Способ оценки совершенства кристаллического строения минералов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
вершенства кристаллического страекия минералов, при катарам измеряют параметры изучаемого и эталонного бразцав и па полученной степени .авершекства кристаллического страекк." эталакнаго образца ат измеряемых параметров оценивают степень совершенства кристаллического строения исследуемого образца, в качестве измеряемого параметра используют остаточное электрическое сопротивление эталонных образцов различного генезиса, определяют зависимость саверхенства кристаллического строения (СКС) минералов ат этого параметра, измеряют остаточное электрическое сопротивление исследуемого образца минерала и па ким суцят а степени совершенства кристаллического строения исследуемого образца.Способ основан на там, чта, как известно ширина дифракцианкага максимума, па которой оценивается СКС эталонных образцов, определяется концентрацией точечных дефектов, линейных и плоскостных дислокаций, В то же время электрапразадность мине. ралов например диэлектриков, слаба зависит от Физических дефектов кристаллической структуры т,е. раз личного рода дислокаций. Поскольку точечные дефекты могут быть как в виде примесных панов, так и в виде ионов оснавксг вещества в междуузлиях решетки, а остаточное электрическое сопротивление не зависит от концентрации примеси, та связь СКС и остатачнага электрического сопротивления определяется количествам основных ионов в междуузлиях, а следовательно, степенью раскристалгщзации вещества. Поэтому стала возможным значительный по времени и сложности процесс оценки СКС т.а ширине дифракционного максимума заменить более экспрессным и простым измерением остаточного электрического сопротивления образцов минералаНа фиг, 1 изображена зависимость величины СКС в процентах ат величинь; остаточного электрического сопротивления (Кр , образцов кварца различных месторождений, на Фиг. 2 зависимость начального электрического сопротивления (К) ат суммарной канцнтра примесей С 2 ьнам кварце исследованного рудного3 1117 поляф на фиг, 3 - зависимость К отОст суммарной концентрации примесей в жильном кварце исследованного рудного поля, на фиг. 4 - устройство для реализации способа.5Оценка СКС по предлагаемому способу проводится следующим образом.На образцах кварца с известной СКС, подобранных из генетически различных групп месторождений от низко- О температурных скрытокристаллических образований (агат, халцедон) до высокотемпературных кварцев из пегматитовых жил измеряют величину оста-точного электрического сопротивления и определяют зависимость величины СКС от величины остаточного электрического сопротивления, При измерении К ток через образец фиксируют через две минуты после включения н 2 О напряжения. Получаем кривую, изобра- женную на фиг. 1, Левая часть кривой соответствует скрытокристаллическим образованиям, правая часть кривой - совершенным кристаллам 25 гидротермальных мес торождений. Затем на исследуемых образцах кварца, при прочих равных условиях (напряжение питания, температура, время измерения и т.д.) измеряют остаточное электрическое сопротивление и по найденной зависимости (фиг. 1) определяют величину СКС.Приведенная на фиг. 2 зависимость начальнсго электрического сопротив 35 ления от суммарной концентрации примесей в жильном кварце отражает общепризнанный факт определяющего влияния концентрации примесей на величину К(коэффициент корреляции г = = О,бб).Остаточное электрическое сопротивление, как следует из фиг, 3, практически не зависит от концентрации примесей (коэффициент корреляции г = 0,35). Поэтому связь .К и СКС определяется лишь количеством основных ионов в междуузлиях решетки, а следовательно, степенью раскристаллизации минерала.Устройство для реализации способа содержит источник питания 1 постоянного тока, электрометрический усилитель 2 с входным сопротивлением К. ключ 3, реле ц времени, образец 5.55 Оценку СКС минералов производят следующим образам.Сначала на образцах 5 кварца, взятых из различных генетических групп месторождений, с известной СКС, измеряют величину остаточного электрического сопротивления (К ). Остаточ. ное электрическое сопротивление определяют как отношение напряжения источника питания 1, приложенного к образцу 5 при замыкании ключа 3, к величине тока через образец 5. Ток через образец 5 измеряется электро- метрическим усилителем 2, по величине падения напряжения на эталонном сопротивлении К . При измерениях необходимо, чтобы К ) К . Известно, что ток через диэлектрик спадает во времени от момента включения, стремясь к стационарному значению. Сопротивление, полученное от деления напряжения источника питания 1 на стационарное значение тока, называют остаточным сопротивлением диэлектрика, В наших опытах с кварцем значение тока, близкое к стационарному, устанавливается через две минуты после подачи напряжения на образец 5.По известным величинам СКС и результатам измерения остаточного сопротивления образцов различного генезиса строим зависимость СКС от К которая является градуировочным графиком. Далее, для оценки СКС произвольно взятого образца 5 кварца, измеряют его остаточное электрическое сопротивление. По измеренной величине остаточного электрического сопротивления, используя градуировочный график зависимости СКС от Р , определяют величину СКС исследуемого образца.Таким образом, оценка СКС минералов предлагаемым способом по сравнению с известньк, время измерения по которому составляет несколько часов,. уменьшает время измерения до двух минут, делает измерения более простыми и доступными, что позволяет производить массовые измерения СКС при прогнозной оценке месторож-. дений по этому параметру, и в конечном счете, повышает эффективность разведочных работ.
СмотретьЗаявка
3584964, 02.03.1983
ЗАБАЙКАЛЬСКИЙ КОМПЛЕКСНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ
ЛАПУШКОВ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ, КРАСНИКОВ ВИКТОР ИВАНОВИЧ, ТУМУРОВ ГЫНИН ТУМУРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/00
Метки: кристаллического, минералов, оценки, совершенства, строения
Опубликовано: 07.10.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1117516-sposob-ocenki-sovershenstva-kristallicheskogo-stroeniya-mineralov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ оценки совершенства кристаллического строения минералов</a>
Предыдущий патент: Конденсационный гигрометр
Следующий патент: Устройство для измерения влажности почвы
Случайный патент: Состав для заправки подин нагревательных колодцев