Малиненко

Номер патента: 1081685

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Лозовик, Малиненко

МПК: H01G 9/04

Метки: конденсатора, оксидно-полупроводникового

...20 С полимерным покры 30+6 36+3 6+1 10+3 тием Контроль 30 партия 22+4 18+4 11+5 35+8 Изобретение относится к электротехнике и предназначено для, использования при изготовлении алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов.Известен способ получения переходного металлического слоя катодной обкладки конденсатора, при котором наносят слой из сплава Рв, Ьп 0,05-30 мас./о Хп с добавкой других металлов (например, Яв, А 1, Т 1, Я, Си) непосредственно на твердый электролит из двуокиси марганца при погружении анодов в ванну с жидким сплавом при одновременном воздействии на ванну вибрацией 1.Однако такой способ не улучшает конечные электрические параметры готовых алюминиевых конденсаторов.Наиболее близким к изобретению по технической...

Номер патента: 848336

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Бузунов, Искрицкий, Малиненко

МПК: B25B 21/02

Метки: гайковерт

...2 с двумя диаметрально противоположными выступами 3 и охватывающей его втулки 4, которая объединена в одно целое с рабочей головкой. Во втулке 4 выполнены пазы 5, соответствующие .выступам 3. На втулке крепится крышка 6, препятствующая выходу выступов 3 из ,пазов 5.Цилиндрический стержень подпружинен пружиной 7, помещенной между шайбами 8Верхняя шайба Фиксирует ся штиФтом 9.На боковых поверхностях 10 и 11 выступов 3 и поверхностях 12 пазов 5 выполнена винтовая нарезка. Выступы 3 и пазы 5 образуют две противопо. ложно направленные винтовые пары.Работа гайковерта осуществляется следующим образом.Для осуществления операции завинчивания рукоятку 1 совместно со стержнем 2 поворачивают по часовой стрелке до упора, когда войдут в...

Номер патента: 819857

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Бажин, Малиненко

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводников

...достигается тем, чтоповерхность нагревают до 100 в 2 С и обрабатывают потоком атомарного водородас парциальным давлением 10 2 - 104 торр.На чертеже изображено устройство дляреализации способа,Устройство содержит вакуумную камеру1, трубку Вуда 2, генератор высокой частоты 3,Атомные пучки водорода предварительнополучают с помощью, например, высокочас81 тотного разряда. Очистка поверхности полупроводника при помощи атомного пучка идет двумя путями. При взаимодействии атомов водорода с поверхностью происходят их адсорбция и рекомбинация в молекулы. При этом выделяется энергия, достаточная для удаления примесей с большой энергией связи, например ОН, тогда как с помощью моЛекулярных пучков водорода удаление ОН не достигается.Пример. Образец...