р =О, устанавливается при помощи Р,;функция переключения,Указанный алгоритм реализуется следующим образом.Выходной сигнал элемента сумматора 2 Р , ц =Р -Р +Р, проходя через проточные камеры реле 3 (в зависимос" ти от значения Б), переменные дроссели 4 и 5, поступает в минусовую камеру элемента 6, на выходе которого отрабатывается регулирующее воздействие вида Р =К(Р -Р )+Р , где получает одно йз двух значений К и К в1зависимости от значения Б, которое формируется при помощи блока 7 формирования функции переключения Б= с 1 Р-Р 1=Р =Т- - - -вых д ЙПри этом с помощью сумматоров 2 и8 и элемента ИЛИ 9 вычисляется модульошибки Р =1 Р -Р 1 +Р, . Р и...

Номер патента: 1286416

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Абрамов, Артемьев, Брин, Мелентьев, Пономарев, Розман

МПК: B28B 1/52, E04B 1/78

Метки: волокнистый, гофрированной, материал, прошивной, структурой, теплоизоляционный

...мм, наклоненным к горизонтамопод углом 7, линейная скорость которого в 1,208 раза меньше линейнойскорости нижнего основного транспортера, что обеспечивает наклон гофрово30 при толщине готового материала120 мм. Перед выходом из-под верхнего транспортера материал прошиваетсяи затем разрезается на мерные длины.П р и м е р 2. Минераловатныйковер подпрессовывается и гофрируется с высотой гофров 46 мм. Угол наклона подпрессовочного транспортерадлиной 1000 мм 0,3 , и линейная скорость в 1,023 раза меньше линейнойскорости нижнего транспортера. Этиусловия обеспечивают, изготовлениематериала толщиной 40 мм с углом наклона гофров 60П р и м е р 3, Минераловатныйковер подпрессовывается и гофрируется с высотой гофр 85 мм, Угол наклона...

Номер патента: 1287278

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Машуков, Сергеев

МПК: H03K 17/567

Метки: переключающее, переменной, структурой

...который открывает МДПтранзисторы 3 и 4, и между первой 9и второй 13 выходными клеммами транзисторного ключа 1 образуется токопроводящая цепь, в результате чегоот источника питания через нагрузку10, транзисторный ключ 1, датчик тока 6 протекает ток,Пока величина этого тока не превышает номинальное значение, сигнална выходе 17 порогового элемента 7остается равным нулю и третий МДПтранзистор 5 открыт. Падение напряжения на этом транзисторе таково, чтопереход база-эмиттер биполярноготранзистора 2 закрыт и ток протекаеттолько по цепи, образованной МДПтранзисторами 4 и 5, Потери мощностив ключе, обусловленные падением напряжения на этих МДП-транзисторах притоке меньше номинального, невелики -меньше, чем потери мощности в цепи,образованной...

Номер патента: 1295468

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Антоненко, Ионов, Колясников

МПК: H01L 39/12

Метки: пленки, сверхпроводящей, структурой

...С жительности испарения состав сдвига-, ется к стехиометрическому в соответствии с формулой А В, и слой кристаллизуется с образованием структуры А 15. Причем кристаллизация происходчт по всему объему пленки беэ определенной направленности, поэтому не наблюдается преимущественной ориентации зерен, а размер зерна оказывается меньшим в сравнении со случаем прямой кристаллизации иэ параВ результате саморегулирования состава, близкого к стехиометрическому и однородного по объему, образующийся слой имеет высокую критическую температуру, узкий температурный диапазон перехода к сверхпроводимости ( 60,1 1 и большую плотность критического тока с меньшей зависимостью от магнитного поля из-эа более высокой концентрации центров пиннинга, Согласно...

