Теологов
Голографический способ исследования и контроля фотоэлектретных свойств фототермопластических материалов на основе полимерных полупроводников
Номер патента: 1089549
Опубликовано: 30.04.1984
Авторы: Баженов, Барабаш, Гринько, Заболотный, Кувшинский, Находкин, Соколов, Теологов, Чуприн
МПК: G03H 1/18
Метки: голографический, исследования, основе, полимерных, полупроводников, свойств, фототермопластических, фотоэлектретных
...модуляции интенсивности света, экспонирующего фототермопласти"ческий материал, при З 0 перемещении вдоль поверхности пленки; к - пространственная час- тота плоского волнового фронта, экспони" Руюшего голограммуЕо = 885 10 кф/м, . по которым судят о фотоэлектретных свойствах фототермопластических материалов.При осуществлении способа снача ла проводят зарядку поверхности пленки с помощью зарядного. устройства, экспонируют интерфференционной картиной, образованной опорным и предметными пучками. :, 45После разрядки поэерхности пленки .до потенциала подложки на поверхности остается заряд, экранируюший объемный, величина которого .:.определяется величиной и характером распределения объемного заряда по толщине пленки полимерного...