Номер патента: 1308259

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Александрян, Бадалян

МПК: A01G 9/26

Метки: воздуха, переменной, структурой, температуры, теплице

...регулируемой величины х = Щ2ЙТ/Й, где Т и Т - соответственнозаданное и действительное значениятемпературы воздуха; 1 - время.Линия переключения релейного регулирующего блока 5 изображена на фазовой плоскости прямой АВ, котораяописывается уравнениемх -1 х =х 3угде К - постоянная величина, значение которой определяется исходя из значения временитранспортного запаздыванияобъекта регулирования;х - заданное отрицательное значе,Эние допустимого откЛЬнения 25регулируемой величины.Линия переключения блока выбораструктуры 7 изображена ломанной АСВ,где луч СП описывается уравнением,= а, ЗОх - заданное отрицательное значе,ание скорости изменения регулируемой величины,Линии переключения релейного регулирующего блока 5 и блока 7 выбора З...

Номер патента: 1313722

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Абрамов, Артемьев, Пономарев, Шейнблит

МПК: B28B 1/52

Метки: волокнистых, гофрированной, структурой, теплоизоляционных

...деформаций в 4 раза(до толщины 50 мм), затем режут на поперечные полосы длиной 1000 мм, после чего с помошью транспортирук)ших средств направление движения полос изменяют на 90. Таким образом, на следующую операцию (гофрирование) они поступают вплотную друг за другом в направлении, перпендикулярном движению исходного ковра. Гофрированный материал высотой 100 мм подакт для уплотнения в продольном направлении на узел горизонтальной подпрессовки. После уплотнения материал подакт на прошивку для окончательной фиксации его формы. Готовый материал разрезают на мерные длины и подают на рулонирование. В зависимости от способа стабилизации материала в волокнистый ковер вводят предварительно обеспыливатель или связующее. 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1322230

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Белорусец, Гичан, Крищюкайтис

МПК: G05B 13/00

Метки: переменной, структурой

...устройства 8 с выходом первого сумматора 15, а с помощью первого релейного. элемента 11 на интеграторе регулятора 4 устанавливаются нулевые начальные условйя интегрирования, При этом на входы первого сумматора 15 поступают сигнал рассогласования Е (1) = А-у(г.)2с третьего сумматора 13 и сигнал от задатчика 1 входного сигнала,прошедший через усилитель 12 с регулируемым коэффициентом усиления 1 с.В устройстве момент переключейиярегулируется с помощью коэффициента деления 1, а момент переключения с определяется временем задержгки. Введение первого сумматора 15 и усилителя 12 с коэффициентомЦюусиления к = ф позволяет в моАментсформировать требуемый сиггнал Ц . Параметры регулятора 4,на интеграторе которого сигнал с выхода элемента 7...

Номер патента: 1339171

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Ломагин, Ступников, Тягунов, Чиликина

МПК: D02H 13/10

Метки: намоткой, одинаковой, паковок, программного, структурой

...2, эаписыва 55 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ется через коммутатор 6 в соответствующую ячейку блока 7 памяти, Этаинформация используется для формирования последующих паковок и партии,при этом переключатель 5 ставят вдругое положение и число оборотовпаковки при тех же самых длинах наматываемого материала, прошедшегочерез навивающий механизм, сравнивается с числом оборотов первой паковки, записанным в ячейки блокапамяти. Для сравнения используетсясумматор 10, на первый вход которого подаются числа, пропорциональные числу оборотов первой паковкипартии иэ блока 7 через коммутатор8, а на второй вход - числа со счетчика 4 числа оборотов последующихпаковок через ключ 9 при тех же длинах наматываемого материала, что ипри формировании первой...

Номер патента: 1348770

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Безручко, Бушуев, Григорьев, Литвинов

МПК: G05B 13/00

Метки: переменной, регулятор, структурой

...задать точность, обеспечиваемую регулятором, в вице скалярной величины д, равной значению квадратичной формы И в установившемся режиме,5 то можно найти область начальных условий на вектор г,х 1 в и+1-мерном пространстве, из которой ПИ-регулятор будет обеспечивать заданное качество процессов. Эта область задается в 10свице выраженияР =с, где с=хсоив.Когда величина И непрерывно вычисляемой в регуляторе квадратичной формы становится меньше с, то регуляторпереходит в режим ПИ-регулирования(соответствует области малых отклонений от заданных значений регулируемой величины), при Ис осуществляется 20П-закон регулирования,Сущность изобретения поясняетсяфиг. 1, 2 и 3, где обозначены первыйформирователь 1, второй формирователь 2, третий...